Тошкент ахборот технологиялари университети самарқанд филиали

Параметр	УЭ уланган схемада
УБ уланган схемада
h11	0,1 ÷ 10 кОм	1 ÷ 100 Ом
h12	10^-3 ÷ 10^-4	10^-2÷ 10^-4
h21	20 ÷ 1000	0,950 ÷ 0,998
1/h22	1 ÷ 10 кОм	0,1 ÷ 10 МОм

Одатда, маълумотномаларда h – параметрларнинг УЭ уланган схема учун қийматлари келтирилади. h – параметрлар орасидаги муносабатлар 5.2-жадвалда келтирилган.

5.2-жадвал

БТ дифференциал параметрлари орасидаги муносабатлар 5.3-жадвалда келтирилган.
5.3-жадвал

Бу ерда, , .

Эберс-Молл бўйича БТнинг чизиқли динамик модели. УБ уланган БТ нинг кичик сигнал режими учун модели 5.3-расмда келтирилган. Унда ночизиқли Эберс-Молл моделидаги VD1 ва VD2 диодларни қаршилиги эмиттер ва коллектор ўтишларнинг дифференциал қаршиликларига тенг бўлган r_Эва r_К резисторлар билан алмаштирилган.

5.3-расм. УБ уланган БТ нинг кичик сигнал модели.

Аналог схемалар тўйиниш режимида ишламаганлиги сабабли схемадан ток манбаи олиб ташланган. БТ вақт давомида ўзгарувчи сигналлар билан ишлагандаги инерция хусусиятлари конденсатор С_ЭБ, С_КБ, С_КДФ лар ёрдамида акс эттирилган. Ҳар бир конденсатор сиғими р-n ўтишларнинг диффузия ва барьер сиғими йиғин-дисидан ташкил топади:

; .
Аммо С_КДФ актив режимда С_КБ га нисбатан кичик, шу сабабдан ушбу сиғим моделга киритилмаган. Маълумотномаларда келтирилишига мувофиқ турли транзисторлар учун ҳажмий қаршиликлар R_Б = 50÷200 Ом, R_К = 5÷20 Ом, R_Э ≈ 0 ларни ташкил этади. R_К ваR_Эамалда эмиттер ва коллектор ўтишларнинг қаршилигини акс эттиради. R_Энинг қиймати жуда кичик бўлгани сабабли у схемага киритилмаган.
Моделда аниқланиши зарур бўлган параметрлар сони бештани ташкил этади: r_Э , r_К , С_Э , С_{К ,} .Эмиттер ва коллектор ўтишларнинг r_Эва r_К қаршиликларининг қийматлари R_Э ва R_К қийматларига тенг бўлмаслиги мумкин, сиғимлар С_Э С_К=1÷10 пФни ташкил этади, маълумотномаларда кўрсатилади. Маълумотномаларда, одатда, r_Эва r_К қийматлари келтирилмайди, шунинг учун улар транзисторнинг h–параметрлари ёрдамида ҳисоблаб топилади:
; .
формуладан келтириб чиқарилган ифодани дифференциаллаб r_Эни ҳисоблаш мумкин:
, (5.4)
бу ерда, I_Э – эмиттер токининг ўзгармас ташкил этувчиси. Хона температурасида =0,026 В бўлгани учун, I_Э=1 мА бўлганда r_Э=26 Ом ни ташкил этади.
КЎнинг дифференциал қаршилиги
(5.5)
ифода орқали топилади.
Кичик сигнал моделида узатиш коэффициенти дифференциал бўлмоғи керак, яъни U_КБ=0 бўлганда орттирмалар орқали аниқланиши керак. Интеграл узатиш коэффициенти нинг қиймати нинг қийматидан кам фарқлангани учун бундан буён ёзилганда қўшимча индекс тушириб қолдирилади.
Берилган кириш катталиги сифатида база токи хизмат қилганда (УЭ уланганда), бошқа эквивалент схема (5.4-расм)дан фойдаланилади. Бунда коллектор занжиридаги ток манбаига мувофиқ база токи билан бошқарилади.

5.4-расм. УЭ уланган БТнинг кичик сигнал модели.

αI_Эбилан белгиланган ток манбаини βI_Б га алмаштирилганда КЎ қаршилиги r_К ни кичик қиймат
.
га, С_КБ сиғимни эса,

катта қийматга алмаштириш зарур.
Бунда база токини узатиш коэффициенти β = h_21Э ҳам дифференциал бўлиб, унинг қиймати интеграл β коэффициент қийматига яқин бўлади. Шунинг учун у алоҳида белгиланмайди.