1. Raqamli texnikaning elektron komponentlari atom tuzilishi elektron-ion
Integral sxemalar va mikroprotsessor qurilmalarining xususiyatlari
Download 344.91 Kb. Pdf ko'rish
|
1-маъруза
1.3. Integral sxemalar va mikroprotsessor qurilmalarining xususiyatlari
Har qanday parametmi o‘lchash yoki nazorat qilishda bir qator hollarda oichanayotgan kattaliklaming qiymatlarini elektron asboblar yordamida aniqlash va kuzatib borish bilan bog‘liq bo‘lgan turli operatsiyalarini avtomatik ravishda bajarish zarur bo‘ladi. Bu masalalar mikroprotsessor qurilmalar yordamida hal qilinadi. 0 ‘lchov asboblarida, o‘zgartkichlarda va texnologik o‘lchashlar uchun foydalaniladigan tizimlarda mikro EHM va mikroprotsessorlar qo‘llaniladi. Bu qurilmalaming texnik asosi bitta kristallda 103— 1012 ta elementi boigan katta va o‘ta katta integral sxema (KIS va 0 ‘KIS)lar hisoblanadi. Keyingi paytlarda mikroelektronika va hisoblash texnikasining eng muhim yutug‘i KIS asosidagi mikroprotsessorlami yaratish hisoblanadi. Integral mikrosxemalar (IS)—deb, yagona texnologik jaraenda tayyorlanib, muayyan sxema bo‘yicha ulangan va umumiy plastmassali yoki metall korpusga yaxlit joylashtirilgan va diod, tranzistorlar, kondensatorlar, rezistorlardan tashkil topgan mikroelektronika qurilmalariga aytiladi. Bitta integral mikrosxema yuzlab va undan yuqori miqdordagi diskret elementlar (diod, tranzistorlar, kondensatorlar va boshqalar)dan tashkil topgan elektron sxemaga ekvivalentdir. Integral sxemalar IS (JO2 elementgacha), katta IS (JO4 elementgacha), o‘ta katta IS (104 va undan ko ‘p element) ko‘rinishida bo‘lishi mumkin. IS laming ya.o‘., plenkali va gibrid shakllari mavjud. 12 YArim o'tkazgichli IS larda elementlar va ular orasidagi bog'lanishlar ya.o‘. sirtida va ichida (hajmida) bajariladi Plyonkali /Slar dielektrik asosga vakuum ostida yoki boshqa usul bilan ma’lum konfiguratsiya va turli materiallardan tashkil topgan plyonkalami yopishtirish yo‘li bilan tayyorlanadi. Gibridli (aralash) /Slarda plenkali tcxnologiya usuli bilan tok o‘tkazuvchi metall yo‘lakchalar va maydonchalar dielektrik materialdan yasalgan asosga joylashtirilib, sirtiga mikroelektronika elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar va boshq.) montaj qilinadi.IS laming afzalligi yuqori ishonchlilik, tezkorlik, og‘irligining kamligi, kam energiya talab etishi, bajaraetgan funksiyalarini murakkablashtirish imkoniyatining borligi va boshqalar hisoblanadi. o«—fb t—o kremntr Yuqori elektr e'tkazitvchan kremniy 1.6- rasm. Yarim o ‘tkazgichli kristallda turli elementlarni joylashtirish misollari Hozirgi kunda tranzistorlar asosida yaratilgan mantiqiy IS lar keng tarqalmoqda. Bunday tipdagi IS lardan K133, K155, K511 seriyalari hisoblash texnikalarini va diskret sanoat qurilmalarini avtomatik boshqarish tizimlarini yaratishda keng foydalaniladi. a) 3 i Download 344.91 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling