Ub ulanish sxemasidagi btning statik volt amper xarakteristikasini tadqiq etish

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI SAMARQAND FILIALI


ELEKTRONIKA VA SXEMALAR1
BAZASI


HISOB

3- MAVZU

UB ULANISH SXEMASIDAGI BTNING STATIK VOLT – AMPER XARAKTERISTIKASINI TADQIQ ETISH.

Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
3.1. Laboratoriya ishini bajarish oldidan uing pasport ko‘rsatmalarini yozib oling.
3.2. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchashda 3.1-rasmda keltirilgan prinsipal sxemani yig‘ing, sxemani o‘lchashda qo‘llaniladigan o‘lchov asboblari bilan tanishib chiqing.

Re=500÷1000 Ω, Rk=1000 Ω, VT-MP37B
3.1-rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash sxemasi
3.1 – jadval. UB ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun

UKB= 0V	IE (mA)	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-12	-14
	UEB (V)
UKB >0 V	IE (mA)	0	-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-12	-14
	UEB (V)

3.2 – jadval. UB ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun

IE = - 4 mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	3,5	4	4,5	-	-	-	-	-	-	-
	UKB (V)
IE = - 8mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	12	14	16
	UKB (V)
IE = - 12mA	IK (mA)	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	12	14	16
	UKB (V)

3.3. 3.1 va 3.2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KB=const bo‘lganda, I_E=f(U_EB)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_E=const bo‘lganda, I_K=f(U_KB)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va
h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11B va h_12B – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21B va h_22B – chiqish xarakteristikalar oilasidan):
, _{bo‘lganda bo‘lganda}
, bo‘lganda , bo‘lganda
Nazorat savollari
1. BT UB ulanish sxemada ishlash prinsipi, emitter va kollektor p-n o‘tishlar, baza sohasi ahamiyati haqida gapirib bering.
2. Emitter toki tashkil etuvchilari nomini ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
3. Baza toki tashkil etuvchilari nomin i ayting va ularning yo‘nalishlarini p-n-p hamda n-p-n turli BT uchun ko‘rsating.
4. I_KB0 va I_KE0 qanday toklar? Ular qaysi zaryad tashuvchilar harakati bilan hosil bo‘ladi ?
5. UB sxemada ulangan BT chiqish xarakteristikalar oilasida aktiv, berk va to‘yinish sohalarini ko‘rsating.
6. Ideal BT elektr modeli sxemasini chizing va uning parametrlari fizik mohiyatini tushuntiring.
7. BT invers ish rejimi deb nimaga aytiladi?


Adabiyotlar ro’yxati

1. 
   A.A. Tulyaganov, S.S. Parsiev, V.A Tulyaganova, U.M. Abdullayev Elektr zanjir nazariyasi. (o’quv qo'llanma). Т.: Aloqachi, 2018. 144 bet
   
2. 
   X.K.Aripov, AM. Abdullayev, N.B. Alimova, J.T. Maxsudov, A.A. Tulyaganov, Sh.T.Toshmatov. Elektronika va sxemotexnika (darslik) Toshkent: «Aloqachi», 2017y, 376 b.
   
3. 
   Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. “Sxemotexnika” (darslik), Toshkent. «Tafakkur bo’stoni», 2013. 447 b.
   
4. 
   Thomas F. Schubert, Jr., Ernest M. Kim. Fundamentals of Electronics Book I: Electronic Devices and Circuit Applications, 2014,
   
5. 
   B.T. Еременко, A.A. Paбочий, А.П. Фисун, Н.И. Невров, A.B. Тютякнн, А.Е. Георгиевский. Основы электротехники и электроники. Учебник. Орел. 2012