Zbekiston respublikasi
Download 1.15 Mb.
|
Umarjon
- Bu sahifa navigatsiya:
- Bajardi: Ahmadjonov Umarjon
O`ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti Elektronika va sxemalar 2 fanidan Bajardi: Ahmadjonov Umarjon Talabasi: 040 - 21 - guruh Toshkent 2023 Ushbu mavzuga koʼra, siz oʼzgarmas kushlanish satxini siljitish uchun yangilikchilik materiallari va texnologiyalarini oʼrganishingiz mumkin. Bu sizga, masalan, sohaning muhim faktorlari, oʼzgarishlarni amalga oshirish uchun kerak boʼladigan qadamlar va texnologiyalar haqida maʼlumot beradi. Sathni siljitish uchun ulugʼ texnologiyalar, masalan, 3D modellashtirish va kompyuterli tasvirlash qurilmalari foydalaniladi. Bu vositalar orqali siz oʼzgarmas kushlanish sathini nazorat qilish, ilgʼorliklarni topish va oʼzgartirish mumkin. Bundan tashqari, umumiy amalga oshirish uchun, umumiy maʼlumotlarni oʼrganish mumkin. Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish uchun oʼzgartirishlarni tashkil etish va nazorat qilishga yordam beradigan muhim boʼlimlar, masalan, injenerlik, fizika, matematika va kompyuter ilmlari koʼrsatiladi. Quyidagi qadamlarni oʼtkazib borishingiz mumkin: Oʼzgarmas kushlanish sathining oʼziga yordam beradigan muhim faktorlarni oʼrganish Sathni nazorat qilish uchun foydalaniladigan texnologiyalarni oʼrganish. Umumiy amalga oshirish uchun, oʼzgartirishlarni tashkil etish va nazorat qilishga yordam beradigan muhim boʼlimlarni oʼrganish Quyidagi oʼrganish va amalga oshirish boʼlimlarida ishlash: injenerlik, fizika, matematika va Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish qurilmasi dasturiy taʼminot muammolari yoki katta karbon emissiyasi bilan bogʼliq energiya resurslarini kamaytirish uchun ishlatiladi. Ushbu qurilma oqsil materialidan quriladi va siljitish uchun hayot elementlarida muhim energiya kamaytirishni talab qilmaydi.Ushbu qurilmani oʼrnatish uchun koʼpchilik mahsulotlar dasturlari va qurilish firmalari mavjud. Shunday qurilmani oʼrnatish boshqa qurilmalarga nisbatan qoʼllaniladigan energiya niqobini kamaytirib, koʼp elektr energiyasini savdogarlik qilish mumkin. Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish qurilmasi, toʼgʼri koʼrsatganda, tepalarni oʼzgarmas kushlanish sathiga tayyorlashda ishlatiladi. Bu yogʼin, muhitga zararli karbon emissiyasini kamaytirish uchun kerakli boʼladi. Oʼzgarmas kushlanish sathida qurilgan oʼzgarmas kushlanish materiallari, yuqori temperaturlarga tahlil qilishga hamda aniqlashga tegishli taqqoslarga ega boʼlishi kerakli. Shunday qilib, ushbu sath oʼz turmush maydonida tepa qilishlari yoki soʼnggi yodgorliklar holatiga kirishini taʼminlash uchun tezroq aloqa yordamida ishlatiladi. Ushbu qurilma koʼpchilik yodgorliklarda, masalan, bino, mebel, texnika va boshqa mahsulotlarda qurish uchun foydalidir. Ushbu yodgorliklar oʼz turmush maydonida tepa qilish va oqibatda energiya tezroq hosil qilishga moʼljallanadi.Oʼzgarmas kushlanish sathini siljitish qurilmasi, muammoli karbon emissiyasini kamaytirish va ikkinchi qatorda, tezroq energiyani kamaytirish imkonini beradi. Shunday qilib, ushbu yodgorliklar muhitga yoqimlik qilishda xizmat qilishi mumkin. FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR RO`YHATI: 1. Каххаров А.А., Холматов Д.А.Рақамли схемотехника асослари. Ўқув қўлланма. Тошкент. Адабиёт учқунлари. 2. X.K. Aripov, A.M.Abdullayev, N.B.Alimova, X.X.Bustanov, Sh.T. Toshmatov Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish BC549BP транзисторининг параметрларини тахлил қилиш
1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш. УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади. 1- расм 1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз. BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи
УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм) BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм). 4-расм. BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графиги 1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш. BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбс=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз. Download 1.15 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling