Zbekiston respublikasi

O`ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Elektronika va sxemalar 2 fanidan
Bajardi: Ahmadjonov Umarjon
Talabasi: 040 - 21 - guruh


Toshkent 2023

Ushbu mavzuga koʼra, siz oʼzgarmas kushlanish satxini siljitish uchun yangilikchilik materiallari va texnologiyalarini oʼrganishingiz mumkin. Bu sizga, masalan, sohaning muhim faktorlari, oʼzgarishlarni amalga oshirish uchun kerak boʼladigan qadamlar va texnologiyalar haqida maʼlumot beradi. Sathni siljitish uchun ulugʼ texnologiyalar, masalan, 3D modellashtirish va kompyuterli tasvirlash qurilmalari foydalaniladi. Bu vositalar orqali siz oʼzgarmas kushlanish sathini nazorat qilish, ilgʼorliklarni topish va oʼzgartirish mumkin. Bundan tashqari, umumiy amalga oshirish uchun, umumiy maʼlumotlarni oʼrganish mumkin. Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish uchun oʼzgartirishlarni tashkil etish va nazorat qilishga yordam beradigan muhim boʼlimlar, masalan, injenerlik, fizika, matematika va kompyuter ilmlari koʼrsatiladi. Quyidagi qadamlarni oʼtkazib borishingiz mumkin: Oʼzgarmas kushlanish sathining oʼziga yordam beradigan muhim faktorlarni oʼrganish Sathni nazorat qilish uchun foydalaniladigan texnologiyalarni oʼrganish. Umumiy amalga oshirish uchun, oʼzgartirishlarni tashkil etish va nazorat qilishga yordam beradigan muhim boʼlimlarni oʼrganish Quyidagi oʼrganish va amalga oshirish boʼlimlarida ishlash: injenerlik, fizika, matematika va Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish qurilmasi dasturiy taʼminot muammolari yoki katta karbon emissiyasi bilan bogʼliq energiya resurslarini kamaytirish uchun ishlatiladi. Ushbu qurilma oqsil materialidan quriladi va siljitish uchun hayot elementlarida muhim energiya kamaytirishni talab qilmaydi.Ushbu qurilmani oʼrnatish uchun koʼpchilik mahsulotlar dasturlari va qurilish firmalari mavjud. Shunday qurilmani oʼrnatish boshqa qurilmalarga nisbatan qoʼllaniladigan energiya niqobini kamaytirib, koʼp elektr energiyasini savdogarlik qilish mumkin. Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish qurilmasi, toʼgʼri koʼrsatganda, tepalarni oʼzgarmas kushlanish sathiga tayyorlashda ishlatiladi. Bu yogʼin, muhitga zararli karbon emissiyasini kamaytirish uchun kerakli boʼladi. Oʼzgarmas kushlanish sathida qurilgan oʼzgarmas kushlanish materiallari, yuqori temperaturlarga tahlil qilishga hamda aniqlashga tegishli taqqoslarga ega boʼlishi kerakli. Shunday qilib, ushbu sath oʼz turmush maydonida tepa qilishlari yoki soʼnggi yodgorliklar holatiga kirishini taʼminlash uchun tezroq aloqa yordamida ishlatiladi.
Ushbu qurilma koʼpchilik yodgorliklarda, masalan, bino, mebel, texnika va boshqa mahsulotlarda qurish uchun foydalidir. Ushbu yodgorliklar oʼz turmush maydonida tepa qilish va oqibatda energiya tezroq hosil qilishga moʼljallanadi.Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish qurilmasi, muammoli karbon emissiyasini kamaytirish va ikkinchi qatorda, tezroq energiyani kamaytirish imkonini beradi. Shunday qilib, ushbu yodgorliklar muhitga yoqimlik qilishda xizmat qilishi mumkin.


FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO`YHATI:


1. Каххаров А.А., Холматов Д.А.Рақамли схемотехника асослари. Ўқув қўлланма. Тошкент. Адабиёт учқунлари.
2. X.K. Aripov, A.M.Abdullayev, N.B.Alimova, X.X.Bustanov, Sh.T. Toshmatov Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish

1. 
   BC549BP транзисторининг параметрларини тахлил қилиш
   
2. 
   

Вариантлар	Транзистор тури	База сокин токи Iбс, мкА	Манба кучланиши Ек, В	Коллектор қаршилиги Rк, Ом
12	BC549BP	75	5	1800

1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.
УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни U_кэ = 0 В ва U_кэ = 10 В бўлганида I_б = f(U_бэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм

1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш


Аниқланган I_Б ва U_БЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда U_кэ = 0 В ва U_кэ = 10 В бўлганда I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	824	25	158,5
50	862	50	192,7
75	891	75	219,1
100	918	100	241,5
125	942	125	261,4
150	965	150	279,5
175	988	175	296,3
200	1010	200	312
250	1053	250	341
300	1095	300	367,6
350	1136	350	392,3
400	1177	400	415,5

УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни I_б = const бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)


BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи
I_к = f(U_кэ)

UКЭ	IБ=25 мкА бўлганда	IБ=50мкА бўлганда	IБ=75 мкА бўлганда	IБ=100мкА бўлганда	IБ=125 мкА бўлганда	IБ=150мкА бўлганда
	IК	IК	IК	IК	IК	IК
0	-0,01206	-0,02953	-0,04722	-0,06497	-0,08274	-0,10052
0,5	0,501	0,50198	0,492551	0,480011	0,465957	0,41521
1	0,901	1,045	1,046	1,038	1,027	1,014
2	1,028	1,473	1,811	2,071	2,127	2,131
3	1,042	1,492	1,835	2,121	2,371	2,596
4	1,056	1,512	1,859	2,149	2,402	2,63
5	1,069	1,532	1,883	2,177	2,434	2,664
6	1,083	1,551	1,907	2,204	2,465	2,699
7	1,096	1,571	1,931	2,232	2,496	2,733
8	1,11	1,59	1,955	2,26	2,527	2,767
9	1,124	1,61	1,979	2,288	2,558	2,801
10	1,137	1,629	2,003	2,316	2,589	2,835

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) графигини тузамиз (4-расм).


4-расм.
BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
I_к = f(U_кэ) графиги


1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.
BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи I_б = f(U_бэ) дан, h_11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи U_кэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи I_бс=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.