Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш

самарадорлиги коэффициенти билан бахоланади [4]. 
Квант самарадорлигини ҳисоблаш формуласи: 
η =1,2410
5
S/ , %, (5.3) 
бу ерда S-сезгирлик, А/Вт; 
-
оптик сигнал тœлқин узунлиги, нм. 
Шу тарзда умумий холда R
ю 
орқали œтаётган электр токининг
œртача 
қиймати қуйидаги формуладан топилади: 

---

78 
I= η q (P/hf)=SP. (5.4) 
Юқори сифатли кремний фотодиодларини квант самарадорлиги 80 % 
етиши мумкин. Лекин фотодиодларни квант самарадорлигини 100% 
бœлишига эришиб бœлмайди[6]. Турли ярим œтказгич ФД материаллари 
учун максимум квант самарадорлигига эришиладиган тœлқин узунликлари 
5.1-
жадвалда берилган [1]. 
5.1-
жадвал 
Турли тœлқин узунликлари фото қабул қилгичларини яратиш 
учун қœлланиладиган элементлар ва материаллар 
Материал 
Қабул қилинадиган тœлқин узунликлари 
диапазони , нм 
Кремний 
Германий 
GaAs 
lnGaAs 
lnGaAsP* 
400-1000 
600-1600 
800-1000 
1000-1700 
1100-1600 
5.2-
расмда эса квант самарадорлигини тœлқин узунлигига бојланиши 
кœрсатилган [1]. 
*-
аралашмалар қœшиш, легирлаш даражасига бојлиқ 
5.2-
расм. Турли материаллар учун квант самарадорлигини тœлқин 
узунлигига бојланиши
0.4 
0.6 
1.0 
1.2 
1.4 
1.6 
1.8 
100 
80 
60 
40 
20 
0.8 
Si 
Ge 
InGaAs 
InGaAsP 
Тœлšин узунлиги  (мкм) 
Кв
ант
са
ма
ра
до
рли
ги
η
(%)

---

79 
Квант самарадорлиги билан бир қаторда сезгирлик ва вақт доимийси 
фото қабул қилгичларнинг асосий характеристикалари ҳисобланади.