Va yarimotkazgichli asboblar texnologiyasi

"4
  mm.sim.ust.  tigelsiz 
zonaviy  suyultirish  usulida  nazorat  sterjenini  tozalash  yo'li  bilan 
teksliiriladi.  Suyulgan  zonaning  3  mm|mm  tezlikda  15  marta  takroran 
o4ishidan  so‘ng  kremniydan  bor  (B)  dan  boshqa  deyarli  hamma  donor 
va  akseptor  kirishmalar  chiqarib  tashlanadi,  bor  (B)  qoladi.  Bunday 
tozalashdan  keyingi  kremniy  solishtirma  qarshiligini 
bor  (B)  bo'yicha 
solishtirma  qarshilik
  deyiladi.
Polikristall  kremniy  sterjenlarda  donorlar  miqdorini  nazorat  qilish 
vakuumda,  suyulgan  zonaning  siljish  tezligi  3  m m /m in  bo'lgan  holda,  bir 
marlali  zonaviy  suyultirish  usuli  bilan  amalga  oshiriladi.  Polikristall 
kremniy  yuqori  darajada  toza  bo'lishi  uchun  uning  tozalik  darajasi  bor 
(B)  bo'yicha  5000  Om-sm.  dan  kam  va  donorlar  bo'yicha  250  Om-sm 
dan  ortiq  bolmasligi,  steijenlar  sirtida  xloridlar  bo'lmasligi,  sterjenning 
singan  yoki  kesilgan joyida  oksidlangan  halqalar bolmasligi  kerak.
96

Polikristall  kremniy  sterjenlari  bir  xil  massali  bo laklar  ko‘rinishida 
berilishi  mumkin.  U  eng  kichik  massasi  50  g  bo‘lgan  bo laklar 
ko^n ish ida ham  berilishi mumkin.
6.4.2.  lYlonosilandan  kremniy polikristallarini  olish
Eng  toza  kristall  kremniyni monosilan  SiH4ni termik  qizdirib  parcha- 
lash  usuli  yordamida  tayyorlash  mumkin.  Olingan  mahsulot  bor  (B) 
bo‘yicha  80000  O m sm   gacha  va  donorlar  bo‘yicha  5000  Om-sm  gacha 
solishtirma  qarshilikka  ega  boiadi.  Bu  usulning  texnologik  sxemasi  11.29- 
rasmda  tasvirlangan.
Suyuq
am miak
~ T ~
-550°C  magniy 
silisidi sintezi
Magniy silisidi
—
» l   r -
-3 0 °C  silan  ajralishi
|  
Navshadil
 
~ |
Rektifikasiya  -130°C  
f
Tozalangan silan
1000°C silanni 
parchalanishi
_ L b
Polikristall kremniy 
iayoqchalari d < 1 00  mm
Taglik sim 
d —5mm
vodorod
11.29 —rasm.  Silanni  termik  usul  bilan parchalab kremniy olishning 
texnoloaik  tartibi.
Gorizontal  elektropcchlarda  tcxnik  kremniyni  (asosiy  modda>98%) 
va  magniyni  (asosiy modda>  98%)  550°C da  sintez  qilinadi:
2M g+Si=M g
2
Si, 
(11.42)
so'ngra  Mg2Si  ni xlorli ammoniy bilan parchalanadi:
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+2MgCl+4NH3 
(11.43)
97

Parchalanishni  —  30°C  da  suyuq  ammiak  N H
3
  muhitda  olkaziladi. 
Bu  jarayonda  kremniy  undan  eng  qiyin  chiqariladigan  bor  (B)  dan 
tozalanadi.  Bor  (B)  silandan  oson  ajraladigan  bor-ammiak  birikmasi 
tarkibida  mahkam boglanib  qoladi.
Silanni  tozalash  -130°C   da  olkaziladigan  past  temperaturali 
rektifikatsiya  usulida  davom  ettiriladi.  Olingan  rektifikat  (toza  modda)da 
massa  bo'yicha  bor  (В)  3.10
*6
  va  fosfor  1,1*10_7%  dan  kam  boiadi. 
Boshqa  kirishmalar yana  ham  kam  miqdorda  boladikim ,  ular sezilmaydi.
Monosilan 
(SiH4)ni 
reaktorlarda 
1000°C 
da 
parchalanadi: 
SiH
4
= S i+
2
H
2
.  Bunday  reaktorlarning  tuzilishi  II.27-rasmdagidan  asosan 
farq  qilmaydi.  Reaksiya  natijasida  ajralgan  yuqori  darajada  toza 
vodoroddan 
yana 
foydalaniladi, 
toza 
polikristall 
kremniy 
esa 
monokristallar  o^tirishda,  bevosita  uning  o‘zidan  asboblar  ishlab 
chiqarishda  qo‘llanadi.
6.4.3.  Germaniy  polikristallarini  olish
Germaniy  xomashyoda  oksidlangan  yoki  elementar  shaklda  boiishi 
mumkin.  Turli  konsentratlar  tarkibida  germaniy  G e 0
2
  yoki  M gGe
0 3  
xilidagi  geimanatlar  ko^inishida  mavjud  boiadi.  Germaniyning  konsen- 
tratlardagi  miqdori  (massa  bocyicha)  5  dan  60%  gacha,  asosiy  kirishma— 
arsenik  6,5%  ni tashkil  qiladi.
Polikristall 
germaniy 
olish 
texnologiyasining 
birinchi 
amali 
xomashyodagi germaniyni  GeCl
4
 tetraxloridga  olkazish  boiadi:
Ge+2C1
2
—GeCl
4
 
(11.44)
Iki  jarayon  gralit  qoplangan  reaktorda  300-400°C  da  bajariladi. 
Tetroxlorid  mahsuli  95%  atrofida.  Olingan  germaniy  tetraxloridini 
kondensatorda  kondensirlanib,  so‘ng  yig‘uvchi  idishga  o ‘tadi.
Xomashyodagi  oksid  va  elementar  shakldagi  germaniyni  eritmada 
xlorlab  tetraxloridga  olkaziladi:
G e 0
2
+4H C l=G eC l
4
+2H
2
0 ; 
(11.45)
M gG e0
3
+6H C l=G eC l
4
+M gCl
2
+3H20  
(11.46)
Arsenikning  germaniydan  qiyin  ajralib  ketadigan  uchuvchan  trixloridi 
AsCI
3
  asosiy  kirishmasini  ushbu  reaksiya  bilan  uchmaydigan  H
2
A s0
4 
arsenik  kislotasiga  aylantiriladi:
98

A ia 3 + 4 H
2
0 + C l
2
=H2As0
4
+5HCl 
(11.47)
Ba’zan  reaktoiga  xlor 
0
‘miga  pirolyuzit  M n 0
2
  yoki  vodorod 
peroksidi  H
2
0
2
  kiritiladi:
4H C l+ M n0
2
=M nCl
2
+2H
2
0 + C l
2
 
(II.48)
2HC1+H
2
0
2
=2H
2
0+C1
2
 
(11.49)
Reaktorda  xloming  bo‘lishligi  konsentratdagi  elementar  germaniy 
erishiga  yordamlashadi.
Butun  oksidlangan  germaniyni  tetraxloridga  o‘tkazgandan  so‘ng 
eritmadagi  xlorid  kislota  zichligi  270 
g /l
  gacha  kamaytiriladi  va 
ikJolamchi  xomashyo  solinadi.  Uning  miqdori  massa  bo‘yicha  ~15%. 
Shundan  keyin reaktoiga xlorli temir  kiritiladi
Ge+4FeCl3=GeCl4+4FeCl
2
 
(11.50)
reaksiya  bo‘yicha  (xomashyodagi!)  elementar  germaniy  tetraxloridga 
o'tkaziladi  Bu  jarayon  tugagach,  eritmadan  tetiaxlorid  chiqarib  olinadi. 
Buning  uchun  reaktorni  83°C  dan  (GeCl
4
  qaynaydigan  temperaturadan) 
yuqorigacha  qizdiriladi.  Eng  yuqori  temperatura  110°C.  Tetiaxlorid 
bug‘lari suyultirilib  idishga  quyuladi.
Ushbu 
dis till ats ion 
jarayonda 
germaniy 
tetraxloridi 
ko‘p 
kirishmalardan  tozalanadi.  Bunda  arsenik  trixloiidi  AsCl3ni  tozalash 
muhim,  chunki  u  o ‘z  xossalari  bo'yicha  GeCl
4
ga  yaqin  va  uni  ajratib 
olish  qiyin.  Ekstraksiya  usuli  bilan  tozalash  GeCl
4
  da  arsenik  miqdorini 
massa  bo'yicha  5T0_4% gacha kamaytirish  imkonini  beradi.
Tozalangan  germaniy  tetraxloridi  GeCl4ni  rekliiikatsion  kolonna 
kubiga  kiritiladi.  Odatda  reaktifikatsiya jarayonini  bir  necha  kolonnalarda 
bajariladi 
Bu  yerda  hosil  boTgan  germaniy  tetraxloridi  buglari 
sovitgichda  kondensatsiyalanadi. 
Kondensatni  dexloratorda  xlordan 
ajratiladi va  gidroliz jarayoniga  yuboriladi.
Germaniy  tetraxloridi  gidrolizini  aralashtirgichli  ftoroplast  reaktorda 
o'tkaziladi.  GeCl
4
:H
2
0 = l:7   hajmiy  nisbatda,  bu  G e 0 2ning  eruvchanligi 
eng  kichik  boclishligini  ta’minlaydi.  Gidrolizda  issiqlik  ajraladi,  shuning 
uchun  reaktor devorlarini  oqar suv bilan sovitib  turiladi,  G e 0
2
  mahsuloti 
ortadi.
Gidrolizdan  keyin  olinadigan  G e 0
2
  sinchiklab  aralashtiriladi  va 
konteynerlarga  joylanadi.  Bu  oksid  tozaligiga  kremniydagiga  o‘xshash 
talablar qo'yiladi.
99

Polikristall  germaniy  olish  uchun  G e 0 2ni  gralit  qayiqchalaiga 
solinadi,  qayiqchalami  naylar  ko'rinishidagi  elektropech  orqali  3 
inm/min  tezlikda  siljitiladi.
Pech  bo'ylab  ikkita  temperatura  zonasi  bo'ladi.  Birinchisida  (650°C- 
7l()°C)  germaniyning  tiklanish  jarayoni  kechadi,  u  ikki  bosqichdan 
iborat:
G e 0
2
+ H
2
= G e 0 + H
2
0 ,
G  e о + H 2—G  e + H 2 О
G e 0
2
+2H
2
= G e+ 2H 20  
(11.51)
Ikkinchi  zonada  (1000°C  atrolida)  tiklangan  germaniy  zarralari 
yopishishib  germaniy  suyulmasi  hosil  qiladi,  u  esa  pechdan  chiqayotib 
kristallanadi  (II.30-rasm).  Ba’zan  tiklash  pechiga  yana  bir  zonani 
(temperaturasi  1000  dan  900  gacha)  qo'shiladi.  Bu  zonadan  olganda 
suyulma  yo'nalishli  kristallanadi.
Germaniyning  polikristall  quymalarini  Brijmen  gorizontal  usuli  bilan 
tozalashda  yaxshi  natijalarga  erishiladi.  Bunda  gennaniyli  qayiqehani 
tiklash  pechidan  chiqarilgandan  so'ng  uni  alohida  maxsus  pechga 
joylanadi va  tozalash  bajariladi.
Polikristall  germaniyni  tozalash  gorizontal  zonaviy  suyultirish  usulida 
davom  ettiriladi,  bunda  zonada  suyulmani  yuqori  chastotali  toklar  bilan 
qizdiriladigan  ko'p  nayli  qurilrnalar  qo'llanadi.
Yuqori  darajada  toza  polikristall 
germaniy  olishning  asosiy  sharti  barcha 
bosqichlarda 
eng 
katta 
tozalikni 
ta’minlashdir.
Gralitdan  yasalgan  qayiqchalarning 
tozaligiga  a’lohida  e’tibor  berish  kerak. 
Ulami  juda  zich  va  juda  toza  grafitdan 
tayyorlanadi, 
so‘ng 
1000°C 
dan 
yuqorida  xlor  oqimida  chiniqtiriladi. 
Ishga  solishdan  oldin  qayiqchalarda  bir 
necha 
yuvuvchi 
suyultirishlar 
0
‘tkaziladi. 
Shuning 
uchun 
uzoq 
foydalanishda  boigan  qayiqchalar  eng
Vaqt,  soat
11.^0 —rasm.  Germaniy  (II) 
oksidini  tiklash  jarayonining 
tejnperaturaviy — vaqtiy 
maromi  (rejimi):
I — lartib  chiqarish  boshlanishi;  II 
—  liklasli;  III  —suyultirish;  IV  — 
tartib  chiqarish  oxiri.
100

katta  tozalikka  ega  bo‘ladi.
Gorizontal  zonaviy  suyultirish  usulida  tozalangan  polikristall  ger­
maniy  18°C  da  52  Om sm ,  19°C  da  51  O m sm   va 
20
°C  da  50  Om-sm 
solishtirma  qarshilikka  ega  boiishi  kerak.  Nazorat  monokristallida  hara- 
katchanlik  ham  tekshiriladi,  u  77  К  da  25000  sm
2
/V-s  dan  kam 
b o ^ a s lig i  kerak.
6.4.4.  Galliy arsenidi kristallarini  olish
Yarimolkazgich  birikmalarni  sintez  qilishning  eng  sodda  usuli 
tarkiblovchilarni  birga  suyultirishdir.  Bunday  sintezni  olkazadigan 
apparatning  sxemasi  II.17-rasmda  ko^atilgan.
Galliy  arsenidini  sintezlash  jarayonini  olkazish  tartibi  quyidagicha: 
kvais  tigel  tubiga  dastlab  maydalangan  arsenik  (bolak  o icham i  3  mm), 
uning  ustiga  galliy,  keyin  esa  bor  angidridi  joylanadi  Arsenik  va  galliy 
1:1  nisbatda  (atomlar  soni  bo‘yicha)  olinadi,  flyus  —  bor  angidridini  25 
ml
 chamasida suyulma  hosil  qilish  uchun  zarur miqdorda  olinadi
Tigelni  grafit  taglikka  joylanadi.  Taglik  yuqori  bosim  kamerasida 
joylashgan,  kamemni  zichlantiriladi,  unda  vakiium  hosil  qilinadi,  keyin 
inert  gaz  (azot,  argon)  bilan  60  at  bosim  ostida  toldiriladi.
Bu  amallar  bajarilgandan  keyin  tigehii  kolaradigan  mexanizm  ishga 
tushiriladi  va  tigelni  sekin  (uning  yuqorigi  qismini  850°C  gacha  qizdira 
oladigan)  induktor  pechga  kiritiladi.  Oldin  galliy,  keyin  flyus  suyuladi. 
817°C  atrolidagi  temperaturaga  erishilganda  arsenik  ham  suyuladi  va 
sintez  reaksiyasi  boshlanadi.  Bu  reaksiyada  ancha  issiqlik  ajraladi,  bu 
tigeldagi 
suyulma 
temperaturasini 
galliy 
arsenidi 
suyulish 
temperaturasidan  birmuncha  yuqori  qiladi.
Sintez  jarayoni  tugallangandan  solig  suyulma  temperaturasi  pasaya 
boshlaydi. 
Induktorning 
quw atini 
oshirib, 
1
 
soat 
davomida 
temperaturani  1240°C  atrofida  saqlab  turiladi,  bu  suyulmaning  bir 
jinsliligini  oshirish  uchun  zarur.  Keyin  temperaturani  sekin  pasaytira 
borib  suyulmani kristallanadi.
Ravshanki,  olingan  bu  birikma  polikristaflning  tozaligi  dastlabki 
tarkiblovchilar tozaligi bilan  aniqlanadi.
Galliy  va  aisenikning  mavjud  namunalari  (markalari)  tozaligi  uncha 
yuqori  emas.  Shuning  uchun  galliy  arsenidi  va  indiy  arsenidining  toza
101

IL31-rasm.
 
