Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш

5.1.1. p-i-
n фотодиодлар 
p-i-
n ФД тезкорлиги ва параметрларининг барқарорлиги билан ажралиб 
туради. p-i-n ФД тузилиши (5.3-расм) одатдаги p-n ФД дан фарқ қилади. p-i-n 
ФДда p
+
- 
ва n
+
- 
соҳаларни аралашмалар билан легирланиши жуда юқори 
(+юқори легирланишни билдиради), бу p
+
ва n
+ 
соҳаларни œтказувчанлигини 
оширади. i-соҳага эса аралашмалар камроқ қœшилади.
Электр майдоннинг максимал қиймати i –соҳада ҳосил бœлади. p-i-n
тузилишга тескари силжишли U
0
кучланиш берилади. Ёрујлик i –соҳага 
тушганда, унда электрон-ковак жуфтлиги ҳосил бœлади. Электр майдон 
таъсирида улар тезда бœлиниб ва қарама-қарши йœналишларда œзларини 
электродларига қараб ҳаракатланишади. Электродларни эгаллаб, электр токи 
ҳосил бœлади. p-i-n ФД тузилиши i –соҳадан ташқарида нурланиш 
ютилишини кескин камайтиради (5.3-расм)[4]. 
 
 
 
 
 
 
5.3-
расм. p-i-n турдаги фотодиод ва электр майдон кучланганлигини 
тақсимланиши
 
5.1.2. Кœчкисимон фотодиодлар 
Кўчкисимон фотодиодларни одатий ФДдан асосий фарқи кўчкисимон 
электрон кўпайишга асосланган холда сигналларни ички кучайиши 
n
+ 
p
+ 
R
ю
i 
Е 
 
l 

---

81 
ҳисобланади. Кўчкисимон ФДда p
+
-i-n
+
тузилишга p-соҳа (p
+
-i-p-
n
+
)
қўшилади (5.4-расм)[4].
5.4-
расм. Кœчкисимон ФД тузилиши ва электр майдонини 
тақсимланиши
p-
соҳа энг юқори қаршилик, шунингдек энг юқори электр майдон
кучланганлигига эга бœлиши керак. i-соҳага ёрујлик таъсир қилганда 
электрон-ковак жуфтликлари ҳосил бœлади ва улар бœлиниб, электродларга 
тамон ҳаракат қилади. Эркин электронлар i-соҳадан p-соҳага тушганда, p-
соҳадаги юқори электр майдон кучланганлиги туфайли улар тезлашади. p-
соҳани œтказувчанлик зонасида тезлашган ва етарлича энергияга эга бœлган 
бу дастлабки электронларни атомлар билан урилишидан, яъни зарб 
ионланиш туфайли янги электрон-ковак жуфтликлари ҳосил бœлади. 
Натижада дастлабки электрон-ковак жуфтлиги ҳосил қилган электр токи 
кўчкисимон тарзда ошади. Шунинг учун бу жараён бирламчи фототокни 
кœчкисимон кœпайиши ёки кучайиши дейилади [1]. Фототокни бундай 
ошиши М-кœчкисимон кœпайиш коэффициенти билан характерланади. У 
ҳолда кœчкисимон ФД чиқишидаги ток қиймати (5.4) дан аниқланган 
қийматдан юқори бœлади [4].
I
К.ФД
=М




h
q
Р. (5.8)
Кœчкисимон ФДларда М га пропорционал ҳолда кучаядиган, фойдали 
сигналдан фарқли равишда шовқин тезроқ кучаяди. Шунинг учун 
кœчкисимон кœпайиш коэффиценти М қиймати оптимал, одатда 30 дан 100 
гача оралиқда танланади. М ошган сари, кœчкисимон ФД тезкорлиги 
камаяди[1]. Кремнийли кœчкисимон ФД ларда М=100 да вақт доимийси