Заголовок слайда отсутствует

• т.ф.н., доцент А. Турғунов

• Қарши мухандислик-иқтосодиёт институти
• Физива ва электроника кафедраси

• Саноат электроникаси қурилмалари фани

• 2023 г.

• (Электроника ва асбобсозлик йўналиши)

• 1маъруза

• л1с2

• 1-Ma’ruza. Kirish

• Elektronika - fan va texnikaning yarimo'tkazgichli va elektrovakuumli qurilmalardagi fizik hodisalarni, bu qurilmalarning elektr xarakteristikalari va parametrlarini, shuningdek, ulardan foydalanadigan qurilmalar va tizimlarning xususiyatlarini o'rganadigan fan va texnika sohasidir.

• Elektronika

• Fizikaviy elektronika

• Texnikaviy elektronika

• Radioelektronika

• Sanoat elektronikasi

• Axborot elektronikasi

• Energetik elektronika

• Mikroelektronika

Elektronikani rivojlanish bosqichlari

• 1ma’ruza

• 1 avlod (1904-1950yy.) - Lampalar: 0,001
• 2 avlod (1950-1960yy.) – Diod, tranzistorlar :0,5---
• 3 avlod (1960-1980yy.) – integral mikrosxemalar 50---
• 4 avlod (1980-……yy.) - KIS,O’KIS: 1000---

• 3

• el./sm

• Bell Telefon Laboratoriyasi tadqiqotchilari, Jon Bardin. Uilyam Shokli va Uolter Brattain (chapdan o'ngga) tranzistor effektini kashf etgani uchun 1956 yilda fizika bo'yicha Nobel mukofotiga sazovor bo'lgan. Quyida 1947 yilda namoyish etilgan asbobning sxemasi ko'rsatilgan Brattainning daftaridan olingan rasm.

• Birinchi tranzistor (1947 y.)

• 1ma’ruza

• Dunyodagi birinchi IMS (1958 y. Robert Noys)

• 1-Ma’ruza

• 1-Ma’ruza

• IMS

• 1-ma’ruza

• Intel – 4004 Birinchi mikroprotsessor 1971 y.
• 2250-element
• 11 mks da 4 bitlik ikkita sonni qoshgan

• 1-DXQ(doimiy xotira). 2-OXQ(operativ xotira
• 3-buyruqlar deshifratori. 4-Arifmetik mantiqiy qurilma
• 5-Takt impulslari sxemalari. 6-Kiritish-Chiqarish

• Edvard Xoff

• Intel mikrochip
• proyeksiyasi 5 kv.m
• kristall 38x38 kv. mm
• 275 000 tranzistorlar
• 4 MB xotira

• 8
• 10

• 7
• 10

• 6
• 10

• 5
• 10

• 4
• 10

• 3
• 10

• 70 75 80 85 90 95 2000

• “1 kv.sm ga joylashgan transistor;ar soni xar 19-24 oyda ikki baravariga ortadi”

• Mur qonuni:

Sxemotexnikada modellash

• I=U/R P=U*I=I2 *R=U2/R U=E

• E = 3,5 V I= 0,26 А P= 0,91W R=13.46 Om

• л1с11