Parchalanib  keta  oladigan 
yarimo'tkazgich  birikmalarni  flyus  orqali 
sintezlash qurilmasi chizmasi:
i-avtoklav; 
2-uchuvchan
  tarkiblovchi  (As,  P) 
isitgichi;  5-shtok;  4-monokrislal  xamirturush; 
5-flyus;  6,8-uchmovchan  tarkiblovchi  (In,  Ga); 
7~termojuftlar;  9-kvars  reaktor;  70-tigelning 
grafit  tagligi;  //-yuqori  chastotali  induktor; 
/2-grafit  ekranlar; 
13-t
igelning  g'ovak  tubi; 
/4-pirouglerod  bilan  jipslangan  grafitli  reaktor; 
75-suyulma  isitgichi;  16-ko'rish shishasi.
polikristall  quymalarini  olish  uchun  ko‘proq  Brijmen  gorizontal  usuli 
qollanadi.  Bu  jarayonni  vakuumli  va  kavsharlangan  kvars  ampulalarda 
o‘tkaziladi.  Ampulaning  bir  uchida  galliy  solingan  kvars  qayiqcha, 
ikkinchi  uchida  —  arsenikli  qayiqcha  joylanadi.  Tegishlicha  bosim  va 
temperatura  sharoiti  o ‘rnatiladi.
Ushbu  usul  qurilmasi ning  pechlar  qismi  bir  necha  pechlardan  iborat
bo*lib,  ampula  bo'yicha  kerakli  temperatura  taqsimotini  hosil  qilib 
beradi.
Galliy-arsenik  suyulmali  qayiqcha  boVicha  kristallanish  fronti  siljib 
borishi  pechlar  qismini  harakatsiz  ampulaga  nisbatan  ko‘chirish  y o li 
bilan  amalga  oshiriladi.
Ko‘rilgan  usul  bilan  sin.tezla.ngan  galliy  arsenidi  poiikristaM a  erkin 
elektronlar  zichligi 
2
-
1016
  s n r
3
  dan  katta  emas,  ularning  harakatchanligi 
4200  sm
2
/V-s  dan  kam  emas.
Keying!  davrda  galliy  arsenidini  sintezlash  jarayonini  Choxralskiy 
usuli  bilan  birgalikda  olib  borish  rivojlandi.  Bu  -   oxirgi  mahsulot  — 
monokristallning  tozaligini  muhirn  darajada  oshirdi  va  ishlab  chiqarishni 
arzonlashtirdi.
Bunday 
qurilma 
sxemasi 
11.31-rasmda 
tasvirlangan. 
Jarayon 
quyidagicha  amalga  oshadi.  Tigelga  metall  galliy  va  flyus  -   bor  angidrid 
joylanadi.  Arsenikli  ampula  tubi  sindiriladi  va  keyin  uni  325°C  gacha
102

qizdiriladi.  Bunda  galliy  suyuladi.  Qurilma  kamerasida  1G
~3
  mm 
sim.ust.gacha  vakuum  hosil  qilinadi  va  keyin  uni 
1
  at  bosimgacha  azot 
bilan  toldiriladi,  so‘ngra  og‘ma  nayni  tigeldagi  galliy  suyulmasiga 
tushuriladi.
Tigeldagi  temperaturani  1240°C  gacha  yetkaziladi,  bunda  flyus 
suyuladi  va  tigeldagi  suyulgan  galliy  sirtini  qoplaydi.  Soligra,  arsenikii 
ampula  joylashgan  pechning  temperaturasini  tadrijan  580°C  —  630°C 
gacha  oshirib  boriladi.  Kameradagi  azotning  issiqlik  harakati  evaziga 
bosimi  1,3-1,5  at.  gacha  ortadi  va  butun  jarayon  davomida  shu  sathda 
tutib  turiladi.  Sintez  tugagach,  ampula  bilan  birga  nayni  suyulmadan 
kolarib  olinadi  va  chetlantiriladi.  Keyin  oddiy  usullarda  monokristall 
o‘stiraverish  mumkin  boiadi.  GaAs,  InAs 
yollari  ham  bor.
6.4.5.  Indiy  va  galliy  fosfidlarini  olish
Polikristall 
galliy 
fosfidini 
sintez 
qilishda  ikki  usul  eng  ko‘p  tarqalgan.
Birinchi  usul 
—  gorizontal  (zonaviy 
suyultirish  yoli  bilan  sintezlash,  u  galliy  va 
qizil 
fosfor  solingan  grafit 
konteyner 
joylashgan,  vakuum  hosil 
qilingan 
va 
kavsharlangan 
reaktorda 
oikaziladi.
Reaktorni  ikki  fon  elektropechidan  va  ular 
orasida 
joylashgan 
yuqori 
chastotali 
induktordan 
iborat 
pechlar 
blokiga 
joylanadi.  Fon  pechlari  qizil  fosforni  uning 
reaktorda  talab  qilingan  buglari  bosimi 
hosil 
boiadigan 
temperaturagacha 
qizdiradi.  Fosfor  bugl  reaktor  devorida 
olirib  
olmasin 
uchun 
devorlar
103
larni  sintezlashning  boshqa
1132-rasm.
  Fosfor  bug'ining 
indiy  suyulmasi  bilan  o'zaro 
ta'siri 
jarayoni 
kinetikasi 
(fosfor 
bug'ining 
tegishli 
bosimlari  uchun  suyulmada 
fosforning  muvozanatiy  Cr 
konsentratsiyasi  uzuq  (punk- 
tir) 
chiziqlar 
bilan 
ko'r- 
satilgan).

