Ва радиокомпонентлар

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

---

29 
9 – 
Амалий иш 
 
Мавзу: ПАССИВ РАДИОКОМПОНЕНТЛАРНИНГ КОНСТРУКТИВ ХУСУСИЯТЛАРИНИ ЎРГАНИШ 
Пардасимон конденсаторларни ҳисоблашда аввал диэлектрик материал тури (1-жадвалга қаранг) юпқа парда қатламни 
ҳосил қилиш услубига мувофиқ танланади. 
1-
жадвал 
Юпқа пардали конденсаторлар диэлектриги учун материаллар таснифи 
 
Диэлектрик материал тури 
Солиштирма сиғим 
Со, пφ/мм
2
 
Юпқа пардани ҳосил 
қилиш усули 
Кремний монооксиди 
Германий монооксиди 
50÷100 
50÷100 
Термик пуркаш 
Кремний икки оксиди 
Тантал оксиди 
200 
500 
Катод пуркаш 
Материал танланганидан сўнг конденсатор юзаси ҳисобланади. 
S=Ci/Co=A·B (4) 
бу ерда Ci – ҳисобланаётган конденсатор сиғими; 
A ва B – агар конденсатор тўғри тўртбурчак шаклида бўлса, конденсаторнинг пастки ва устки қопламларининг 
тўсилувчи юзаларининг узунлиги ва кенглиги. 
Барча элементлар юзалари аниқланганидан сўнг таглик танланади (намунага қаранг) ва гибрид интеграл 
микросхеманинг чизмасига корпуссиз операцион кучайтиргичларни жойлаштирилган холда тугалланган топологик 
чизмаси (чизма 20:1 ёки 10:1) масштабда чизилади. 
Топологик чизмани тайёрлашнинг умумий тамойиллари қуйидагилардан иборат: элементлараро бириктирувчилар 
узунлиги минемал бўлиши; элементлар эгаллайдиган юза минималлаштирилиши; таглик юзаси бўйлаб элементларни 
бир маромда жойлаштириш.

---

30 
Топология эскизи миллиметрли қоғозда танланган масштабда тайёрланиши керак. Бунда пассив элементлар 
тагликнинг чеккаларидан камида 1мм масофада жойлаштирилади. Кириш ва чиқиш контакт юзачалар тагликнинг узун 
томонларида чеккадан камида 1мм масофада жойлаштирилади. 
Топология эскизини тайёрлашда бпқа парда технологиясига хос бўлган қуйидаги асосий чекланмаларни эътиборга 
олиш зарур: 
- 
осма элементлар (компонентлар) махсус ажратилган жойларга парда элементлардан камида 500мкм (0,5мм) 
масофада, контакт юзачалардан камида 600мкм масофада жойлаштирилади; 
- 
осма компонентлар орасидаги энг кичик масофа 300мкмни ташкил этиши керак; 
- 
осма компонентларнинг чиқишларидаги сим узунлиги 600мкмдан 5ммгача бўлмоғи керак; 
- 
парда элементлар (шу жумладан, контакт юзачалар) орасидаги энг кичик рухсат этилган масофа 200мкм; 
- 
резисторларнинг энг кичик узунлиги l
min 
500мкмдан кичик эмас; 
- 
резисторларнинг кенглиги
b
min
ниқоб усулида 200мкмдан, фотолитография усулида эса 100мкмдан кам эмас; 
- 
пардали конденсаторларнинг пастки қопламаси устки қоплама қирғоғидан камида 200мкм чиқиши шарт; 
- 
диэлектрик пастки қоплама қирғоғидан камида 100мкм чиқиши шарт; 
- 
парда ўтказгичларнинг рухсат этилган минимал кенглиги ниқоб усулида 100мкм, фотолитография усулида эса 
50мкм; 
- 
турли қатламларда жойлашган парда элементлар орасидаги минимал рухсат этилган масофа ниқоб усулида 
200мкмни, фотолитографияда 100мкмни ташкил этади; 

---

31 
1 – 
расм. Пардали резисторларнинг намунавий конфигурацияси:
а, б – тўғри бурчак шаклдаги тамға, в – аррасимон (меандр), 
г – бир неча кетма – кет уланган тамға 

---

Document Outline

• Пардасимон резисторлар материаллари
• Юпқа пардали конденсаторлар диэлектриги учун материаллар таснифи