AllotropiyaAynan bir elementning xossalari va strukturalari tuzilishining turli ko’rinishida mavjudligi. Amorf modda

Atom Kimyoviy elementning xossalarini o’zida mujassam etadiqan va mustaqil xolda mavjud bo’lish qobiliyatiga ega bo’lgan uning eng kichik bo’lagi.

AllotropiyaAynan bir elementning xossalari va strukturalari tuzilishining turli ko’rinishida mavjudligi.

Amorf modda Fizik xossalarining izotropiyasi bo’yicha hamda suyuqlanish haroratining mavjud emasligi bilan tavsiflanuvchi qattiq jism. Kristall moddadan farqli ravishda, tarkib elementlari (atomlar, atomlar gurihi, molekulalar va h.k.) da qat’iy davriylik kuzatilmaydi (boshqacha aytganda uzoq tartib o’rinli emas), o’z navbatida esa tarkibiy qo’shni elementlari joylashishida aniq muvofiqlik mavjuddir (yaqin tartib)

Amorf jism Atomlarining joylashishida yaqin tartib mavjud, uzoq tartib buzilgan qattiq jism.

Asosi markazlashgan monoklin panjara Monoklin panjaraning asoslari markazlarida atom joylashgan bo’ladi.

Asosi markazlashgan rombik panjara Rombik panjaraning asoslari markazlarida atom joylashgan bo’ladi.

Atomning elektron qobiqlari Yadro tortishish kuchi tufayli uning atrofida elektronning bo’lish ehtimolligi eng katta bo’lgan fazodir

A^IIIB^V yarim o’tkazgich Mendeleyev jadvalidagi III guruh elementlari (Al, B, Ga, In) (valent elektroni – s²p¹) va V guruh elementlari (P, N, Sb, As) (valent elektroni – s²p³) atomlaridan tarkib topgan yarim o’tkazgichlardir. Ularda atomlar o’zaro qisman ionli kovalent bog’lanish hosil qiladi. ( GaAs, GaN, GaP,InAsva b.)

A^IIB^VI yarimo’tkazgich Mendeleyev jadvalidagi II guruh elementlari (Cd, Zn) (valent elektroni – s²) va VI guruh elementlari (S, Se, Te, O) (valent elektroni – s²p⁴) atomlaridan iborat yarim o’tkazgich materialdir. ( Cd S , CdSe, CdTe, ZnO va b.)

A^IVB^IV yarim o’tkazgich Mendeleyev jadvalidagi IV guruh elementlari (C, Si, Ge, Pb, Sn) atomlari bi rikmalaridan iborat yarim o’tkazgich materialdir. Bu guruhga kiruvchi yarim o’tkazgichlarga SiC – Karbit Kremniyni misol qilib keltirish mumkin.

A^IVB^VI yarim o’tkazgich Mendeleyev jadvalining IV va VI guruh elementlari birikmasidan tuzilgan yarimo’tkazgich materialdir.(PbS,PbTe)

Akseptor kirishma atomlari Valent elektronlar soni, yarim o’tkazgich asosiy atom valent elektronlar sonidan kam bo’lgan kimyoviy bog’la nishni tugallash uchun valent zonadan elektronlar olib, manfiy zaryadlanadigan kirishma atomlari. Yarim o’tkazgich ga akseptor kirishma atomlari kiritilgani bilan valent zonada kovaklar soni shunga mos miqdorda oshadi. Bunday materiallar p – tipli yoki energetik sathlarga kovakli o’tkazuvchanlikka ega material bo’ladi.

Akustik tebranishlar Kristall panjaradagi atomlarning sinxron holda bir xil fazada (bir xil yo’nalish bo’yicha o’z muvo zanat holatidan silji shi) tebranishidir.

Asosiy zaryad tashuvchilar Berilgan yarim o’tkazgichda konsentratsiyasi nisbatan katta bo’lgan harakatchan zaryad tashuvchilar

Ajralish koeffitsiyenti Fotoelement yuzasiga tushayotgan yorug’lik ta’sirida hosil bo’lgan tok tashuvchilar (nomuvozanat toktashuvchilar ) ning p–n o’tish sohasiga, rekombinatsiya qilinmay yetib boradigan qismini ko’rsatuvchi koeffitsiyent.()ning qiymati qancha katta bo’lsa shuncha fotoelement xossasi yaxshi bo’ladi. Yaxshi fotoelementlarda .

Aktiv taglik Integral sxema qurilmalarida taglikdan ham ba’zi elementlar yaratish maqsadida ishlatiladigan taglik.

Akustik elektronika Qattiq jismda elek-tronlar oqimining akustik to’lqinlar bilan ta’sirlashishda yuzaga keladigan fizik hodi-salar asosida ishlaydi-gan elektron qurilma.
B

Beshinchi tartibli koordinatsion son Kub kristall panjarada 5 tartibli koordinatsion sonlar soni 24 ta bo’lib, ular orasidagi masofa ga teng.

Brillyuen zonalari To’lqin vektori (k_i) qiymatlarining mav jud sohalarida elek tronlar energiyasi uzluksiz o’zgaradi gan, ularning chega ralarida esa uziladi gan zona. Bunday zonada elektron mumkin bo’lgan barcha energiya qiymatiga ega bo’ladi.

Bar’yer sig’im p-n o’tish sohasida yig’ilgan hajmiy zar-yadlar (n tomon +, p-tomon -), ma’lum ma-sofada joylashgan bo’lib, u odatdagi kondensator xossasi-ga ega bo’ladi mana shu kondensator hosil qilgan soha.

Bipolyar transistor Ikkita o’zaro ta’sirla-shuvchi p-n o’tishdan va uchta ulanish simi-dan iborat, qaysiki asosiy bo’lmagan tok tashuvchilarni injeksi-yalashga va ekstaksi-yalashga asoslangan kuchaytirish xususiyatiga ega.

Baza sohasi Emmiter va kollektor sohalar orasida joy-lashgan sohaga aytila-di.
D

Dielektrik Elektr tokini deyarli o’tkazmaydigan qattiq jismdir

Diffuziya Atomlar (elektron) konsentratsiyalari gradiyenti mavjud bo’lganda issiqlik harakati tufayli modda atomlarining o’zaro bir biriga kirib borishi (konsentratsi ya’ning kamayish yo’nalishi bo’yicha). Diffuziya bo’lishi uchun albatta konsen tratsiya gradiyenti bo’lishi zarur.

Diffuziya koeffitsiyenti Vaqt birligida diffu ziya qilinayotgan atomlarning birlik yuza bo’yicha siljishi

Diffuziya aktivlashtirish energiyasi Issiqlik harakati tu fayli atomning bitta muvozanat holatdan ikkinchi muvozanat holatiga ko’chishi uchun lozim bo’lgan energiya.

Dissotsiativ diffuziya Tugunlararo diffuziya qilinayotgan atom ning vakant o’rniga o’tishi bilan yuzaga keladigan diffuziya jarayoni.

Donor kirishma atomlari Valent elketronlar soni yarim o’tkaz gich asosiy atomlar valent elektronlar so nidan ko’p bol’gan va to’la kimyoviy bog’lanishdan ortgan elektronni berib, o’zi musbat zaryadlana digan (agar atom tugunda joylashsa) yoki o’zidan elek tron berib, musbat ionga aylanadigan (tugunlararo joylash gan bo’lsa) kirishma atomlaridir.

Dreyf harakatchanligi Tashqi elektr maydonning birlik kuchlanganligi ta’sirida, tok tashuvchilarning olgan dreyf tezligiga mos kelgan kattalik Dreyf harakatchanligi quyidagicha aniqlanadi:

Dember EYuK Bir jinsli yarim o’t-kazgichni kuchli yuti-luvchi nur bilan yori-tilsa, yorug’lik yutil-gan sirt qatlamida or-tiqcha elektron va kovaklar hosil bo’ladi va yarim o’tkazgich ichkarisiga diffuziya-lanadi. Elektronlar dif-fuziya koeffitsiyenti (D_n) kovaklarnikidan (D_p) katta bo’lgani uchun (D_n>D_p), ular ilgarilab ketadi, nati-jada elektronlar bilan kovaklar ajralib, e.yu.k hosil bo’ladi.
E

Elektron zona, zona (qattiq jismda) Sezilarlik kenglikdagi ruxsat etilgan energiya sohasi (erkin atom yoki molekulaning tor energetik sathidan farqli) bo’lib, qattiq jismda o’zaro yaqin joylashgan atomlarining to’lqin funksiyalarini to’silishidan hosil bo’ladi. Ushbu zona chegarasida joylashgan elektronlar erkin holat (to’lmagan zona) mavjud bo’lganida kristall bo’ylab erkin harakat qila oladilar

Elementarkristall panjara Kristall panjara doimiy (a,b,c) lar asosida qurilgan eng kichik panjaradir

Elektrodiffuziya Tashqi elektr maydon (doimiy elektr toki) ta’sirida, atomlarning diffuziyasi. Bunda namunadan juda katta tok o’tishi hisobiga u yetarli darajada qiziydi.

Eynshteyn munosabati Yarim o’tkazgichda erkin elektronlar (yoki kovaklar) diffu ziya koeffitsiyenti bilan harakatchanlik o’rtasidagi bog’lani shni ifodalaydi.

Elektron Bir birlik manfiy elektr zaryadga ega bo’lgan, turg’un elementar zarracha. Erkin elektron ham yarim o’tkazgichlar da nuqson hisoblana di. Chunki erkin elektron paydo bo’ lishi bilan, kristall panjarada musbat ion paydo bo’ladi, bu esa nuqsondir.

Effektiv massa Birligi massa birli giga mos, elektron yoki kovaklarning tashqi maydon ta’si ridagi harakatiga kristall panjara po tensialining ta’sirini ifodalovchi kvazi massadir. U (m^*) bi lan belgilanadi. Ef fektiv massa miqdori asosan zonalar tuzu lishiga bog’liq bo’la di va bitta yarim o’tkazgich zonalar tuzilishi va kristall tuzilishiga qarab elektron yoki kovak har xil effektiv mas saga ega bo’lishi mumkin (og’ir, yen gil va h.k).

Elektron vakovaklarning konsentratsiyasi Hajm birligidagi er kin elektronlar va kovaklar soni. O’tkazuvchanlik zonasidagi elektronlar konsentratsiyasi n bilan belgilanadi, valent zonadagi kovaklar konsentratsiyasi p bilan belgilanadi. Ularning o’lchov birligi – sm ³_. Yarim o’tkazgichlarda ular ning miqdori Fermi sathi bilan aniqlana di.

Energetik zona Yarim o’tkazgichda elektronlar energetik sathlarning K – faza dagi (K – to’lqin vektori) taqsimoti. Bunday taqsimot – har qanday yarim o’tkazichni o’tkazuvchanlik, valent zonalar tuzilishini ifodalash bilan birga, materiallarni asosiy fundamental para metrlar, taqiqlangan zona, energiya holat zichligi, elektron va kovaklar effektiv massasi qiymatlarini aniqlaydi.

Elektron o’tkazuvchanlik Yarim o’tkazgichlarning asosan o’tkazuvchanlik elektronlarning ko’chishi bilan aniqlanadigan elektrik o’tkazuvchanligiga aytiladi.

Elektronli yarim o’tkazgichlarda Fermi sathi Donor kirishma atomlari bilan legirlangan yarim o’tkazgichda Fermi sathi, kiritilgan donor atomlarining ionlashish holatiga qarab o’zgaradi. Ionlanish holati esa yarim o’tkazgich temperaturasiga bog’liq.

Erkin zaryad tashuvchilarning yorug’likni yutishi Erkin zaryad tashuvchi fotonni yutib ruhsat etilgan zona ichida bir energetik holatdan boshqa energetik hilatga o’tishi mumkin. Ana shu yutilishga erkin zaryad tashuvchilar tomonidan yutilish deyiladi. Erkin zaryad tashuvchilarda optik yutilish koeffitsiyenti quyidagicha:

Erkin tok tashuvchining yashash vaqti Tok tashuvchining o’tkazuvchanlikda qatnashishi bilan ifodalanadi. Boshqacha aytganda bu vaqt elektronning o’tkazuvchanlik zonasida, va kovakning valent zonada bo’lish vaqtidir va ular bilan ifodalanadi.