temperaturasi  yuqoriroq  boiishi  kerak.
Pechlar 
bloki 
(unda 
joylashgan 
reaktor 
bilan) 
avtoklavga 
o ‘riniashgan,  unda  inert  gazning  kerakli  bosimi  hosil  qilinadi,
Jarayon  rejimi:  fosfoming  reaktordagi  bosimi  10  at,  suyulgan  zona 
kengligi  30-40  mm,  suyulgan  zona  ko‘chish  tezligi  1  m m /m in  gacha, 
undagi  suyulma  temperaturasi  1500°C  gacha.  Bu  sharoitda  zaryad 
tashuvchilar  zichligi 
1017
  s n r 3dan  kam  b o igan  polikristall  galliy  fosfidi 
quymalari  olinadi  (24  soatda  2  kg gacha).
Bunday  materialda  kislorod  kam  - 5 10~4  %  (massa  bo'yicha), 
shuning  uchun  undan,  kislorod  zararli  boigan,  epitaksial  tizilma  tagligi 
boladigan  monokristallarni  o'stirish  uchun  foydalaniladi.
Shu  usul  bilan  indiy  fosfidi  ham  sintezlanadi,  unda  elektronlar 
zichligi 
1015
  sm-3.
Ikkinchi 
(unumliroq) 
usul 
—  avtoklav  qurilmalardagi  kvazigermetik 
reaktorlarda  sintez  amalga  oshiriladi.
Indiy 
fosfidining 
kristall 
quymalarini 
sintez 
qilish 
uchun 
qollanadigan  11.32-rasmdagi  qurilma  ushbu  usulga  misol  boiad i.  Unda 
reaktorning  qizil  fosforli  kvars  qismi  va  indiyli  tigeli  bor  grafit  qismining 
birlashuvi  gidravlik  zavtor  yordamida  amalga  oshiriladi.  Sintez  quyidagi 
ravishda 
o ‘tkaziladi: 
tigelga 
kerakli 
miqdorda 
indiy 
joylanadi. 
Reaktorning  kvars  qismiga  mos  stexiometrik  miqdordagi  qizil  fosfor  yana 
ortigi  bilan  (bo‘shliqni  va  isrofni 
kamytirish  uchun)  joylanadi. 
Gidrozatvor  kanaliga  lining  2/3  balandligigacha  suyulgan  indiy  quyiladi 
va  yaxlatiladi.  Bundan  keyin  ushbu  qismni  ochiq  tomoni  bilan  kanaldagi 
metallga  o ‘rnatiladi,  yuqori  bosim  kamerasini  zichlantiriladi,  unda 
vakuum  hosil  qilinadi,  keyin  ishchi  bosim  60-70  at  boladigan  bosim 
ostida  inert  gaz  bilan  toldiriladi.
Reaktorning  qizil  fosforli  qismini  kerakli  temperaturagacha  qizdiriladi 
(reaktorda  fosfor  bug!  bosimi  25  at  ga  yetishi  kerak!).  Shundan  keyin 
indiy  suyulmali  tigelni  birikmaning  suyulish  temperaturasidan  (1060°C) 
yuqori  temperutaragacha  qizdiriladi  va  sintez  jarayoni  to la   amalga
104

oshishi  uchun  muayyan  vaqt  beriladi  [uni  (11.31)  ifoda  bo‘yicha 
baholanadi].  Endi  tigeldagi  suyulma  temperaturasini  asta  pasavtirib,  uni 
kristallanadi, 
InP  birikmaning  polikristall  quymasi 
hosil  qilinadi.  Bu
material  yetarlicha  toza,  unda  и«(1-*-2)-1016.ш “35  //« 4 5 0 0   sm2/ V ’S
(300K 
da).
Indiy  va  galliy  fosfidlarini  tavsiflangan  tartibda  sintez  qilish jarayonini 
ulaming  monokristallarini  o‘stirish  bilan  birlashtiruvchi  inert  gazning 
bosimi  60-80  at  bolishligi  talab  qiladi.  Bu  ancha  qiyin  masalalardan. 
Shuning  uchun  bu jarayon  keng  yoyilmagan.
Galliy  va  indiy  fosfid  monokristallarini  yuqorida  bayon  qilingan 
usulda  sintezlangan  polikristallardan 
0
‘stiriladi.
6,5.  Amorf yarimo6tkazgichlami  olish  va  qoilash
Amorf  yarimo'tkazgichlar  anchadan  beri  m a’lum.  Si,  Ge,  GaAs  va 
boshqa  yarimo4kazgichlarning  amorf pardalari  (qatlamlari)  kovp  yil  ilgari 
sintez  qilingan  va  katta  arnaliy  qo‘llanishga  ega  bo‘lmadi. 
0
‘sha 
moddalaming 
kristallariga 
qaraganda, 
am orf 
holdagi 
moddalar 
taqiqlangan  zonada  katta  zichlikdagi  mahalliy  holatlarga  ega.  Bu 
mahalliy 
hoiatlar 
mazkur 
yarimo'tkazgichlarda 
uzoq 
tartibning 
yo'qligidan  hamda  mikrokovaklar  turidagi  ko‘p  nuqsonlarning  borligidan 
kelib 
chiqadi. 
Ular 
xona 
temperaturasida 
pardalar 
elektr 
0
‘tkazuvchanlikka  asosiy  hissa  qo'shadilar.  Mahalliy  hoiatlar  bo'ylab 
elektr  o4kazuvchanlikning  asosiy  mexanizmi  termik  faollanadigan  sak~ 
rama  o^tkaziiYchaiilik 
boiib ,  unda  qatnashuvchi  zaryad  tashuvchilar juda 
past  harakatchanlikka  ega:  clektronlar  uchun  u 
0,01
  -  
0,1
  sin
2
V"ls_1, 
kovaklar  uchun  esa  yana  ham  kichik.  Mahalliy  hoiatlar  zichligi  katta 
(>lO
20
s n r 3),  ular  rekombinatsion  markazlar  boiganligi  uchun  bunday 
yarimo'tkazgichlarda  zaryad  tashuvchilar  yashash  vaqti  juda  kichik. 
Bunday  amorf  pardalar  elektr  o ‘tkazuvchanligini  boshqarish  amalda 
mumkin  emas.  Fermi  sathi  ularning  taqiqlangan  zonasi  oVrtasida
105

joylashgan  va  pardalar  juda  katta  solishtirma  qarshilikka  ega  (
108
  -  Ю
10
Om-sm).
Agar  amorf  kremniy  pardasiga  vodorod  kiritilsa,  ahvol  butunlay 
boshqacha  boiadi.  M alum   bolishicha  ,  vodorodning  amorf kremniyda 
eruvchanligi juda  yuqori,  u  40  — 45%  ga  yetadi.  Amorf kremniyda  erigan 
vodorod 
imkoniy 
boglanishlam ing 
bo‘sh 
joylarini 
toldiradi 
(to‘yintiradi),  oqibatda  bunday  vodorodlangan  («gidridlangan»)  moddada 
taqiqlangan  zonadagi  holatlar  zichligi  keskin  pasayadi  (