1-tema: Kirisiw. Yarımótkizgishli material haqqında túsinik hám olardıń dúzilisi. Ótkeriw túrleri (Na’zeriy) Энергетик зоналар

МТ статик характеристикалары
Затвордағы кернеўлик U_ЗИ жәрдеминде сток токи I_C ди басқарыў сток –затвор характеристикасынан анықланады. Бул характеристика транзистордың узатыў характеристикасы деп ҳәм аталады. 5.3 а-сүўретте U_СИ=const болғандағы сток затвор характеристикалар семьясы I_С =f (U_ЗИ) келтирилген.
Сток – затвор характеристикадан көринип турыпты, U_ЗИ=0 болғанда транзистор арқалы максимал ток ағып өтеди. U_ЗИ мәниси артыўы менен канал кесими түсе баслайды ҳәм белгили U_{ЗИ.БЕРК.} мәнисине жеткенде нольге тең болып қалада ҳәм сток токи I_С дерлик нольге тең болып қалады. Транзистор беркиледи. U_СИ артыўы менен характеристика тиккелесе баслайды, бул жағдай канал узынлығының онша үлкен болмаған кемейиўи менен түсиндириледи. Сток–затвор характеристика теңлемеси төмендеги қөриниске ийе болады:
. (5.2)
5.3 б–сүўретте майданлы транзистордың шығыў (сток) характерис-тикалары келтирилген. Сток характеристика - бул белгили U_ЗИ =const мәнислердеги I_С =f (U_СИ) байланыслылық. U_СИ артыўы менен I_С дерлик туўры сызықлы өзгереди (тегис өзгериў режими) ҳәм U_СИ= U_СИ.ТЎЙ. мәнисине жеткенде (б точка) I_С арnыўы тоқтайды.



а) б)
14-tema: P-N birikpesi (Na’zeriy)
Ярым өткизгишли әсбаблардың көпшилиги бир жыныслы болмаған ярым өткизгишлерден таярланады. Жеке жағдайларда бир жыныслы болмаған ярым өткизгиштиң бир тараўы р–түрдеги, екиншиси болса n-түрдеги монокристалдан қуралған болады.
Бундай бир жыныслы болмаған ярым өткизгиштиң р ҳәм n – тараўларының ажыралыў шегарасында көлемли заряд қатламы пайда болады, бул тараўлар шегарасында ишки электр майданы пайда болады ҳәм бул қатлам электрон – ковак өтўи ямаса р-n өтиў деп аталады. Көп санлы ярым өткизгишли әсбаплар ҳәм интеграл микросхемалардың ислеў принципи р-n өтиў қәсийетлерине тийкарланған.
Р-n өтиў пайда болыў механизмин көрип шығамыз. Әпиўайы, n–тараўдағы электронлар ҳәм р– тараўдағы коваклар санын тең деп аламыз. Бундан тысқары, ҳәр бир тараўда онша үлкен болмаған тийкарғы болмаған заряд тасыўшылар муғдары бар. Хана температурасында р–түрдеги ярым өткизгишде акцептор терис (-) ионлардың концентрациясы N_а коваклар концентрациясы р_р ге, n–түрдеги ярым өткизгишде донор оң (+) ионлардың концентрациясы N_d электронлар концентрациясы n_n ге тең болады. Демек, р- ҳәм n–тараўлар ортасында электронлар ҳәм коваклар концентрациясында сезилерли айырмашылық барлығы себепли, бул тараўлар бирлестирилгенде электронлардың р –тараўға, ковакларнинг болса n-тараўға диффузиясы басланады.
Диффузия нәтийжесинде n– тараў чегарасында электронлар концентрациясы оң (+) донор ионлары концентрациясынан аз болады ҳәм бул тараў оң зарядлана баслайды. Бир ўақыттың өзинде р-тараў шегарасындағы коваклар концентрациясы азайып барады ҳәм ол акцептор киритпеси менен компенсацияланған ион зарядлары есабына терис (-) зарядлана баслайды (2.1 –сүўрет). Оң ҳәм терис белгили дөңгелеклер мос рәўиште донор ҳәм акцептор ионларын сәўлелендиреди.
Пайда болған еки көлемли заряд қатламы р-n өтиў деп аталады. Бул қатлам ҳәрекетшең заряд тасыўшылар менен камбағаллаштирилган. Соның ушын оның салыстырма қарсылығы р- ҳәм n– тараў қарсылықларына салыстырғанда жүдә үлкен. Айрым әдебиятларда бул қатлам камбағаллашган ямаса i – тараў (соҳа) деп аталады.
Көлемли зарядлар түрли белгилерге ийе боладылар ҳәм р-n өтиўде кернеўлилиги ге тең болған электр майдан пайда етеди. Тийкарғы заряд тасыўшылар ушын бул майдан тормозлаўшы болып тәсир көрсетеди ҳәм оларды р-n өтиў бойлап еркин ҳәрекет етиўлерине қарсылық көрсетеди. 2.1 б-сүўрет өтиў бетине перпендикуляр болған, Х көшери бойлап потенциал өзгериўи көрсетилген. Бул ўақытда ноль потенциал сыпатында шегаралық тараў потенциалы қабыл етилген.




Сүўретте көринип турғанындай, р-n өтиўде вольтларда анықланатуғын контакт потенциаллар айырмашылығына тең болған потенциал тосық жүзеге шығады. U_K өлшеми дәслпки ярым өткизгиш материал қадаған етилегн зона кеңлиги ҳәм киритма концентрациясына байланыслы болады. р-n өтиў контакт потенциаллар парқы: германий ушын 0,35 В, кремний ушын = 0,7 В.
Р-n өтиў кеңлиги l₀ ге пропорционал болады ҳәм мкмдиң онлық ямаса бирлик бөлимлерин пайда етеди. Тор р-n өтиў пайда етиў ушын үлкен киритма концентарциясы киргизиледи, l₀ ды үлкейтиў ушын болса киритмалар концентрациясы қолланылады.