Тошкент ахборот технологиялари университети самарқанд филиали

3. БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛАР ПАРАМЕТРЛАРИ ВА МОДЕЛЛАРИ.


Режа:

1. 
   БТлар физик параметрлари. БТлар чизикли турткутблик сифатида. БТнинг чизикли ва ночизикли моделлари.
   
2. 
   БТларнинг Эберс-Молл модели. БТ h-параметрлари. БТ характерис- тикалари ва параметрларининг температурага боғлиқлиги.
   
3. 
   БТнинг частота хусусиятлари. БТлар хусусий шовкинлари. Транзистор тешилиши ва унинг баркарор ишлаш соҳасини кенгайтириш усуллари.
   

3.1 БТлар физик параметрлари. БТлар чизикли турткутблик сифатида. БТнинг чизикли ва ночизикли моделлари.
Ток бўйича ва коэффициентлар статик параметрлар ҳисобланади, чунки улар ўзгармас токлар нисбатини ифодалайдилар. Улардан ташқари ток ўзгаришлари нисбати билан ифодаланидиган дифференциал кучайтириш коэффициентлари ҳам кенг қўлланилади. Cтатик ва дифференциал кучайтириш коэффициентлари бир биридан фарқ қиладилар, шу сабабли талаб қилинган ҳолларда улар ажратилади. Ток бўйича кучайтириш коэффициентининг коллектордаги кучланишга боғлиқлиги Эрли эффекти билан тушунтирилади.
УЭ схемаси учун ток бўйича дифференциал кучайтириш коэффициенти
температурага боғлиқ бўлиб база соҳасидаги асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг яшаш вақтига боғлиқлиги билан тушунтирилади. Температура ортиши билан рекомбинация жараёнлари секинлашиши сабабли, одатда транзисторнинг ток бўйича кучайтириш коэффициентининг ортиши кузатилади.
Транзистор характеристикаларининг температуравий барқарор эмаслиги асосий камчилик ҳисобланади.
Юқорида кўриб ўтилган ток бўйича узатиш коэффициентидан ташқари, физик параметрларга ўтишларнинг дифференциал қаршиликлари, соҳаларнинг ҳажмий қаршиликлари, кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициентлари ва ўтиш ҳажмлари киради.
Транзисторнинг эмиттер ва коллектор ўтишлари ўзининг дифференциал қаршиликлари билан ифодаланадилар. Эмиттер ўтиш тўғри йўналишда силжиганлиги сабабли, унинг дифференциал қаршилиги r_Э ни ифодани қўллаб аниқлаш мумкин:
, (5.1).
бу ердаI_Э – токнинг доимий ташкил этувчиси. У кичик қийматга эга (ток 1 мА бўлганда r_Э=20-30 Ом ни ташкил этади) бўлиб, ток ортиши билан камаяди ва температура ортиши билан ортади.
Транзисторнинг коллектор ўтиши тескари йўналишда силжиганлиги сабабли, I_К токи U_КБ кучланишига кучсиз боғлиқ бўлади. Шу сабабли коллектор ўтишнинг дифференциал қаршилиги =1Мом бўлади. r_К қаршилиги асосан Эрли эффекти билан тушунтирилади ва одатда у ишчи токларнинг ортиши билан камаяди.
База қаршилиги r_Б бир неча юз Омни ташкил этади. Етарлича катта база токида база қаршилигидаги кучланиш пасайиши база ва эмитттер ташқи чиқишлари кучланишига нисбатан эмиттер ўтишдаги кучланишни камайтиради.
Кичик қувватли транзисторлар учун коллектор қаршилиги ўнлаб Ом, катта қувватликлариники эса бирлик Омларни ташкил этади.
Эмитттер соҳа қаршилиги юқори киритмалар концентрацияси сабабли база қаршилигига нисбатан жуда кичик.
УБ схемадаги кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти (I_Э = const бўлганида) каби аниқланади, УЭ схемасида эса (I_Б = const бўлганида) орқали аниқланади. Коэффициентлар абсолют қийматларига кўра деярли бир – хил бўладилар ва концентрация ва транзисторларнинг тайёрланиш технологиясига кўра = 10^-2 -10^-4 ни ташкил этадилар.
Биполяр транзисторларнинг хусусий хоссалари асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг база орқали учиб ўтиш вақти ва ўтишларнинг тўсиқ сиғимларининг қайта зарядланиш вақти билан аниқланадилар. Бу таъсирларнинг нисбий аҳамияти транзистор конструкцияси ва иш режимига, ҳамда ташқи занжир қаршиликларига боғлиқ бўлади.
Жуда кичик кириш сигналлари ва актив иш режими учун биполяр транзисторни чизиқли тўртқутблик кўринишида ифодалаш мумкин ва бу тўртқутбликни бирор параметрлар тизими билан белгилаш мумкин. Бу параметрларни h–параметрлар деб аташ қабул қилинган. Уларга қуйидагилар киради: h₁₁ – чиқишда қисқа туташув бўлган вақтдаги транзисторнинг кириш қаршилиги; h₁₂ – узилган кириш ҳолатидаги кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти; h₂₁ –чиқишда қисқа туташув бўлган вақтдаги ток бўйича кучайтириш (узатиш) коэффициенти; h₂₂ –узилган кириш ҳолатидаги транзисторнинг чиқиш ўтказувчанлиги. Барча h – параметрлар осон ва бевосита ўлчанади.
Электроника бўйича аввалги адабиётларда кичик сигналли параметрларнинг частотавий боғлиқликларига жуда катта эътибор қаратилган. Ҳозирги вақтда 10 ГГц гача бўлган частоталарда нормал ишни таъминлайдиган транзисторлар ишлаб чиқарилмоқда. Бундай холларда талаб қилинаётган частота характеристикаларини олиш учун маълумотномадан керакли транзистор турини танлаш керак.
Транзисторнинг чизиқли динамик модели уни чизиқли актив тўрт қутблик билан тенглаштиришга асосланади. Киришда кучланиш U₁ва токI_{1 ,} чиқишда кучланиш U₂ва токI₂таъсир этаётган қурилматўрт қутбликни ташкил этади (4.18-расм).

5.1-расм. Транзисторни чизиқли тўрт қутблик сифатида кўрсатилиши.

Унинг U₁, U₂, I₁,I₂ параметрларга нисбатан иккита ички боғланишлар тенгламасини ёзиш мумкин.
Агар транзистор ток билан бошқарилса, ихтиёрий ўзгарувчи сифатида кириш токи I₁ ва чиқиш кучланиши U₂ танланади. Унда тўрт қутблик тенгламаси, яъни транзисторнинг чизиқли математик модели қуйидаги кўринишга эга бўлади:
. (5.2)
Ихтиёрий ўзгарувчилар олдидаги ҳусусий ҳосилалар, гармо-ник тебранишлар таъсир этган ҳолда, h₁₁ , h_{12 ,} h_{21 ,} h₂₂ белгилар билан белгиланади ва h – параметрлар деб аталади. Параметрлар турли ўлчамларга эга ва шунинг учун улар гибрид параметрлар тизими деб аталади.
– транзисторнингкириш дифференциал қаршилиги бўлиб, БТ чиқишидаги кучланишнинг ўзгарувчан ташкил этувчиси қисқа туташтирилганда (dU₂ = 0, «қисқа туташув» режи-мида) аниқланади;
– транзисторнинг кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти бўлиб, токнинг ўзгарувчан ташкил этувчиси учун кириш узилганда (dI₁ = 0, «салт юриш» режимида) аниқланади;
– транзисторнинг ток бўйича дифференциал узатиш коэффициенти бўлиб, чиқиш ўзгарувчан ток бўйича қисқа туташтирилганда (dU₂=0, «қисқа туташув» режимида) аниқланади;
– транзисторнинг дифференциал ўтказувчанлиги бўлиб, токнинг ўзгарувчан ташкил этувчиси учун кириш узилганда (dI₁ = 0, «салт юриш» режимида) аниқланади.
Параметрларнинг белгиланишларида индексдаги биринчи сон 1 бўлса, иккала орттирма кириш занжирига, биринчи сон 2 бўлса, чиқиш занжирига тегишли эканини англатади. Учинчи индекс б, э, клар орқали транзисторнинг уланиш схемаси кўрсатилади.