Яримўтказгичларда ток тебранишлари яримўтказгичларда ток нотурғунликларининг ҳосил бўлиши


Download 178.9 Kb.
bet3/3
Sana22.01.2023
Hajmi178.9 Kb.
#1109087
1   2   3
Bog'liq
2 Reje ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАРДА ТОК ТЕБРАНИШЛАРИ

Муаллиф-
лар

Материаллар

Солиштирма қаршилик ρ, ом·см

Ҳарорат оралиғи Т, К

Чегаравий майдон кучланганлиги Е, В/см

Амплитуда I, A

Частота f, Гц

Тебраниш-
нинг ҳосил бўлиш шарти

Виницкий Л.В. ва бошқалар.

CdSe

106

77÷100

102÷103

1·10-1

10-3÷1

λ=2 мкм монохроматик ёруғлик билан ёритилган накалли лампа



Калашников С.Г. ва бошқалар..

CdSe,
CdS

107

150÷220


400÷800


2·10-1

10-1÷5·10-1

накалли лампа билан нурланиш

Корнилов Б.И. ва бошқалар.

Si

105

77

3000

4·10-6

10-1÷3·10-1

λ=2 мкм монохро-
матик нурланиш

Вищакас Ю.К. ва бошқалар.

CdSe

106÷1010

200÷300

200

10-4

10÷103

λ=2 мкм монохро-
матик ёруғлик билан ёритилган накалли лампа

Германова К.С.

CdS

106

270÷340

5·103÷104

2·10-4

10-3÷10-1

λ=0,8 мкм монохро-
матик нурланиш

Хоффман Н.Я
(ГДР)

CdS

106÷108

240÷300

5·102÷6·103

8·10-7

10-3÷10

λ=0,895 мкм монохро-
матик нурланиш

Коет Р. ва бошқалар.
(ГДР)

CdS

106÷107

300

150

10-5

10-3÷10

λ=0,73 мкм монохро-
матик нурланиш



Черемесюк Г.Г

CdS

106÷108

77÷220

4·103÷5·103

3·10-5

10-1÷102

λ=0,73 мкм монохро-
матик нурланиш

АбдиновА.Ш. ва бошқалар..

InSe

105÷106

77÷120

300

10-4

10-1÷102

λ=0,7÷1.9 мкм монохро-
матик нурланиш

АбдиновА.Ш. ва бошқалар.

CdSe

105÷106

77÷135

50÷120

1.4÷10-4

3·10-1÷8·102

λ=0,7÷1.9 мкм монохро-
матик нурланиш

Кальвенае

n-Si

4·102

77

80

2·10-1

3·10-2

λ=0.62 мкм монохро-
матик нурланиш

Иващенко А.И. ва бошқалар.

GaP

108÷109

78

600

1,5÷10-2

1÷10

λ=0,56 мкм монохро-
матик нурланиш

Каваляускен Г.С. ва бошқалар.

ZnSe

105

77÷110

5·103

10-2

10-1÷2·10-1

λ=0,56÷0.62 мкм монохро-
матик нурланиш

Бахадирханов М.К. ва бошқалар.

Si

5·105÷2·106p

77÷200

150÷30

0,3

10-3÷10

J=10-3÷50 накалли лампа билан
λ=1÷3,5 мкм монохро-
матик нурланиш

Бахадирханов М.К. ва бошқалар.

Si

20÷105p

77÷180

150÷20

0,2

10-3÷10

Бахадирханов М.К. ва бошқалар.

Si

103÷105p

77÷140

300÷600

1,0

10-3÷10

Холоняк Н.И.

Si

5,4÷105

300

>103

10-4

103÷106

20÷30

Бахадирханов М.К. ва б.

Si

102÷105

250÷300

250÷350

103÷104

30

10-3÷10-4

§1.3 Яримўтказгичларда ток нотурғунликларининг инжекцион ва рекомбинацион механизмлари


Адабиётлардаги маълумотларни таҳлил қилиш натижасида автотебранишларнинг асосий ҳосил бўлиш шартлари ва ток автотебраниш турларининг ўзига хос хусусиятларини ажратиб кўрсатиш мумкин.


Ҳарорат таъсирида электр токи нотурғунлигини кузатиш учун қуйидаги шартлар бажарилиши керак :
Вольт-амперлик характеристикаси (ВАХ) намуна, манфий дифференциал ўтказувчанликка эга бўлиши шарт.
Автотебраниш фақат намуналарни интеграл ёки монохроматик нур билан ёритилганда кузатилади.
• Ҳарорат электр нотурғунлиги (ҲЭН) пайдо бўлиши учун, намуна ва атрофдаги муҳит ўртасида яхши иссиқлик алмашинуви бўлиши керак.
• Қўйилган доимий электр майдон кучланганлиги, Жоуль иссиқлиги билан намунани қиздириш учун етарлича катта бўлиши керак.
• ҲЭН нинг инфракичик частотали бўлиши ҳам унинг хоссаларидан бири ҳисобланади. Бунда, у катта амплитудага ва чуқур модуляция токига эга бўлади.
Рекомбинацион тўлқинлар (РТ):
Рекомбинацион тўлқин туридаги ток автотебранишларини ҳосил қилиш учун қуйидаги шартлар бажарилиши керак:
•РТ мусбат дифференциал қаршилик мавжуд бўлган вольт-ампер тавсифи соҳасида ва кичик қийматли электр майдон кучланганлиги таъсирида бўлиши керак.
•Асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг концентрацияси ҳар доим бирдан катта бўлиши учун етарлича катта бўлиш керак, бу ерда; .
•электронларнинг дрейф йўли, диффузия йўлидан каттароқ бўлиши ва унда қуйидаги шарт бажарилиши лозим:


(1.1)

бу ерда: τn ва τp электронлар ва тешикларнинг яшаш вақтлари, μn ва Dn мос равишда, электронларнинг ҳаракатчанлиги ва диффузия коэффициенти, Е - қўйилган электр майдон кучланганлиги.


•Рекомбинацион тўлқинларнинг уйғониши ва мавжуд бўлиши учун, намуналарни ёритиш шарт эмас, яъни автотебранишлар қоронғуликда кузатилади.
•Рекомбинацион тўлқини кузатилганда намуна қизимайди ва у T=250-350 K ҳароратда уйғонади.
•Рекомбинацион тўлқинлари жуда юқори частотали ν=103105 Гц, кичик амплитудали Iмах10-510-4 А ва ток тебранишларининг катта модуляция чуқурлиги К1030 % билан тавсифланади.
Инжекцион автотебранишлар:
Инжекцион автотебранишни кузатиш учун қуйидаги шартлар бажарилиши керак:
•Инжекцион автотебранишлар, ток ўсишининг вертикал соҳасидан кейин ёки вольт-ампер тавсифининг манфий (S-ёки N-шаклли) соҳасида кузатилади.
•Намуналарда бойитилган p+ ёки n+ инжекцион контактларни ҳосил қилиш.
•Токнинг инжекцион тебранишини ҳосил қилиш ва уйғотиш учун қўшимча ёруғлик бериш талаб қилинмайди.
•Инжекцион автотебранишлар кузатиладиган структуралар қизимайди ва нисбатан кичик электр майдон кучланганлигида уйғонади.
•Инжекцион тебранишлар учун амплитуданинг қиймати 10-1А, частота интервали f=10-2106 Гц тартибида бўлиши лозим, таянч материалнинг структурасига мос равишда ток тебранишининг модуляция коэффициенти К20100 % қийматига тенг.
Download 178.9 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3



Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling