Yarim o‘tkazgichning muhim xususiyati shundan iboratki, ularda

P-N o`tishning energetic zona diagrammasini keltiring. 
Oldinga yo'naltirish n-tomonning o'tkazuvchanlik zonasida elektron zichligini 
oshiradi. Natijada fermi darajasi yuqoriga ko'tariladi. Xuddi shunday p tomonining 
valentlik bandidagi teshik zichligi oshishi tufayli fermi darajasi pastga qarab 
harakatlanadi. Fermi darajalari va ko'chishiga sabab bo'lgan qo'llaniladigan 
kuchlanish, V tufayli potentsial energiyaga teng bo'lgan eV miqdoriga nisbatan 
almashtiriladi. O'tkazuvchanlik tepaligining balandligi bir xil miqdordagi eV ga 
kamayadi va bo'ladie (Vo− V)e(Vo−V). Xuddi shunday valentlik tepalikning 
balandligi ham bo'ladi− e (Vo− V)−e(Vo−V). Bu ulanish orqali zaryad oqimini 
osonlashtiradi. 

---

Diodlarning belgilanish sxemalarini keltiring. 
Yarimo'tkazgichli diodaning markalanishi qurilmaning asosiy parametrlarining 
qisqartmasi hisoblanadi. Misol uchun, KD196V - 0,3 V gacha bo'lgan buzilish 
kuchlanishiga ega bo'lgan silikon diod, 9,6 kuchlanish, uchinchi rivojlanish modeli. 
Bunga asoslanib: 
Birinchi harf qurilma ishlab chiqarilgan materialni belgilaydi; 
Qurilma nomi; 
Belgilangan manzilni belgilovchi raqam; 
Asbob kuchlanishi; 
Boshqa parametrlarni belgilaydigan raqam (qism turiga bog'liq). 
Diodlarning belgilanish sxemalarini ko`rsating va ta`rifini keltiring 
Diyotlarning turlari 
Yorug'lik chiqaradigan diod 
Lazerli diod 
Ko'chki diodi 
Zener diyot 
Shottki diodi 
Fotodiod 
PN ulanish diodi 
Turli xil diodlar va ularning 
belgilari 
Yorug'lik chiqaradigan diod 
(LED) 
Elektrodlar orasidagi elektr toki ushbu dioddan o'tganda yorug'lik hosil 
bo'ladi. Boshqacha qilib aytganda, yorug'lik etarli miqdorda yo'naltiruvchi oqim 
orqali o'tganda hosil bo'ladi. Ko'pgina diodlarda hosil bo'lgan bu yorug'lik 
ko'rinmaydi, chunki ko'rinishga ruxsat bermaydigan chastota darajalari 
mavjud. LEDlar turli xil ranglarda mavjud. Bir vaqtning o'zida uchta rangni 
chiqaradigan uch rangli LEDlar mavjud. Ochiq rang ishlatiladigan 
yarimo'tkazgichning energiya bo'shlig'iga bog'liq. 
Lazerli diod 
Bu diodning boshqa turi, chunki u kogerent yorug'lik chiqaradi. U kompakt disklar, 
DVD disklar va lazer qurilmalarida keng qo'llaniladi. Ular LEDlar bilan 
solishtirganda qimmat va boshqa lazer generatorlari bilan solishtirganda 
arzonroq. Cheklangan umr - bu diodlarning yagona kamchiliklari. 
Ko'chki diodi 
Ushbu diod teskari yo'nalish turiga tegishli va ko'chki effekti yordamida 
ishlaydi. Voltajning pasayishi doimiy va oqimga bog'liq bo'lmaganda, ko'chkining 
parchalanishi sodir bo'ladi. Ular yuqori sezuvchanlik darajasini namoyish etadi 
va shuning uchun fotosuratlarni aniqlash uchun ishlatiladi. 
Zener diyot 
Bu diodning eng foydali turi, chunki u barqaror mos yozuvlar kuchlanishini 
ta'minlay oladi. Ular teskari yo'nalishda ishlaydi va ma'lum bir kuchlanish kelishi 
bilan buziladi. Agar rezistordan o'tadigan oqim cheklangan bo'lsa, barqaror 
kuchlanish hosil bo'ladi. Zener diyotlari mos yozuvlar kuchlanishini ta'minlash 
uchun quvvat manbalarida keng qo'llaniladi. 
Shottki diodi 
Boshqa silikon PN birikma diodlariga qaraganda pastroq oldinga kuchlanishga 
ega. Past oqim past bo'lgan joyda ko'rinadi va bu bosqichda kuchlanish 0,15 va 0,4 

---

volt oralig'ida bo'ladi. Ushbu samaradorlikka erishish uchun ular boshqacha tarzda 
qurilgan. Schottky diodlari rektifikator ilovalarida juda qo'llaniladi. 
Fotodiod 
Fotodiod yorug'likdan kelib chiqadigan kichik oqim oqimini ham aniqlay oladi. Ular 
yorug'likni aniqlashda juda foydali. Bu teskari chiziqli diyot bo'lib, quyosh 
xujayralari va fotometrlarda ishlatiladi . Ular hatto elektr energiyasini ishlab 
chiqarish uchun ham ishlatiladi. 
PN ulanish diodi 
PN ulanish diodi, shuningdek, rektifikator diodlar sifatida ham tanilgan. Ushbu 
diodlar rektifikatsiya jarayoni uchun ishlatiladi va yarim o'tkazgich materialdan 
iborat. PN ulanish diodi yarim o'tkazgichlarning ikki qatlamini o'z ichiga 
oladi. Yarimo'tkazgich materialining bir qatlami P tipidagi material bilan, ikkinchi 
qatlami esa N tipidagi material bilan qo'llaniladi. Ushbu ikkala P va N tipidagi 
qatlamlarning kombinatsiyasi PN birikmasi deb nomlanuvchi birikmani hosil 
qiladi. Shunday qilib, PN birikma diodining nomi. 
PN ulanish diodi oqimning oldinga yo'nalishda oqishiga imkon beradi va oqim 
oqimini teskari yo'nalishda bloklaydi.
Bipolyar transistor qurilmasi va uning ishlash prinsipi 
Bu tranzistorning eng keng tarqalgan turining nomi. Ular npn va pnp turlariga 
bo'linadi. Ular uchun material ko'pincha silikon yoki germaniydir. Transistorlar 
dastlab germaniydan tayyorlangan, ammo ular haroratga juda sezgir edi. Silikon 
qurilmalar tebranishlarga nisbatan ancha chidamli va ishlab chiqarish arzonroq. 
Quyidagi fotosuratda turli xil bipolyar tranzistorlar ko'rsatilgan. 
Kam quvvatli qurilmalar kichik plastik to'rtburchaklar yoki metall silindrsimon 
korpuslarda joylashgan. Ular uchta simga ega: tayanch (B), emitent (E) va kollektor 
(K) uchun. Ularning har biri n- (erkin elektronlar oqim hosil qiladi) yoki p-tipli 
(musbat zaryadlangan "teshiklar" deb ataladigan oqimni hosil qiladi) 
o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan uchta kremniy qatlamidan biriga ulangan, ulardan 
tranzistorning tuzilishi mavjud. . 
Bipolyar tranzistorning ishlashi p-n o‘tish hodisasiga, unipolyar tranzistorining 
ishlashi esa, bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichning 
o‘tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishga asoslangan. Bipolyar 
tranzistor yarim o‘tkazgich monokristallida ikkita p-n o‘tish sohasini hosil qilish 
asosida yasaladi. Uni o‘tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish 
mumkin. Agar monokristallning elektron o‘tkazuvchanlik hajmi ikki yonidan kavak 
o‘tkazuvchanlik hajmi bilan chegaralangan bo‘lsa, hosil bo‘lgan yassi tranzistor p-
n-p turdagi tranzistor deyiladi. Aksincha, kavak o‘tkazuvchanlik qismi ikkita 
elektron o‘tkazuvchanlik soha orasida bo‘lsa, n-p-n turdagit tranzistor hosil 
bo‘ladi. Kontakt sohasi kichik bo‘lsa nuqtaviy tranzistorlar hosil bo‘ladi(16.8-
rasm.). 16.8-rasm. p-n-p va n-p-n turdagi tranzistorlar. Triodning o‘rta kontaktiga 
nisbatan chap yondagi kontaktiga kichik (voltning bo‘laklariga teng) musbat, o‘ng 
yondagi kontaktiga esa, katta (bir necha o‘n voltgacha) manfiy kuchlanish berilgan 
deb hisoblaylik. Soddalashtirish uchun elektr maydon faqat p-n o‘tishlar 
sohasidagina mavjud deb olamiz. Bunday ulashda chap tomondagi p-n o‘tishning 
potentsial to‘sig‘i kichrayib, o‘ng tomondagi p-n o‘tishniki ortadi. Tranzistorning 
boshqarilish xususiyati shundaki uncha katta bo‘lmagan Ue kuchlanish ta’sirida 
hosil bo‘lgan emitter toki Ie o‘ziga deyarli teng bo‘lgan kollektor toki Ik ni hosil 
qiladi. Bu tok esa teskari ulangan va Ue kuchlanishdan ancha katta bo‘lgan Uk 
kollektor kuchlanishini o’zgartiradi. Bipolyar tranzistorning ishlashi emitterdan 
baza orqali kollektorga zaryad tashuvchilar oqimining o‘tkazilishidan iborat. 
Ikkinchi tomon, tranzistorning strukturasini ikki p-n o‘tishga: emitter-baza va 
kollektor-bazaga ajratsak, birinchi o‘tishga elektr bilan ta’sir etib, ikkinchi 
o‘tishning qarshiligini o‘zgartirishimiz mumkin. Shunga asosan asbobning nomi 
ham ikkita inglizcha so‘z (transfer - o‘zgartirmoq, resistor - qarshilik) dan kelib 
chiqadi. 

---