Yarimoʻtkazgich material kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi

Superbeta-tranzistorda bazaning tok o‘tkazish koeffitsienti 3000 – 6000 atrofida bo‘ladi. Bunday katta o‘tkazish koeffitsientiga bazaning o‘ta yupqaligi tufayli erishiladi. SHu sababli elektrodlardagi kuchlanish kamroq qilib olinadi.
Integral diodlar – tranzistor tarkibi asosida amalga oshiriladi, uchinchi, ishlatilmaydigan elektrod qolgan ikki elektrodlardan biriga ulab qo‘yiladi. IS larda emitter baza oralig‘i diod sifatida ishlatiladi.
22.MAYDONLI TRANZISTORLAR
Maydonli tranzistor – chiqish toki kirish kuchlanishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chiqish tokiga ta’sir qiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil qiladi.
Maydonli tranzistorlarda tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil qilinib, asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zaryad muhim rol o‘ynamaydi. SHu sababli maydonli tranzistor unipolyar tranzistor deb ham ataladi.
Maydonli tranzistorda tokni boshqarish elektr maydon vositasida boshqarilganidan o‘zgarmas tok va past chastotali o‘zgaruvchan toklar uchun tranzistorning kirish qarshiligi juda katta bo‘ladi: 10⁸ – 10¹⁵ Om.
Maydonli tranzistorni tayyorlash texnologiyasi bipolyar tranzistorlarni tayyorlashga nisbatan soddaroq. Bundan tashqari, maydonli tranzistorlar mikrosxemalarda kichik yuzani egallaydi va kam tok iste’mol qiladi. SHu sababli kichik o‘lchamda bir necha mingdan, o‘n mingacha tranzistor va rezistorlarni hosil qilish imkonini beradi.
Maydonli tranzistorlar tayyorlash texnologiyasi va konstruktiv ijrosiga ko‘ra, ikki guruhga bo‘linadi: boshqariladigan r-p o‘tishli va zatvori izolyasiyalangan maydonli tranzistorlar.
Boshqariladigan r-p o‘tishli maydonli tranzistor p⁺ yoki r-
o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristalldan tayyorlanadi. Kristallning qarama-qarshi tomonlaridan ulanish uchlari chiqarilib, ulardan biri chiquvchi (istok), ikkinchisi yutuvchi (stok) deb ataladi. CHiquvchi va yutuvchi oralig‘iga diffuziya usuli bilan r-soha (p-o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristallda) joylashtiriladi. Natijada kristallning shu qismida r-p o‘tish vujudga keladi. Tranzistorning chiquvchi va yutuvchi oralig‘iga E₂ batareya shunday ulanadiki, natijada asosiy tok tashuvchilar chiquvchidan yutuvchi tomonga harakatlanadi. Tok tashuvchi zaryadlar bunda r-p o‘tish orqali emas, balki uning yonidan kanal bo‘ylab oqadi. Ikkinchi E₁ tok manbaini chiquvchi va zatvor oralig‘iga teskari r-p o‘tish hosil bo‘ladigan qilib ulanadi. Natijada r va p- sohalar orasida mavjud bo‘ladigan berkituvchi qatlam kengayadi. Bunda zatvor sohasida zaryadlar konsentratsiyasi kanalga nisbatan katta bo‘lganligidan kambag‘al sohaning kengayishi asosan kanal hisobiga ro‘y beradi. Natijada tok o‘tkazuvchi kanalning ko‘ndalang kesimi kamayadi va shunga muvofiq uning qarshiligi ortadi. Bu esa o‘z navbatida kanal orqali o‘tuvchi tokning kamayishiga olib keladi. 22.1 – rasmda bu kanal shaklining o‘zgarishi uzlukli chizivlar vositasida ifodalangan. SHunday qilib, zatvor tranzistorda boshqaruvchi elektrod bo‘lib xizmat qiladi.
Tranzistor orqali o‘tuvchi tok nolga teng yoki ma’lum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-chiquvchi kuchlanishi