Xalkogenid birikmalar negizida avtonom optoelektron qurilmalar yaratish
Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat
Download 16.07 Kb.
|
1 2
Bog'liqIlmiy rahbar taqrizi Yuldashev Shohjahon
- Bu sahifa navigatsiya:
- Tadqiqot natijalarining amaliy ahamiyati
- Ilmiy rahbar: fizika–matematika fanlari doktori, professor K.E.Onarkulov
Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
Uchuvchanligi bilan farqlanuvchi izovalent kirishmalardan foydalanib p–n o‘tishli bir jinsli bo‘lmagan tizimlarni shakllantirish texnologiyasini qo‘llab, vakuumda termik anizatrop bug‘latish va anizatrop o‘tqazish yo‘li bilan rux va kadmiy xalkogenidlari va Sb2Se3dan AFK yupqa pardalar olish amalga oshirildi; binar xalkogenid birikmalarga metall kirishmalar kiritish yo‘li bilan ulardagi metall o‘tkazuvchanlikni orttirish hisobiga, termoEYuKni kuchaytirish mumkinligi ilmiy–texnikaviy asoslangan; issiqlik oqimi bilan boshqariluvchi kuchlanish manbasi vositasida elektr maydoni olishning ilmiy asoslari shakllantirilgan; anizatrop bug‘latish yo‘li bilan dielektrik taglikka olingan xalkogenid legirlangan yarimo‘tkazgich yupqa pardalarida bir jinsli emas sohalar paydo bo‘lishi, ularning uzluksiz qatorlarida esa berkituvchi qatlamlarning hosil bo‘lishi aniqlangan; binar xalkogenid yarimo‘tkazgich yupqa pardalarida anomal fotokuchlanish va fotomagnit kuchlanish effektlari kuzatildi. Effektning elektrofizikaviy va texnik xarakteristikalari o‘rganilgan; yarimo‘tkazgich xalkogenid materiallar asosida issiqlik, yorug‘lik, magnit oqimlari va mexanik ta’sirlar vositasida elektr maydoni olish asoslari shakllantirilgan; noa’nanaviy usulda olingan elektr maydoni vositasida, avtonom energiya talab qilmay ishlaydigan optoelektron asboblar yaratish mumkinligi asoslangan. Tadqiqot natijalarining amaliy ahamiyati: Yuqori fotoelektrik va termoelektrik parametrlarga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgich yupqa pardalar olish texnologiyasini ishlab chiqish, ularning elektrofizikaviy kattaliklarini tadqiq qilish, olingan natijalar asosida optoelektron qurilmalarni tavsiya qilishda o‘z ifodasini topadi. Mavzu doirasida olib borilgan ilmiy – texnikaviy tadqiqotlar natijasida energetik jihatdan mutlaqo avtonom ish rejimiga ega bo‘lgan ixcham, sodda tuzilishga ega bo‘lgan optoelektron asboblar yaratish imkoniyatini beradigan nazariy eksprimental baza paydo bo‘ldi. Yaratilgan ilmiy – amaliy bazaga tayanib, xalq xo‘jaligi, fan va texnikani turli sohalari uchun turg‘un va ko‘chma holatda ishlatish imkoniyatini beradigan o‘lchov, nazorat va boshqaruv tizimlari uchun optoelektron qurilmalar yaratish mumkin. Tana, xona haroratidan ta’minlanib, ishlay oladigan lyumenesent yoritgichlar, tunda ko‘rish moslamalari va axborot uzatish, qayta ishlash optoelektron qurilmalari va boshqalar shular jumlasiga kiradi. Bu yangi qurilmaning qo‘llanilish sohalari juda keng. Yangi optoelektron asboblar tizimining amaliy qiymati yangiligi xalqaro mualliflik huquqini beruvchi sertifikatlar (EC-01-002993, EC-01-003304, EC-01-003305) bilan tasdiqlangan. Tadqiqot natijalarining ishonchliligi umumiy qabul qilingan fizikaviy metodlardan, sertifikatlangan asbob – uskunalardan foydalanilganligi, olib borilgan tajribalarning uslubiy jihatdan sinalgan usullardan va tajribalar davomida halqaro tan olingan metodlardan foydalanilganligi hamda natijalarning qaytariluvchanligi, natijalarning boshqa mualliflarniki bilan son va sifatiy jihatdan yaxshi mos kelishi bilan tasdiqlanadi. Dissertant tayanch doktarant sifatida ilmiy xodim bo‘lib shakllangan, dissertatsiya ishi esa yakunlangan ilmiy tadqiqot ishi bo‘lib, O‘zbekiston Respublikasi Oliy Attestatsiya komissiyasi tomonidan texnika fanlari bo‘yicha falsafa doktori (PhD) talablariga to‘liq mos keladi, ushbu dissertatsiya ishini 01.04.10 “Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” ixtisosligi bo‘yicha Falsafa doktori ilmiy darajasini beruvchi Ilmiy kengash qoshidagi ilmiy seminar muhokamasi uchun tavsiya etib, munozaralar va munosabatlarning ijobiy bo‘lishiga umid qilaman. Ilmiy rahbar: fizika–matematika fanlari doktori, professor K.E.Onarkulov Download 16.07 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
1 2
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling