Avtomatlashtirish va boshqaruv kafedrasi

  

19-ras. Maydonli tranzistorlarning tuzilishi: 

a) boshqaruvchi p—r o’tish bilan, b) ichki kanalli MDP tranzistori, v) 

indutsirlan-gan kanalli. MDP tranzistori; J — istok, 2 — zatvor (tusiq), 3 — 

kanal, 4 — stok, 5 — dielektrik,   6 — taglik. 

 

p—r- o’tish bilan bonщariladigan tranzistorlarda kanal zatvor sohasida kichik 

kesim  yuzaga  ega  bo’lgan  p  yarim  o’tkazgich  kristallining  bir  qismi  bilan  hosil 

qilingan  (5.19-  raem,  a),  p  yarim  o’tkazgichga  bevosita  r  soha  tegib  turadi  va 

---

natijada  p—r  o’tish  hosil  bo’ladi.  Zatvor  va  istok  orasida  kuchlanishni  uzgartirib 

(i

zi

)  r  sohaning  kesim  yuzini  uzgartirish,  kristall  o’tkazuvchanligini  rostlash  va 

asosiy  zaryad  tashuvchilar  -  elektronlarning  dreyf  harakati  tomonidan  hosil 

qilinayotgan, stokdan kanal orqali istokka utayotgan tokni boshqarish mumkin. 20- 

rasm,  b  da  boshqaruv  kanali  bo’lgan  tranzistorning  VAX  kursatilgan,  MDP  tran-

zistorlari  ishlaganda  maydon  effektы  deb  ataluvchi  xrdisadan  foydalaniladi.  Buning 

mohiyati  shuki,  kristallda  tashqi  manba  tomonidan  uning  ustki  qatlamining  elektr 

o’tkazuvchanligini  o’zgartiruvchi  elektr  maydon  xosil  kilinadi.  Ikki  xil  MDP 

tranzistorlarining zanjirlari va  tuzilishi 5.21- rasmda  kursatilgan. 

Qalinligi  150  ...  200  mkm  va  solishtirma  qarshiligi  bir  necha  Om*sm 

bo’lgan  MDP  tranzistorining  p tipli plastinkasida  kovak-lar konsentratsiyam katta 

bo’lgan,  r  tipli  ikkita  soha  (stok  va  istok)  hosil  k;ilinadi  (5.21-  raem,  a).  Sohalar 

orasidagi  masofa  (kanal uzunligi),  qatlam  chuqurligi  5  nm  gacha  olinganda  5  ...  50 

mkm  ni  tashkil  etadi.  Kristall  yuzida  avval  yupsa  dielektrik  katlam(0,1  mk 

atrofida), kanalning  pastki qismida  esa,  istok,  zatvor  va  stok tomonlaridan  metall 

kontaktli plyonka satlami hosil qilinadi.