AllotropiyaAynan bir elementning xossalari va strukturalari tuzilishining turli ko’rinishida mavjudligi. Amorf modda

Fotoelementning to’ldirish koeffitsiyenti Fotoelemet foydali ish koeffitsiyentini aniqlovchi asosiy kattalikdir.

Fotoelementning foydali ish koeffitsienti Fotoelement yuzasiga tushayotgan yorug’lik energiyasining foydali elektr energiyaga aylangan qismini ifodalovchi kattalik. Uning qiymati asosan % larda o’lchanib, u fotoelementdan olinayotgan foydali elektr energiya qiymatini unga tushayotgan yorug’lik energiya qiymati nisbatiga teng.

Fotoelementning yorug’lik xarakteristikasi Yorug’lik (nurlanish) oqimi ta’sirida fototokning o’zgarishini ifodalovchi xarakteristikaga, fototokning yorug’lik oqimi zichligiga bog’liqligini ifodalovchi xarakteristikaga aytiladi.

Fotoelementning VAXsi Fotoelementdagi kuchlanish bilan fototokning o’rtasidagi bog’lanishni ko’rsatuvchi xarakteristika

Fotoelementning temperatura xarakteristikasi Temperaturaning o’zgarishiga qarab fotoelement xususiyatlarining o’zgarishini ko’rsatuvchi xarakteristika. Temperatura ortishi bilan asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar diffuziya masofasi ortadi, bu esa J_k.z – fototok ortishiga olib keladi. Lekin to’yinish tokining J_S eksponensial ortishi U_xx ning tezroq kamayib ketishiga olib keladi. Fotoelementdan olinayotgan quvvat.

Funksional mikroelektronika Yarim o’tkazgich ma-teriallar yoki ular aso-sidagi maxsus quril-malarda kuzatiladigan yangi fizik hodisa, ef-fektlar asosidagi, mu-rakkab sxematexnik qurilmalar funksiyasi-ni bajara oladigan od-diy priborlar guruhi.
G

Geterotuzilma Bir nechta geteroo’tishlar (ikki turli yarim o’tkazgichlar kontakti) majmuasi bo’lib, qatlamli yarim o’tkazgichli strukturalarda elektronlar va kovaklar uchun potensial o’ralar hosil qilishda hamda yarim o’tkaz gichli lazerlar va yorug’lik nurlan tiruvchi diodlarda foydalaniladi.

Gaz fazasidan epitaksiyaVakuumda gaz holatdagi atomlarning, taglik o’tkazish yo’li bilan olinadigan yupqa qatlam. Bunday qatlamlar monokristall yoki polikristall holatda bo’lishi mumkin. Kremniyda paragazoviy fazadan epitaksial qatlam o’stirish odatda shishasimon kvarsdan yasalgan reaktorda amalga oshiriladi

Gann generatori Kuchli elektr maydoni yordamida manfiy dif-ferensial qarshilik ho-sil qilish orqali o’ta yuqori chastotali teb-ranish olinadigan va kuchaytiriladigan ya-rim o’tkazgichli as-bob. GaAs va InP larda o’zgarmas kuch-lanishda o’ta yuqori chastotali elektromag-nit tebranishlarning generatsiyasini birin-chi bo’lib 1963 yilda amerikalik olim Dj. B. Gann kuzatgan. Shu sababli, Gann generatori deb ataladi.

Gann effekti Bir jinsli GaAs kris-tallining ikki tomoni-ga omik kontakt hosil qilingan kristallga U_пор dan kam bo’lgan o’zgarmas kuchlanish berilganda erkin elek-tronlarning hammasi “yen-gil” elektronlar bo’ladi va ular tok tashishda qatnashib eng katta tok kristall-dan oqadi. Kristall-ning kontakt sohasida turli nuqsonlar mav-judligi tufayli U_пор dan katta bo’lishi mumkin. Bu esa shu sohada “og’ir” elek-tronlar hosil bo’lishiga sabab bo’ladi. “Og’ir” elektronlar anodga to-mon sekin harakatla-nadi va manfiy zaryad sohasini hosil qiladi. “Yengil” elektronlar esa anod tomonga tezroq harakatlanadi. Natijada “og’ir” elek-tron paketining anod tomonida musbat zar-yad sohasi, elektron yetishmasligi tufayli, hosil bo’ladi.
H

Hajmi markazlashgan kub Shakli kub ko’rinishidagi ammo markazida bitta atom joylashgan panjara.

Holat zichligi Kristallning birlik hajmi uchun energianing bir birlik intervaliga to’g’ri keluvchi holatlar soniga aytiladi.

Hajmiy nuqsonlar Kristall hajmida joy lashgan va ma’lum geometrik o’lcham lariga ega bo’lgan, kirishma atomlar yo ki ularning birikma lari asosida hosil bo’lgan yirik atomlar to’plami, dislokatsi ya atrofiga kirishma atomlari yig’ilishi dan hosil bo’lgan nuqsondir.

Hajmiy zaryad sohasi p-n kontakt sohasida o’z elektroni va kova-gini yo’qotgan tur-g’un ionlar joylash-gan soha.
I

Ion Yadrodagi protonlar sonidan ortiqcha yoki kam miqdordagi elektronlarga ega bo’lgan atom. Proton bilan elektronlar sonining farqi ionning zaryadini belgilaydi (odatda elementar zaryadning birligi – elektron zaryadida o’lchanadi). Mavjudligi mumkin bo’lgan klasterli ionlar – hech bo’lmaganda bir atomning zarydi noldan farqli bo’lgan klasterlar, molekulyar ionlar molekulada (yoki uning bir qismida) atom elektronlarining umumiy soni shu molekulaga taaluqli atom yadrolari zaryadining umumiy soniga teng bo’lmagan holi.

Ion bog’lanishli kristallar Kristall panjara qo’shni tugunlarida har xil zaryadlangan ionlar joylashgan kristallar. Ion bog’la nish natijasida har ik kala ionning ham tashqi elektron qobiq lari to’lgan bo’ladi, ya’ni inert gaz elek tron qobiqlariga mos keladi.

Izotop Atom yadrosida birday sonli protonlarga, ammo neytronlar soni har xil bo’lgan kimyoviy element turidir.

Ichki fotoeffekt Yorug’lik ta’siri oqibatida zonalarda erkin zaryad tashuvchilar paydo bo’lishi hodisasi

Issiqlik teshilishi p-n o’tishda yetarli-cha teskari elektr maydon berilganda asosiy kuchlanish oshishi hisobiga tok-ning tez ortishi.

Impulsli diod O’tish jarayoni qisqa bo’lgan va impulsli rejimda ishlatiladigan diod. Impulsli diodlar radioelektronikada yuqori chastotali sig-nallarni detektrlashda ishlatiladi.

Integral sxema integratsiyadarajasi Integral sxemadagi elementlar sonini bil-diradi

Issiqlik elektr generatori Issiqlik energiyasini elektr energiyasiga ay-lantirib beruvchi ya-rim o’tkazgichli quril-ma. N- va p-tipli o’t-kazgichlarni qizdiril-gan sohasidagi tok ta-shuvchilar sovuq to-monga diffuziyalani-shi hisobiga termo e.yu.k hosil bo’ladi.

Integral sxema Bitta kristall sirtida (yoki hajmida) aniq bir funksiyani baja-ruvchi aktiv (diod, tranzistor,...) va passiv (rezistor, sig’im,...) elementlar hosil qilin-gan va ular o’zaro ulangan yaxlit elek-tron sxema.
K

Kvant (lot. quantus – qancha) Materiyaning bo’linmas qismi. Masalan, yorug’lik kvanti – yorug’likning elementar qismi (miqdori), foton kabi. Ushbu tuhunchaning mohiyati shundaki, istalgan fizik kattalik ixtiyoriy qiymatlarni emas balki faqatgina aniq qiymatlarni qabul qilishi mumkin (ya’ni fizik kattalik kvantlanadi)

Kovak Yarimo’tkazgich va metallarning elektron tuzilishini tavsiflashda qo’llaniladigan musbat zaryadli tok tashuvchi kvazizarra bo’lib, absolyut qiymati bo’yicha elektron zaryadiga teng. Kovak spini Vz gat eng, shu sababli u Fermi Dirak (fermion) statistikasiga bo’ysunadi.

KvazizarraElementar uyg’onish,keng miqyosdagi jarayonlarni, xususan kondensirlangan muhitlarni tavsiflashda fizikaviy tasvirlashni radikal soddalashtiruvchi ko’pginajismlarning kvant nazariyasidagifundamental tushuncha.

Kvantli nuqta Uchta yo’nalish bo’yicha o’lchamlari nanometrli diapazonning eng quyi qismida joylashgan kvant tuzilma

Kvantli chuqurcha Bir o’lchami nanometrli diapazonda joylashib, qolgan ikkita o’lchami esa ancha katta o’lchamlarga ega bo’lgan kvantli tuzilma

Kvant – o’lchamli effekt Tizimning gеоmеtrik o’lchаmlаri shu tizim to’lqin funksiyasining lоkаllаngаn sоhаsi bilаn tаqqоslаnа оlishi nаtijаsidа pаydо bo’lаdigаn effеktlаr guruhining umumiy nоmi

Kvantli эффект Fizik ta’sir (hodisa) bo’lib, jismdagi zarralarning kvant tabiati natijasidir hamda klassik chegara sohasiga o’tishda esa kuzatilmaydi.

Kovalent bog’lanish Kimyoviy bog’lanish turi bo’lib, erkin atomlarning elektronlari bilan taqqoslangan holda kimyoviy bog’langan atomlarning elektronlari zichligining oshishi bilan tavsiflnadi. Bitta elektron orbita ni egallovchi, spinlari qarama qarshi yo’ nalgan elektronlar ning o’zaro ta’sirida gi bog’lanish.

Kompleksli birikma Kimyoviy birikma bo’lib, markaziy atom (ion) hamda unga bog’langan molekula yoki ion (liganda) dan iborat bo’lgan kation, anion yoki neytral kompleksdan iborat. Sinonimi: koordinatsion birikma.

Kristall Bir jinsli, fizik xossasiga ko’ra anizotrop, simmetrik holdagi muhit bo’lib, tarkibiy elementlari (atomlar, atomlar guruhi, molekulalar va h.k.) ning translyatsion tartibiga egadir. (Uzoq tartibning mavjudligi) Atomlar joylashishi da qat’iy tartib va davriylik bo’lgan qat tiq jismdir (bularda atomlar joylashishida qat’iy yaqin va uzoq tartib mavjud).

Kompozitsion materiallar Alohida texnologiya asosida aniq miqdor da olingan, fizik xos salari har xil modda lar asosida yaratilgan yangi modda.

Kristall panjara Kristallni tashkil etuvchi atomlarning fazoda uch xil yo’nalish bo’yicha tartibli va davriy joylashishi. Ular 7 xil guruhga bo’linadi va ularni Bravye panjarasi de yiladi.

Kristallpanjara doimiysi Kristallni tashkil etgan atomlar orasidagi eng yaqin masofa

Kubik panjara(Oddiy kub panjara) Shakli kub ko’rinishidagi panjara. Kubik panjaraning uch xil ko’rinishi mavjud: oddiy, hajmi markaz lashgan va tomonlari markazlashgan.

Kristall simmetriyasi Kristallar ma’lum o’q, tekislik yoki nuqta atrofida ma’lum burchakka aylantirilganda o’z o’ziga (yoki oldingi holatiga) mos tushishiga aytiladi.

Koordinatsion son Kristalldagi har qanday atomning eng yaqin qo’shnilar soni.Qo’shnilar ko’rilayotgan atomga nisbatan yaqin, uzoq va yanada uzoq bo’lishi mumkin. Bunday qo’shnilar soni va ular o’rtasidagi masofa kristalldagi barcha atomlar uchun doimo bir xil bo’ladi.

KlasterKristall panjarada ma’lum bir termodi namik sharoitda o’n lab va undan ko’proq atomlarning panjara tugunlarida, tugun lararo holatlarda birlashishi.

Kirishmali yarim o’tkazgichlar Donor yoki akseptor kirishmalarga ega bo’lgan yarim o’t kazgichlarga aytila di. Tok tashishda ki rishma atomlari elektronlari ishtirok etadi. Donor kirish ma kiritilgan yarim o’tkazgichlar n – tur li yarim o’tkazgich deyiladi, Akseptor kirishma kiritilgan yarim o’tkazgichlar p – turli deyiladi. Bunday yarim o’t kazgichlarda tok ta shuvchilar konsen tratsiyasi kirishma atomlari konsentrat siyasiga bog’liq ra vishda o’zgaradi.

Kompensatsiyalangan yarim o’tkazgichlar Bir vaqtning o’zida ham donor ham ak septor krishma atom lari mavjud bo’lgan, ya’ni taqiqlangan zonada ham donor ham akseptor ener getik sathlar mavjud yarim o’tkazgich materialdir. To’la kompensatsiyalangan materiallarda tok tashuvchilar konsen tratsiyasi xususiy tok tashuvchilar konsen tratsiyasiga teng bo’ ladi. Ammo tok ta shuvchilarning hara katchanligi bunday materiallarda xusu siydan kamroq bo’ladi.

Krishmali o’tkazuvchanlik Yarim o’tkazgich ning donor yoki ak septor kirishmalar atomlarining ionla shishi tufayli mavjud bo’ladigan elektr o’t kazuvchanlik. n – turli yarim o’t kazgichlarning o’t kazuvchanligi: , (n>>p)

Kovak o’tkazuvchanlik Yarim o’tkazgichning asosan o’tkazuvchanlik kovaklari ko’chishidan kelib chiqadigan elektrik o’tkazuvchanligiga aytiladi.

Kovakli yarim o’tkazgichda Fermi sathi Akseptor kirishma atomlari bilan boyitilgan yarim o’tkazgichda Fermi sathi, kiritilgan akseptor atomlarining ionlanish darajasiga bog’liq. Ionlanish darajasi yarim o’tkazgich temperaturasi bilan aniqlanadi.

Kvazi Fermi sathiYarim o’tkazgichlar yoki ular asosida yasalgan elementlar nomuvozanat holda turganida (yorug’lik, injeksiya..) nomuvozanat tok tashuvchilar konsentratsiyasini ifodalovchi fizik tushuncha – KvaziFermi sathi kiritildi. Demak bu nomuvozanat holatidagi yarim o’tkazgichlar uchun tegishli

Krishmaviy foto generatsiya Foton energiyasi kirishma atomlarining ionlashishiga sarf bo’ladigan, ya’ni foton energiyasi evaziga donor sathdan o’tkazuvchanlik zonasiga elektronlar o’tadigan yoki valent zonadagi elektronlar akseptor sathga yutiladigan jarayondir.

Kvantiy chiqish Bitta foton yutilishi natijasida vujudga kelgan elektronkovak juftlari soni ().

Kirishmali foto o’tkazuvchanlik Kirishma sathlari va zonalar o’rtasida optik nurlanish tufayli sodir bo’ladigan elektronlarning o’tishi hisobiga yuz beradigan o’tkazuvchanlik.

Ko’chkili teshilish p-n o’tishga teskari yo’nalish bo’yicha katta elektr maydon berilganda p-n o’tish sohasidagi katta elektr maydon natija-sida qo’shimcha elek-tron-kovak juftlarning ko’chkisining oshib ketishi.

Ko’chkili diod Teskari rejimda ish-lovchi va o’ta yuqori chastotali tebranishlar hosil qilish uchun qo’llaniluvchi diod. Uning tuzilishi p-n-n⁺ otishli strukturadan iborat bo’ladi.

Kollektor sohasi Transistor baza soha-sidagi asosiy bo’lma-gan tok tashuvchilarni chiqarib yuboriladigan (ekstraksiyalanadigan) soha bo’lib, baza sohasidan kollektor sohasiga o’tish chega-rasi (p-n o’tish sohasi) kollektor o’tish deyi-ladi.

Krioelektronika (kriogen elektronika) O’ta past haroratlarda elektromagnit may-donning elektron nati-jasida yuzaga keladi-gan hodisalar va ular asosidagi qurilmalar.
L

LyuksAmper harakteristikasi Yarim o’tkazgichlarning fotoo’tkazuvchan qiymatining (yoki fototokning) tushayotgan yorug’lik oqimiga bog’liq o’zgarishi.

Lorens kuchi Bir vaqtda mavjud elektr va magnit maydonning zaryad tashuvchilar harakatiga ta’sir etuvchi kuch.
M

Molekula Moddaning bir qismi bo’lib, mustaqil mavjud bo’la oladigan ikki yoki undan ortiq atomlardan tashkil topadi.

Monokristall Butun shakl (hajm)da atomlari bir xil tartib va davriylikka ega holda joylashgan qat tiq jismdir

MetallOdatdagi sharoitda yuqori elektr va issiq lik o’tkazuvchanlik ka, harorat pasaygan da o’tkazuvchanligi oshadigan, elektro magnit to’lqinlarni yaxshi qaytarish, plastiklik xossalariga ega qattiq jism.

Metall bog’lanishli kristallar Bunday bog’lanish ning tabiati kristall panjara tugunlarida joylashgan musbat ionlar va ular o’rtasi da tekis taqsimlangan erkin elektronlar o’rtasidagi elektrosta tik kuchlardan iborat dir.

Murakkab kristall panjara Elementar panjaraning nafaqat tugunlarda, balki (uning yon tomonida va ichida) tugunlararo va hajmda atomlar joylashgan bo’ladi

Monoklin panjara Qirra uzunliklari (a,b,c) turlicha bo’lgan, a va c hamda b va c tomonlar o’rtasidagi burchak 90º, ammo a va b tomon orasidagi burchak 90º ga teng bo’lmagan panjara.

Miller indekslari Kristallda atomlar joylashgan yuzani aks ettiruvchi tekislik. Bunday tekisliklar o’z tabiatiga qarab kristall panjaraning o’qlarini har xil koordinatlarda kesadi. Bunday tekisliklarni ifodalashning eng qulay yo’li bu Miller indekslaridir.

Magnit kvant soni Elektron impuls momentining berilgan yo’nalishga proyeksiyasini ifodalaydi.U m bilan belgilanadi.

Murakkab yarimo’tkazgichlar Tarkibi uch va undan ortiq kimyoviy element atomlaridan iborat yarim o’tkazgich materialdir.(GaAs_0,88Sb_0,1 ; Ga_0,47In_0,5Sb ; Ga_0,3In_0,7Sbva b.)

Maksvell – Boltsman taqsimoti O’tkazuvchanlik zo’nasidagi elektronlar zichligi (1 sm³ dagi soni) yetarlicha kam bo’lganda elektronlar gazini siyrak gaz deb qarash mumkin. Bunda FermiDirak taqsimotida quyidagi shart bajarilishi kerak bo’ladi. Bu o’zgarishdan hosil bo’luvchi funksiyaga mos keluvchi funksiya Maksvell– Boltsman taqsimoti funksiyasidir:

Magnit qarshilik Tokli yarim o’tkazgichni tokka perpendikulyar yo’nalgan magnit maydoniga joylashtirilganda yarim o’tkazgichning elektr qarshiligi o’zgarishiga aytiladi.

Molekulyar nurli epitaksiya O’ta yuqori vakuumda molekulalar (yoki atomlar) oqimi miqdori va tarkibini boshqarish yo’li bilan maqsadli holda taglikka o’tqazish usuli.

Metallyarim o’tkazgich kontakt Yarim o’tkazgich sirtiga har xil yo’llar bilan (vakuum, kimyoviy va boshqa) metall yupqa qatlamlar hosil qilingan sistema. Bunday kontaktda p-n – kontaktdan farqli holda tok tashishda faqat elektronlar qatnashadi.

Muvozanatdagi p-n o’tish p-n o’tishga tashqari-dan elektr maydon qo’yilmagandagi hol-at. Bunday holatda p-n o’tishdan tok o’t-maydi va n- va p- to-monlar holatini yago-na fermi sathi ifoda-laydi.

Magnitodiod Magnit maydonida VAX-si o’zgaradigan yarim o’tkazgichli diod. Baza qismi qalin bo’lgan (W>L) diod-da to’g’ri kuchlanish-ning bir qismi bazaga tushadi: U_to’g’=U_p-n+J_to’g’∙R_b Magnit maydonida baza qarshiligi ortishi hisobiga bazaga tu-shayotgan kuchlanish ortib, p-n o’tishga tushayotgan kuchla-nish kamayadi, natija-da diod to’g’ri toki kamayadi.

MDYa-tranzistor Tranzistor zatvori tok o’tuvchi kanaldan di-elektrik qatlam bilan izolyatsiyalangan tran-zistor. Dielektrik qat-lam SiO₂ bo’lsa MOP –tranzistor deyiladi

Magnitoelektronika Kam magnitlanganlik xossasiga ega yangi turdagi magnit mate-riallari asosidagi o’ta yupqa magnit plyon-kalari asosida yaratil-gan qurilmalar.
N

Nano(1) Xalqaro birliklar tizimida birlikning ulush qismini ifodalovchi old qo’shimcha bo’lib, qiymat jihatidan 10 ⁹ ko’paytuvchi miqdoriga mos keladi. (ГОСТ 8.417 2002, п. 7.1) Misol uchun: 1nm=10⁹ m. (2) Ob’ektning tavsifiy o’lchami 1 100 nm oraliqda joylashganini ko’rsatadigan old qo’simcha. Masalan: nanozarra, nanostruktura.(3) Atamalarda old qo’shimcha (masalan, nanotexnologiya yoki nanoob’ektlar haqidagi fan sohalariga oid bo’lgan material, ob’ekt, jarayon yoki asbob nomlariga qo’yiladigan old qo’shimcha).

Nanosanoat Nanotexnologiyaning qo’llanilishi ekspluatatsiya ko’rsatkichini belgilaydigan nanomateriallar, nanotarkiblar, nanoqurilmalar hamda boshqa turdagi mahsulotlarni ishlab chiqarish bilan band bo’lgan sanoatning tarmog’i.

Nanomuhandislik (nanotexnika) Texnikaning alohida sohasi bo’lib, hech bo’lmaganda bir yoqlama chiziqli o’lchami 1 dan 100 nm gacha bo’lgan buyum, mahsulotlarni ishlab chiqarishga qaratilgan.

Nanobiotexnologiya Nanotexnologiya hamda biotex nologiya usul va omillarini o’z ichiga oluvchi ilmiy texnologik yo’nalishdir. Xususan, nanobiotexnologiya biokimyoviy jarayonlarni o’rganish uchun nanoasbob va nanoqurilmalarni ishlab chiqish hamda yaratish bilan birga tirik organizmlarda kechuvchi jarayonlarga mos holatda ishlovchi qurilmalarni ham ishlab chiqish va yaratishga qaratilgan.

Nanometrli oraliq (diapazon) 1 dan to 1000 nm gacha bo’lgan chiziqli o’lcham oralig’i

Nanometrologiya Nanoob’ektlarni o’lchashda zarur aniqlikka erishish hamda o’lshash, o’lchash usullari va ular birligini ta’minlash vositalari haqidagi fandir.

Nanoo’lcham 1 – 100 nm oraliqdagi o’lcham

Nanoqatlam Qalinligi 100 nm dan oshmaydigan qatlam

Nanotuzilma Hech bo’lmaganda bir tomonlama tavsifiy o’lchami 1 dan 100 nm gacha bo’lgan oraliqda o’zgaruvchi tuzilma.

Nanotexnologiya Umumiy ibora bo’lib, molekulyar (atom) darajadagi modda ustida bajariluvchi nozik jarayonlar, usullar va texnologik bosqichlarini o’z ichiga qamrab oladi, shuningdek hech bo’lmaganda bir yoqlama o’lchami bo’yicha 1 dan 100 nmgacha bo’lgan tizimlarni hosil qilish texnologiyasini o’zida mujassamlaydi.Ushbu tizimlar butunlay yangicha fizik va kimyoviy tavsiflarga ega bo’lishlari mumkin, natijada ularning o’ziga xos xususiyatlari alohida atom va molekulalarning hamda butunlay modda xususiyatlaridan farq qiladi.Ta’rifiy mulohazalar:O’lchamlari jihatidan 100 nm dan kam bo’lgan komponentalardan iborat ob’ektlarni boshqaruv asosida yaratish va o’zgartirish kabi imkoniyatlarini ta’minlovchi usul va tatbiqlar majmuasidir. Va shuning natijasida hosil bo’lgan ob’ektlarning prinsipial yangi xossalarga ega bo’lgan holda katta masshtabdagi to’liq ishlovchi tizimlarga birikishi, kengroq ma’noda esa bu ibora ob’ektlarni tadqiq qilish, tavsiflash va diagnostika qilish usullarini ham qamrab oladi. (2010 yilda RF ning nanotexnologiya sohasidagi Konsepsiyasidan).

.