Elektronning sochilishi Ma’lim to’lqin vektori bo’ylab harakatlanayotgan elektronlar oqimining kristall panjara tebranishlari yoki nuqsonlar bilan to’qnashib, tezligi va yo’nalishini o’zgartirish jarayon. Kristallda mavjud nuqsonlar tabiatiga qarab, sochilish mexanizmi va uning zaryad tashuvchilar harakatiga ta’siri har xil bo’ladi.

Elektronlarning kirishma ionlarida sochilishi Elektronlar oqimining kristalldagi krishma ionlari bilan ta’sirlashib, tezligi va harakat yo’nalishini o’zgartirishi. (Ularning zaryadi bir karrali musbat yoki manfiy, ikki karrali musbat yoki manfiy) agar sochilish markazi musbat zaryadlangan ion bo’lsa, u holda elektronning unda sochilishi kulon potensiali bilan aniqlanadi.xdielektrik doimiy. r elektron va ion orasidagi masofa.

Epitaksiya Monokristall taglikda, uni kristall davriyligini saqlagan holda, monokristall qatlam o’stirish jarayoniga aytiladi. Epitaksiyani, kristall o’stirishdagi Choxral usulidan farqi shuki, unda kristall o’stirish jarayoni erish temperaturasidan past temperaturada amalga oshiriladi.

Emitter sohasi Tranzistor baza soha-siga tok tashuvchilarni yetkazib beruvchi (in-jeksiyalovchi) soha bo’lib, emitter sohasi-dan baza sohasiga o’tish chegarasi (p-n o’tish sohasi) emitter o’tish deyiladi.
F

Fikning I qonun Diffuziya qilinayotgan atomlar oqimining (j) o’sha atom gradiyenti bilan bog’liq ligini ifodalaydi.

Fikning II qonuni Ma’lum vaqt diffuziya jarayonida diffuziya qilinayot gan atomlar konsen tratsiyasi taqsimotini (kirgan masofa ichi da) ifodalaydi

Fermi – Dirak taqsimoti Berilgan energetik sathda hosil qilingan elektron (fermion ya’ni spini S=1 teng) larning band bo’lishi ehtimolligini ko’rsatadigan taqsimot.Fermi – Dirak taqsimot funksiyasi: g – spin koeffitsiyenti , F – Fermi sathi, E – ko’rilayotgan energetik sath.

Fermi sathi Mutloq nol temperaturada T=0°K metallarda fermionlar (yarim spinga ega bo’lgan zarraga, yoki kvazizarra, elektronlar) egallangan eng yuqori energiya sathi. Metallarda Fermisathi energiyasi temperatura va boshqa tashqi ta’sirlarga o’ta kuchsiz bog’langan.

Foton Yorug’likning korpuskulyar xossasini va uning energiya holatini ifodalovchi kvazi zarra.

Foto tok tashuvchilar konsentratsiyasi Muayyan to’lqin uzunlikka va oqimiga ega yorug’lik ta’sirida hosil bo’ladigan zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi.

Foto o’tkazuvchanlik Yarim o’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanlikning elektromagnit (umuman ko’zga ko’rinadigan va ko’rinmaydigan) nurlar ta’sirida o’zgarish hodisasidir. Yorug’lik yutilishi hisobiga paydo bo’lgan ortiqcha D_n elektronlar va D_p kovaklar hosil qiladigan o’tkazuvchanlik D_y =em_n D_n+em_pD_p

Fotosezgirlikni oshiruvchi markaz (sathlar) Elektron va kovaklarni yutish yuzasi, birbiridan o’ta farqli bo’lgan nuqsonlar – yoki ular hosil qilgan sathlardir S_n >> S_p yoki S_p >> S_n

Fotoelementning spektral xarakteristikasi Monoxromatik nurlanish to’lqin uzunligiga qarab fototokning o’zgarishini ko’rsatuvchi xarakteristika.

Fotosezgirlik Yarim o’tkazgich sirtiga tushayotgan yorug’lik energiyasi natijasida, fototokning o’zgrishiga aytiladi. Fotosezgirlik quyidagicha aniqlanadi: – tushayotgan yorug’lik energiyasi.

Fotoelement Yorug’lk energiyasini to’g’ridan to’g’ri elektr energiyaga aylantirib beradigan p–n o’tishli yarim o’tkazgich qurilmaga aytiladi. Albatta tushayotgan foton energiyasi bo’lishi shart.