Ўзбекистон алоқа ва ахборотлаштириш

p
+ 
p
 
R
ю
i 
Е 
l 
n
+
 
 

---

82 
тахминан 3 мартага ошади, яъни тезкорлиги камаяди, шунчага œтказиш 
полосаси камаяди. Бу камчиликни i-соҳани кучсиз легирланган, бир неча
микрометрли 
π
-
соҳа билан алмаштириш орқали бартараф этиш
мумкин (2.8-расм)[4]. 
2.8-
расм. 
π
-
соҳали кœчкисимон ФД тузилиши ва электр майдонини 
тақсимланиши
2.8-
расмда 
π
-
соҳали кœчкисимон ФД да электр майдони қуйидагича
тақсимланган: 
1- 
эгри чизиқ электр майдон œтиш доирасида ва кœчкисимон кœпайиш
юзага келган холатга мос келади; 
2- 
эгри чизиқ электр майдон p-соҳа чеккасига етган холатни билдиради; 
3- 
эгри чизиқ электр майдон 
π
-
соҳага кирганлигини кœрсатади ва шу соҳада 
генерацияланадиган ташувчиларни ажратадиган майдон яратилади.
Бундай 
π
-
соҳали кœчкисимон ФД лар p-i-n ФД лардака вақт 
доимийсига ва кœчкисимон ФД лардака ички кучайишга эга [4]. Кœчкисимон 
ФД ларни сезгирлиги p-i-n ФД лардан анча юқори бœлиб, ишчи диапазонда 
20-
60 А/Вт ни ташкил этади. Кўчкисимон ФД ларни сезгирлиги юқори 
бœлганлиги учун улар 2,5 ва 10 Гбит/с юқори тезликли тизимларда 
қœлланилади. p-i-n ФД лардан эса кичик тезликли (< 622 Мбит/с) тизимларда 
фойдаланилади. 
2,5 Гбит/с ли ТОА тизимларида JnGaAs/JnP кœчкисимон ФД лардан 
фойдаланиш p-i-n ФД лардан фойдаланишга нисбатан 7 дБ ва 10 Гбит/с
тезликда эса 5-6 дБ ютуққа олиб келиши мумкин [6]. 
Кœчкисимон ФД p-i-n ФД га қараганда юқори ишчи кучланишни талаб 
этади ва кœпайиш коэффициентини ҳароратга сезгирлиги юқори. Бу эса 
керакли ишчи кучланишни ишлаб чиқарувчи махсус электр занжирларни,