Avtomatlashtirish va boshqaruv kafedrasi

2- j a d v a l. Tranzistorning turli ulanishlarida   sxemalarning  parametrlari 

T.  №   

                     Ulash 

sxemalari 

Parametrlar  

UB 

UE 

UK 

1 

2 

3 

4 

5 

Kuchlanish    bo’yicha   

kuchaytirish  

Tok bo’yicha kuchaytirish  

Quvvat bo’yicha kuchaytirish  

Kirish qarshiligi, Om  

CHiqish qarshiligi, Om 

1000 

1 

1000 

birlar  

yuz  

minglar 

100 

100  

10000 

yuzlar  

un  minglar 

1 

10  

10 

un   minglar  

yuzlar 

h

n

 

e

  —  «UE»  sxema  uchun  tok  bo’yicha  kuchaytiriщ  koeffitsientini 

xarakterlaydi; 

h

22e

—o’tkazuvchanlik  ulchamiga  ega  bulib,  uzilgan  kirishdagi  tranzistorning 

chiqishi o’tkazuvchanligini xarakterlaydi. 

«UE»,  «UB»  va  «UK»  sxemasi  bo’yicha  ulangan  tranzistorlar  uchuv  h  — 

parametr qiymati spravochniklarda beriladi. SHu erning uzida tranzistorning boiщa 

parametrlari  —  issiqlik,  maksimal  rux-sat  etilgan  Quvvatlar,  maksimal  ruxsat 

etilgan toklar va bonщalar xam berilgan.