Qidiruv: РЕЗИСТОР

) Ишга тушириш ва ростлаш реостатларининг резисторлари
- Электр ёйи. Ёй сўндириш камераси
Берилган: Е=6В, R1= 6 Ом Кирхгофни 2 қонуни бўйича тенглама тузинг ва резисторлардаги кучланишлар тушишини аниқланг. Вариант № 19
- Мустақил иш №1 Изоҳ
- Схеманинг асосий пассив элементлари (резисторлар, индуктивлик ғалтаклар, конденсаторлар) нинг белгиланиши ва хусусиятлари. Ом қонуни ва қувват
- Birinchi bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik galtaklari, lar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga oxshash) passiv elementlardan iborat edi. Ikkinchi bosqich
Фоторезисторлар
-
Резистор турлари ЭЛЕКТР СИҒИМ
- 4- маъруза Электр занжирларнинг асосий элементлари
Рис .2. Общий вид и габаритные размеры блока резисторов. Масса (5,5+0,5) кг
- Общая часть Технологические особенности сварки стали
Қўшимча резисторлар
- 5-машғулот масштабли ўзгартгичлар, уларнинг ишлатилиши ўлчаш ўзгарткичлари
 средства, повышающие резистентность организма к вирусу
- Лекция №1. Общая фармакология. Фармакология
Резисторлар ва уларга қўйиладиган асосий талаблар ҳамда уларнинг турлари
- Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги ислом каримов номидаги
6- лаборатория иши6- лаборатория иши
C манбасига уланади. Кутиш режими киришида ва резистор р ва манба палласида Р1 -р2 резистор бўлувчиси томонидан таъминланади. Кириш волтажи C1 изоляция конденсатори орқали киришга этказиб берилади ва чиқиш кучланиши C2 изоляция конденсатори орқали манбадан
47.46 Kb. 1
o'qib
Кўприксимон ва компенгсацияловчи ўлчаш услублариКўприксимон ва компенгсацияловчи ўлчаш услублари
Rx = R1 – номаълум қаршилик; R3, R4 – нисбат елкалари; R2 – солиштириш елкаси– ростланувчи резистор
24.56 Kb. 1
o'qib
Основные параметры дуОсновные параметры ду
R4’ и R4’’, которые иногда объединяют в общий переменный или подстроечный резистор, сопротивление которого составляет
86.47 Kb. 1
o'qib
Исследование характеристик и параметров интегрального усилителяИсследование характеристик и параметров интегрального усилителя
S r1 и s r2 разделяют каскады переменного тока. Резистор R3 обеспечивает поток зарядов в цепи
Исследование 0.98 Mb. 3
o'qib
ФоторезисторыФоторезисторы
Ldr это резистор, электрическое сопротивление которого изменяется под влиянием световых лучей, падающих на светочувствительную поверхность
1.67 Mb. 1
o'qib
1. Тўла бошқарилувчи тиристор gto thyristor модели қандай элементлардан ташкил топган?1. Тўла бошқарилувчи тиристор gto thyristor модели қандай элементлардан ташкил топган?
D кетма-кет уланган резистор Ron, индуктивлик Lon, доимий кучланиш манбаси Vf, калит sw ва бошқарувчи электроддан иборат
15.87 Kb. 1
o'qib
2. Эмиттерлари боғланган мантиқ. Мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар Комплементар инверторлар2. Эмиттерлари боғланган мантиқ. Мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар Комплементар инверторлар
Vt1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (И), кучланиш манбаи билан r резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди
28.09 Kb. 6
o'qib
Лабораторная работа №3 Исследование операционных усилителейЛабораторная работа №3 Исследование операционных усилителей
R2 параллельной обратной связи по напряжению. Неинвертирующий вход связан с общей точкой входа и выхода схемы (заземляется). Входной сигнал подается через резистор R1 на инвертирующий вход оу
Лабораторная работа 217.31 Kb. 2
o'qib
Мустақил иш №1 Мавзу: “Умумий эмиттер схемасида уланган биполяр транзистор асосидаги кучайтириш каскадини ҳисоблаш”Мустақил иш №1 Мавзу: “Умумий эмиттер схемасида уланган биполяр транзистор асосидаги кучайтириш каскадини ҳисоблаш”
R резистор транзистор ўтишини еп манбадан чегаралайди. Uвых сигнали I ток ўзгариши ҳисобига ҳосил қилинади (1– расм)
247.26 Kb. 3
o'qib
Лабораторная работа исследование полупроводниковых оптических элементовЛабораторная работа исследование полупроводниковых оптических элементов
Cny17f-x001 переменный резистор с электрическим сопротивлением ком, источник постоянного тока с напряжением 12 в, электроизмерительные приборы миллиамперметр и вольтметр. Эту кнопку нужно нажать, чтобы схема заработала
Лабораторная работа 172.32 Kb. 1
o'qib
Лабораторная Работа №5 На тему: исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе транзистор формата npnЛабораторная Работа №5 На тему: исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе транзистор формата npn
Npn типа 2N5657, переменный резистор с электрическим сопротивлением 10 кОм, источник постоянного тока напряжением 12 Вольт и рисуем схему
Лабораторная работа 276.64 Kb. 1
o'qib
2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В
197.51 Kb. 1
o'qib
2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В
116.65 Kb. 1
o'qib
Основные понятияОсновные понятия
Im sin(ωt + ψi), понимают такой постоянный ток I, который при протекании через резистор с сопротивлением r (рис. 2) выделяет такое же количество тепла, что и синусоидальный ток за время, равное одному периоду синусоидального тока
194.97 Kb. 4
o'qib
Arslonov Jamshidbek Neymat o’g’liningArslonov Jamshidbek Neymat o’g’lining
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб =
0.52 Mb. 1
o'qib

  1   2   3




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling