Учебное пособие по коллоидной химии Казань 2015 1
Download 1.57 Mb. Pdf ko'rish
|
uch.pos.- 3-disp.sist
U = U
э + U м , (75) где U э – энергия отталкивания, а U м – энергия притяжения. Итоговое уравнение для энергии взаимодействия U между двумя за- ряженными пластинами на малом расстоянии h друг от друга, отнесенной к единице площади частиц, имеет вид: 2 2 0 12 64 h А е RT c h U h , (76) 50 где 1 2 exp 1 2 exp RT zF RT zF , (77) χ – величина, обратная эффективной толщине двойного электрического слоя; с 0 – концентрация противоионов в растворе; z – заряд противоионов; F – число Фарадея; А * – константа Гамакера, учитывающая природу взаи- модействующих тел; φ δ – электрический потенциал диффузного слоя. В этом уравнении первое слагаемое соответствует энергии отталкива- ния, имеющей электростатическую природу, а второе – энергии притяже- ния, обусловленной силами Лондона-Ван-дер-Ваальса. В соответствии с теорией ДЛФО эти итоговые соотношения опреде- ляют поведение дисперсных систем. Их устойчивость или скорость коагу- ляции зависят от знака и величины общей потенциальной энергии взаимо- действия частиц. Положительная энергия отталкивания U э (h) с увеличени- ем расстояния уменьшается по экс- поненциальному закону, а отрица- тельная энергия притяжения U м (h) обратно пропорциональна квадрату расстояния (рис. 15). В результате при их суммировании согласно уравнению (76) получается немоно- тонная зависимость, представленная на рис. 15 сплошной линией U(h). Данная кривая имеет три характер- ных участка, имеющие следующее объяснение. Первичный минимум Ι на ма- лых расстояниях между частицами отвечает их непосредственному слиянию или слипанию (рис. 15, I); вторичный минимум ΙΙ – их притя- жению через прослойку среды (рис. 15, II). Наличие этого минимума свя- зывают с явлением тиксотропии, т.е. способностью многих золей обрати- мо превращаться в гели. Максимум на промежуточных расстояниях харак- теризует потенциальный барьер, препятствующий слипанию частиц. Силы взаимодействия могут распространяться на расстояния до сотен наномет- ров, а максимальные величины энергий достигать ~10 -2 и более Дж/м 2 по- верхности частиц. Увеличению потенциального барьера способствует рост величины потенциала φ δ на поверхности частиц в области его малых зна- чений. Практика показывает, что уже при φ δ ≈ 20 мВ возникает барьер, способный обеспечить агрегативную устойчивость дисперсной системы. Потенциальный барьер растет и с уменьшением постоянной Гамакера А * . П оте нц иа ль на я э не рг ия, U (h) при тяж ен ие отта лк ив ан ие h U э U м U(h) Рис.15. Потенциальные кривые взаимодействия частиц 51 Различают три наиболее характерных вида потенциальных кривых, отвечающих определенным состояниям устойчивости дисперсных систем (рис. 16). Кривая 1 на рис. 16 отвечает такому состоянию дисперсной сис- темы, когда на любом расстоянии между частицами преобладает энергия притяжения над энергией отталкивания. Не влияет на это и тепловое дви- жение. Для такого состояния дисперсных систем характерна быстрая коа- гуляция с образованием агрегатов из твердых частиц, а в системах с жид- кой и газообразной дисперсными фазами происходит коалесценция. Кривая 2 имеет достаточно вы- сокий потенциальный барьер и вто- ричный минимум. В такой системе на расстояниях, соответствующих вто- ричному минимуму, происходит бы- страя флокуляция. Частицы во фло- кулах, благодаря наличию потенци- ального барьера, не имеют непосред- ственного контакта и разделены про- слойками среды. Такое состояние от- вечает обратимости коагуляции. При устранении вторичного минимума возможен обратный процесс – пепти- зация. Кривая 3 имеет высокий потенциальный барьер, но не имеет вторич- ного минимума или его глубина меньше тепловой энергии (kТ). Вероят- ность образования агрегатов в таких условиях очень мала и такие дисперс- ные системы обладают большой агрегативной устойчивостью. Рассмотренный упрощенный вариант теории ДЛФО не учитывает размеров частиц и их форму. Соотношения, полученные для сферических частиц, показывают, что высота ионно-электростатического барьера и, со- ответственно, устойчивость к коагуляции повышаются с увеличением их размера. Высота барьера в первом приближении пропорциональна радиусу кривизны. В этом же направлении увеличивается и вторичный энергетиче- ский минимум. Последнее подтверждается тем, что процессы дальней аг- регации особенно распространены в грубодисперсных системах, например, в пастах, в цементных растворах и др. Электростатическая теория применима к системам, в которых устой- чивость обеспечивается только электростатическим фактором. В реальных же системах наблюдается, в лучшем случае, преобладание того или иного фактора устойчивости. В то же время электростатический фактор очень широко распространен, особенно в водных средах, создающих условия для диссоциации. Механизмы его образования те же, что и для двойного элек- трического слоя: поверхностная диссоциация вещества частиц, адсорбция ΔЕ Рис. 16. Потенциальные кривые для дисперсных систем с разной степенью и характером устойчивости U(h) 1 3 2 h 52 электролитов, в том числе ионогенных ПАВ и ВМС и ориентирование ди- полей молекул растворителя или растворенных веществ. Устойчивость тем выше, чем прочнее закреплен стабилизатор на поверхности, чем больше степень заполнения поверхности стабилизатором и чем сильнее противо- ионы сольватированы растворителем (молекулами среды). В случае по- верхностной диссоциации вопрос закрепления стабилизатора решается сам собой, так как диссоциирует само вещество частицы. При введении стаби- лизатора один из его ионов должен иметь достаточное сродство к веществу частицы, другой – к растворителю. Как правило, устойчивость дисперсий в водной среде увеличивается по мере роста гидратации противоионов в лиотропных рядах ионов: Cs + < Rb + < K + < Na + < Li + и J¯< Br¯< Cl¯. Орга- нические ионогенные ПАВ и ВМС в водных средах обычно ориентируют- ся органическими радикалами к частице, а неорганическим ионом – к воде. В органических средах с гидрофильными частицами органические радика- лы обращены в сторону среды. Download 1.57 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling