6-Laboratoriya ishi Topshirdi: Abdukarimov Abdushukur. Toshkent 2020

Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати

Берилган параметр: EП=V1=14 В Iу=12 мА, Uзи=2В.

Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар:

R1 қаршиликни ҳисоблаш. Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R1 қаршиликни ҳисоблаш.

Кремнийдан тайёрланган транзисторларда UБЭ=0,6….0,8 В гача бўлади. R1 ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин. Бунда, UБЭ=0,7В.
𝑅1 =

𝑅₁ = = *10³ = 833 Om

Ишни бажариш.

Келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни 6.2 – жадвални тўлдиринг:

6.2 – жадвал.

Rн,кОм	0	0.1	0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7
URН, В	0.00023	1.189	2.378	3.567	4.756	5.944	7.133	8.322
IН, мА	11.95	11.95	11.958	11.95	11.958	11.95	11.95	11.95
δ, %	0.42	0.42	0.35	0.42	0.35	0.42	0.42	0.42

Rн,кОм	0.8	0.9	1	1.1	1.2	1.3	1.4	1.5
URН, В	9.511	10.699	11.792	11.922	11.952	11.97	11.985	11.997
IН, Ма	11.95	11.95	11.958	11	9.9	9.2	8.5	7.9
δ, %	0.42	0.42	0.35	8.33	17.5	23.3	29.1	34.2

Олинган натижаларга ишлов бериш.

Симуляция нитижасида ток оқими хатолигини ҳисоблаш. Биринчи ҳисоблашда ток оқими хатолигини 0,42% ни ташкил этди. Симуляцияни биринчи марта ишга туширганда Iу бошқарувчи ток оқими хатолиги 3% гача бўлиши мумкин.
*100% Бу ерда, Iу ток вариант бўйича, 𝐼из ток олчаб олинади


Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: 𝛿 =

𝛿₁ = = =0.42 %

𝛿₂ = = =0.42 %

𝛿₃ = = =0.35 %

𝛿₄ = = =0.42 %

𝛿₅ = = =0.35 %

𝛿₆ = = =0.42 %

𝛿₇ = = =0.42 %

𝛿₈ = = =0.42 %

𝛿₉ = = =0.42 %

𝛿₁₀ = = =0.42 %

𝛿₁₁ = = =0.35 %

𝛿₁₂ = = =8.33 %

𝛿₁₃ = = =17.5 %

𝛿₁₄ = = =23.3 %

𝛿₁₅ = = =29.1 %

𝛿₁₆ = = =34.2 %
6.3-расмдаги схема учун юклама қаршилиги максимал қиймати Rн=1,2кОм аниқланг, бунда ток кўзгуси чиқиш токи 𝐼н = 11.4 мА қиймати кириш ток қиймати 𝐼у = 12мА дан 5 фоизга фарқ қилади ва бу нуқтани графикларда кўрсатилди. Бунда, 𝑈н = 13,743 В ни ташкил этди.
𝛿₁ = = = 5 %



NI-Multisim дастурий муҳитида ток кўзгуси чиқиш токи қиймати кириш ток қийматидан 8.33 фоизга фарқ қилгандаги олинган қийматлар.
Олинган натижалар асосида қуйидаги графиклар чизилади:

1)Iн=f(R_Н); 2)Iн=f(U_RН); 3)δ=f (R_Н).

Iн=f(R_Н)



Iн=f(U_RН)



δ=f (R_Н)


ХУЛОСА

Ushbu laboratoriya ishini maydoniy tranzistorda yasalgan ikki va uch tranzistorli tok ko`zgusi sxemasi va uning ishlash prinsiplari bilan tanishib chiqdim. Olingan natijalarga ko`ra quyidagicha xulosa chiqardim:

• 
  R_H qarshilik ma`lum bir qiymatga yetguncha Iн tok o`zgarishsiz qoladi va R_H yetarli qiymatga erishganda R_H ortgani sari Iн tok kamayib boradi. Iн=f(R_H) grafiklarga asosan;
  
• 
  U_RН qarshilik ma`lum bir qiymatga yetguncha Iн tok o`zgarishsiz qoladi va U_RН yetarli qiymatga erishganda U_RН ortgani sari Iн tok kamayib boradi. Iн=f(U_RН) grafiklarga asosan;
  
• 
  R_H qarshilik ma`lum bir qiymatga yetguncha δ xatolik o`zgarishsiz qoladi va R_H yetarli qiymatga erishganda R_H ortgani sari δ xatolik ortib boradi. δ=f (R_Н) grafiklarga asosan;