4- маъруза Дарлингтон жуфтлиги. Уилсон ток кўзгуси схемаси Режа Таркибий транзисторлар

• 4- маъруза
• Дарлингтон жуфтлиги.
• Уилсон ток кўзгуси схемаси

Режа

• Таркибий транзисторлар.
• Уилсон ток кўзгулари схемаси.
• Актив ток трансформатори схемаси.

Таркибий транзисторлар

• Каскадларнинг кучайтириш коэффициентлари ва кириш қаршиликлари учун ифодаларни таҳлил қилиб, уларнинг максимал қийматлари УЭ уланган схемада транзисторнинг дифференциал ток узатиш коэффициенти h21Э=β билан аниқланади деб хулоса қилиш мумкин. h21Э нинг реал қийматлари транзистор тузилмаси ва тайёрланиш технологияси билан аниқланади ва одатда бир неча юздан ошмайди.
• Бир нечта (одатда иккита) транзисторни ўзаро улаб h21Э қийматини ошириш муаммосини ҳал қилиш мумкин. Уланишлар шундай амалга оширилиши керакки, транзисторларни ягона транзистор деб қараш мумкин бўлсин.

Бир турли транзисторга нисбатан схемалар биринчи марта Дарлингтон томонидан таклиф этилган эди, шунинг учун Дарлингтон жуфтлиги ёки таркибий транзистори деб аталади.

• Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг.
• Агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент
• β= β1 ∙β2 = 10000 бўлади.
• Лекин, бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир–бирига тенг бўлади.
• IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1.
• Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди.

Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади. Комплементар БТлар асосидаги Шиклаи таркибий транзистори тузилиши қуйидаги расмда келтирилган.

• Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади. Комплементар БТлар асосидаги Шиклаи таркибий транзистори тузилиши қуйидаги расмда келтирилган.

• Бунда кириш транзистори сифатида p-n-p ўтказувчанликка эга транзистор, чиқиш транзистори сифатида эса n-p-n ўтказувчанликка эга транзистор ишлатилади. Натижавий токлар йўналишлари, расмдан кўринишича, p-n-p транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. Ток узатиш коэффициенти β= β1+ β1 ∙β2 га тенг бўлади ва амалда Дарлингтон транзисторининг β сига тенг бўлади.

• Таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши ҳам мумкин. Кейинги расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак қувват бўйича ҳам, жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.

МТ ва БТдан иборат таркибий транзистор

Уилсон ток кўзгуси схемаси

• Схемада бошқарувчи VT1 ва VT2 транзисторларнинг база токлари қарама - қарши йўналган.
• VT1 ва VT2 транзисторлар эгизак. Уларнинг ишлаш режимлари бир – бириникидан коллектор – база кучланиш бўйича фарқ қилади. VT1 транзисторнинг коллектор – база кучланиши VT2 транзисторнинг эмиттер – база кучланишига тенг, яъни қиймати кичик. VT2 транзисторнинг коллектор– база кучланиши эса R резистордаги ва RЮ занжирдаги кучланиш пасайишлари билан аниқланади ва сезиларли даражада катта бўлиши мумкин.

• Лекин, база токи коллектор – база кучланиши қийматига суст боғланган, шунинг учун IБ1= IБ2. Эмиттер токлари ҳам содда БТГ схемасидаги ҳолат сабабларига кўра бир – бирига тенг IЭ1= IЭ3. Натижада
• Бу ифодадан содда БТГ схемада кириш ва чиқиш токларининг қайтарилиши Уилсон ток кўзгулари схемадагига қараганда юқорироқлиги кўриниб турибди.

• Қатор интеграл схемаларда таянч токи I1 (I2 << I1) қиймати катта бўлган кичик токли БТГлар талаб этилади. Ушбу ҳолларда содда БТГнинг такомиллашган схемасидан фойдаланилади.
• Бу схема ток трансформатори схемаси деб аталади. Унинг учун
• ифода ўринли.
• Идеаллаштирилган ўтиш ВАХ дан фойдаланиб,
• ёзиш мумкин.

• I2 токнинг берилган қиймати асосида юқоридаги ифодадан фойдаланган ҳолда RЭ резисторнинг қаршилигини топиш мумкин

• Ушбу схема соддалигига қарамасдан, температура бўйича барқарорликни яхши таъминлайди, чунки RЭ резистор орқали манфий ТА га эга.
• Ҳисоблашлардан температура бир градусга ўзгарганда токнинг нобарқарорлиги ∆I2=2,5 мкА ни ташкил этиши маълум.
• Бундан ташқари, RЭ=1 кОм (статик қаршилик) бўлганда БТГнинг динамик қаршилиги 1 МОмга яқин бўлади.

• Эътиборингиз учун рахмат