Qidiruv: Резистор
) Ишга тушириш ва ростлаш реостатларининг резисторлари- Электр ёйи. Ёй сўндириш камераси
Берилган: Е=6В, R1= 6 Ом Кирхгофни 2 қонуни бўйича тенглама тузинг ва резисторлардаги кучланишлар тушишини аниқланг. Вариант № 19
- Мустақил иш №1 Изоҳ
- Схеманинг асосий пассив элементлари (резисторлар, индуктивлик ғалтаклар, конденсаторлар) нинг белгиланиши ва хусусиятлари. Ом қонуни ва қувват
- Birinchi bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik galtaklari, lar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga oxshash) passiv elementlardan iborat edi. Ikkinchi bosqich
Фоторезисторлар
-
Резистор турлари ЭЛЕКТР СИҒИМ
- 4- маъруза Электр занжирларнинг асосий элементлари
Рис .2. Общий вид и габаритные размеры блока резисторов. Масса (5,5+0,5) кг
- Общая часть Технологические особенности сварки стали
Қўшимча резисторлар
- 5-машғулот масштабли ўзгартгичлар, уларнинг ишлатилиши ўлчаш ўзгарткичлари
средства, повышающие резистентность организма к вирусу
- Лекция №1. Общая фармакология. Фармакология
Резисторлар ва уларга қўйиладиган асосий талаблар ҳамда уларнинг турлари
- Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги ислом каримов номидаги
 | 6- лаборатория иши C манбасига уланади. Кутиш режими киришида ва резистор р ва манба палласида Р1 -р2 резистор бўлувчиси томонидан таъминланади. Кириш волтажи C1 изоляция конденсатори орқали киришга этказиб берилади ва чиқиш кучланиши C2 изоляция конденсатори орқали манбадан 47.46 Kb.  1 | o'qib |
| Кўприксимон ва компенгсацияловчи ўлчаш услублари Rx = R1 – номаълум қаршилик; R3, R4 – нисбат елкалари; R2 – солиштириш елкаси– ростланувчи резистор 24.56 Kb. 1 | o'qib |
 | Основные параметры ду R4’ и R4’’, которые иногда объединяют в общий переменный или подстроечный резистор, сопротивление которого составляет 86.47 Kb. 1 | o'qib |
| Исследование характеристик и параметров интегрального усилителя S r1 и s r2 разделяют каскады переменного тока. Резистор R3 обеспечивает поток зарядов в цепи Исследование 0.98 Mb. 3 | o'qib |
| Фоторезисторы Ldr это резистор, электрическое сопротивление которого изменяется под влиянием световых лучей, падающих на светочувствительную поверхность 1.67 Mb. 1 | o'qib |
| 1. Тўла бошқарилувчи тиристор gto thyristor модели қандай элементлардан ташкил топган? D кетма-кет уланган резистор Ron, индуктивлик Lon, доимий кучланиш манбаси Vf, калит sw ва бошқарувчи электроддан иборат 15.87 Kb. 1 | o'qib |
| 2. Эмиттерлари боғланган мантиқ. Мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар Комплементар инверторлар Vt1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (И), кучланиш манбаи билан r резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди 28.09 Kb. 6 | o'qib |
| Лабораторная работа №3 Исследование операционных усилителей R2 параллельной обратной связи по напряжению. Неинвертирующий вход связан с общей точкой входа и выхода схемы (заземляется). Входной сигнал подается через резистор R1 на инвертирующий вход оу Лабораторная работа 217.31 Kb. 2 | o'qib |
| Мустақил иш №1 Мавзу: “Умумий эмиттер схемасида уланган биполяр транзистор асосидаги кучайтириш каскадини ҳисоблаш” R резистор транзистор ўтишини еп манбадан чегаралайди. Uвых сигнали I ток ўзгариши ҳисобига ҳосил қилинади (1– расм) 247.26 Kb. 3 | o'qib |
| Лабораторная работа исследование полупроводниковых оптических элементов Cny17f-x001 переменный резистор с электрическим сопротивлением ком, источник постоянного тока с напряжением 12 в, электроизмерительные приборы миллиамперметр и вольтметр. Эту кнопку нужно нажать, чтобы схема заработала Лабораторная работа 172.32 Kb. 1 | o'qib |
| Лабораторная Работа №5 На тему: исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе транзистор формата npn Npn типа 2N5657, переменный резистор с электрическим сопротивлением 10 кОм, источник постоянного тока напряжением 12 Вольт и рисуем схему Лабораторная работа 276.64 Kb. 1 | o'qib |
| 2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 197.51 Kb. 1 | o'qib |
| 2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В 116.65 Kb. 1 | o'qib |
| Основные понятия Im sin(ωt + ψi), понимают такой постоянный ток I, который при протекании через резистор с сопротивлением r (рис. 2) выделяет такое же количество тепла, что и синусоидальный ток за время, равное одному периоду синусоидального тока 194.97 Kb. 4 | o'qib |
 | Arslonov Jamshidbek Neymat o’g’lining Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб = 0.52 Mb. 1 | o'qib |