Z. M. Bobur nomidagi andijon

6-rasm. MDYa tranzistorning olinish texnologiyasi: 1-SiO₂qatlam; 2-polikremniy; 3-legirlangan paynov va manba soxalar.
Epitaksil- planer tranzistorlarda kollektor ikki qatlam yuqoriligi
bazaga tutashuvchi va kichikomli kontaktiga tutashuvchi bo‟ladi.
Tranzistorlarda kichikkomli elektromli epitaksial qatlam o‟stirish bilan olinadi.
Kichik omli taglik n^Q kollektor sohasini hosil qiladi. Baza va emitter sohalar SiO₂ larda tirqish orqali ikkilanma diffuzia usulida tayyorlanadi.Natijada n^Q -p-n-n^Q hajmiy qarshiligi kichik epitaksil kollektor sohasining kichik “C” sig‟imi va kollektor o‟tishi darajada yuqori teshilish kuchlanishga ega bo‟lgan dreyf transistor olinadi 7-rasm.

7-rasm. Epitaksial planar transistor tuzilishi

Hozirgi vaqtda ishlab chiqarishda asosan qo‟sh qutbli tranzistorlarni mezaplanar va epitaksial-planar texnologik usullardan foydalanilmoqda. Mikroelektronikada transistor tuzilmalarini olishning oxirgi texnologiyasi keng qo‟llanilmoqda.
Har qanday yarimo‟tkazgichli asbobni tayyorlashda yarimo‟tkazgich materialning parametrlarga talab qo‟ygan holda amalga oshiriladi.
Undan so‟ng asbobni qo‟llanish talabga ko‟ra tranzistorni tayyorlashda operatsiyalar ketma-ketligi asosida tayyorlanadi.
XULOSA
Ushbu ish qosh qutbli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasiga bag‟ishlangan bo‟lib, o‟rganish natijasida quyidagilarni xulosa qilaman:

1. 
   Tranzistorlar tayyorlaydigan yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari o‟rganildi.Tranzistorlar kremniy, germaniy va arseniz galliydan tayyorlanishi aniqlandi.
   
2. 
   Yarimo‟tkazgichli asboblar tayyorlash uchun monokristallardan foydalanishi e‟tiborga olinib, materiallar olish texnologiyasi o‟rganildi.
   
3. 
   Yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari o‟rganildi va tranzistorlar uchun qaysi material, hamda kremniyli n-p-n- strukturali tranzistor yaxshi effect berish mumkinligi ko‟rsatildi.
   
4. 
   Elektron-kovak o‟tish olish texnologiyasini batafsil yoritildi.
   
5. 
   Tranzistorlarni qotishmali, diffuzion, epitaksial va planar texnologiyasiga asosan olinishi ko‟rsatildi. Planar epiltaksial texnologiya sifatli tranzistorlar yaratishga olib kelish mumkinligi ko‟rsatildi.