Qidiruv: БИПОЛЯР
Метод биполярного кодирования с альтернативной инверсией (AMI)- Методы передачи дискретных данных на физическом уровне
Биполяр транзистор (БТ)лар ҳақида умумий маълумотларни тушунтириб беринг?
- Тошкент Ахборот технологиялари Университети Фарғона филиали 714-18 гурух талабаси Хабилов Икромжон Даминовични
Принцип работы усилительного каскада на биполярном транзисторе в активном режиме
- Электр сигналларини кучайтиргичи
Биполяр транзистор физик параметрлари
- Транзисторлар умумий маълумотлар Биполяр транзистор
биполяр транзисторлар параметрлари ва моделлари
- Тошкент ахборот технологиялари университети самарқанд филиали
Физические параметры биполярных транзисторов
- Бп транзисторы
Схемы включения биполярных транзисторов
- Самостоятельная работа по предмету: Физические основы компьютера на тему: Транзистор Принял
Сулфаниламид препаратлари асосини сулфанил кислотаси яъни п- аминобензолсульфо кислотаси ташкил килади. Сульфонил кислотасини анилинни сульфолаб олинади ва у биполяр ион холида мавжуд булади
- Органик кимёнинг тарихи. А. М. Бутлеровнинг кимёвий тузилиш назарияси. Изомерия
 | Биполяр транзисторлар (БТ) Режа Uэб, Uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда, транзистор 0.58 Mb.  1 | o'qib |
 | 8 -амалий иш Бажарди: Текширди: Тошкент 2017 биполяр транзисторлардаги радиоузаткичларнинг қувват кучайтиргичларини ҳисоблаш Uк. Рух – мос коллектор таъминоти кучланиши ва рухсат этиладиган коллектор-эмиттер кучланиши 32.11 Kb. 1 | o'qib |
| Мустақил иш №1 Мавзу: “Умумий эмиттер схемасида уланган биполяр транзистор асосидаги кучайтириш каскадини ҳисоблаш” R резистор транзистор ўтишини еп манбадан чегаралайди. Uвых сигнали I ток ўзгариши ҳисобига ҳосил қилинади (1– расм) 247.26 Kb. 3 | o'qib |
| МУҲаммад ал-хоразмий номидаги тошкент ахборот технологиялари университети электроника ва радиотехника кафедраси “Электроника ва схемалар 2” фанидан 1- мустақил иш Мавзу «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш» 414.7 Kb. 7 | o'qib |
| Mustaqil ish Mavzu: “Umumiy emitter sxemasi bo`yicha yig`ilgan bipolyar tranzistorni kirish va chiqish xarakteristikalarini aniqlash” N3055A биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш 0.96 Mb. 1 | o'qib |
 | Биполяр транзистор (БТ). Таърифи стуктураси ва ишлаш принципи Эмиттерли ўтиш тўғри йўналишда силжийди, а коллетрли эса тескари (аксинча). Айтишларича бу ҳолатда транзисторнинг кучайтирувчи хусусияти номоён бўлганда, у актив ёки нормал режимда фаолият кўрсатади 42.5 Kb. 1 | o'qib |
| «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характеристикаларини аниқлаш» Mantiqiy elementlar raqamli sxemalarda va, yoki, emas va hokazo kabi mantiqiy amallarni bajarish uchun foydalaniladigan elektron komponentlardir 305.1 Kb. 1 | o'qib |
| 2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 116.65 Kb. 1 | o'qib |
| 2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 197.51 Kb. 1 | o'qib |
| O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagitoshkent axborot texnologiyalari universiteti «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш» 0.69 Mb. 1 | o'qib |
| Ўзбекистон республикаси ахборот ва коммуникацион технологияларини ривожлантириш вазирлиги Uкэт – биполяр транзисторнинг тўйиниш кучланиши (ҳар хил типдаги тарнзистор учун ҳар хилда бўлади, кўпгина ҳолларда 2 дан 8В гача), ўрганилаётган холатда 4В қилиб оламиз 353.81 Kb. 1 | o'qib |
| Ўзбекистон республикаси ахборот ва коммуникацион технологияларини ривожлантириш вазирлиги Uкэт – биполяр транзисторнинг тўйиниш кучланиши (ҳар хил типдаги тарнзистор учун ҳар хилда бўлади, кўпгина ҳолларда 2 дан 8В гача), ўрганилаётган холатда 4В қилиб оламиз 1.26 Mb. 3 | o'qib |
| «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш» N2712биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш 368.3 Kb. 2 | o'qib |
| Биполяр транзистор физик параметрлари Cтатик ва дифференциал кучайтириш коэффициентлари бир биридан фарқ қиладилар, шу сабабли талаб қилинган ҳолларда улар ажратилади. Ток бўйича кучайтириш коэффициентининг коллектордаги кучланишга боғлиқлиги Эрли эффекти билан тушунтирилади 0.56 Mb. 6 | o'qib |
| Аборатория иши №2 Умумий эмиттер уланиш схемасидаги биполяр транзисторнингнинг статик Вольт-ампер характеристикаларини тадқиқ этиш Iб=f(uбэ)) ва чиқиш характеристикалари оиласи (яъни iб=cонст бўлганда, iк=f(uкэ)) ва h-параметрларни кириш ва чиқиш хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин 4.17 Kb. 1 | o'qib |