Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

Практические результаты исследования: 
впервые разработан новый оригинальный способ диффузионного 
легирования кремневых материалов, не приводящий к изменению их 
исходных электрических и рекомбинационных параметров, также 
позволяющий сохранить данные параметры при последующих термоотжигах 
в широком интервале температур T=100÷1000 ºС; 
определены тип и электрические параметры исходного материала 
кремния и условий диффузии никеля в кремнии, позволяющие получить 
материал со стабильными электрическими параметрами и ВЖННЗ, как в 

---

процессе диффузии, так и в процессе последующих термообработок 
материала в широкой температурной области; 
установлены условия наиболее эффективного геттерирования различных 
«вредных» существующих, а также специально введённых ПА и особенно 
атомов кислорода в кремнии. 
Достоверность 
полученных 
результатов 
исследований 
обеспечивается применением наиболее современных методов исследований, 
хорошо апробированных экспериментальных методов, а также большим 
количеством экспериментальных данных и воспроизводимостью полученных 
результатов; соответствием физической интерпретации экспериментальных 
результатов современным теоретическим представлениям и их сравнением с 
существующими литературными данными. Полученные результаты 
обсуждались на постоянно действующем еженедельном научном семинаре в 
Ташкентском государственном техническом университете с участием 
ведущих научных специалистов (М.К Бахадырханов, Н.Ф Зикриллаев, Х.М 
Илиев, Г.Х Мавлонов, К.С Аюпов. и др.), а также на многих международных, 
республиканских научных семинарах и конференциях. 
Научная и практическая значимость результатов исследования.
Научная значимость исследования заключается в получении 
достоверных 
и 
воспроизводимых 
экспериментальных 
результатов 
существенно расширяющих физику и технологию формирования КПАН в 
полупроводниках, используя новый оригинальный подход к получению 
объемно нано и микро структурированных полупроводников. Впервые 
открыта и установлена физикеский механиз миграции КПАН в КР кремнии.
Практическая значимость результатов исследования заключается в
разработке диффузионной технологии, позволяющей формировать и 
управлять состоянием КПАН, открывающей в перспективе новые 
технологические решения. Это позволяет существенно подавлять генерацию 
термодоноров, которая всегда имеет место при термообработке и приводит к 
существенному изменению удельного сопротивления ρ и особенно ВЖННЗ τ, 
получать кремниевые пластины, которые сохраняют свои исходные 
электрические и рекомбинационные параметры, как при термодиффузии, так 
и при длительном процессе различных дополнительных термообработок 
такого материала (в интервале температур T=100÷1000 ºС). Применение 
разработанного технологического решения имеет особенно большую 
практическую значимость для изготовления более эффективных солнечных 
элементов на основе кремния.