Avtomatlashtirish va boshqaruv kafedrasi

                                    

                                                      

 

1-chiziq,  kirish  kuchlanish  kichik  bo’lsa,  chiqish  kuchlanish  nolga  yaqin 

bulib,  kirish  kuchlanish  ortishi  bilan  esa  chiqish  kuchlanishning  satxi  kutarilib 

boradi.  Bunda  faza  uzgarmay  ishlashiga  tugri  keladi.  2-chiziq  mikrosxemaning 

faza  uzgartib  ishlashini  ifodalaydi.  Kirish  kuchlanishi  kichik  qiymatga  chiqish 

kuchlanishining  maksimal  qiymati  mos  keladi. Kirish  kuchlanishi orta  boshlasa u 

kichiklasha  boshlaydi.  Chiqish  kuchlanishi  kancha  katta  tezlik  bilan  minimaldan 

maksimalga va  aksincha  maksimaldan  minimal  qiymatga  utsa  sxemaning ishlashi 

shuncha aniq va sifati yukori xisoblanadi. 

Mikrosxemalar ichida eng soddasi va boshlangichi TANS (BBTM) bevosita 

bog’lanishli tranzistorli mantikiy sxemadir.  

Yuqorida tranzistorlar paralel ulangan xolda kirish signali «0» mantikka mos 

U

  0

 

kuchlanishga  teng  bo’lsa,  tranzistorlar  yopiq  bulib,  chiqish  kuchlanishi  «1» 

1 

2 

1 

2 

U

m1

 

U

m2

 

---

kuchlanishiga teng yukori satxli bo’ladi . Agar kirishdan biriga «1» mantikka mos 

yukori  satxli  U

1

  kuchlanish  berilsa  tranzistor  ochilib  tuyinish  rejimiga  utadi. 

Natijada  chiqish  kuchlanishi  tuyinish  kuchlanishiga  kamayadi  (U

0

=U

kt

)  chunki 

U

2

=E

k

-I

k

R

k

 ga teng. 

Tranzistorlar  ketma-ket  ulanganda  chiqish  kuchlanishi 

«1»  satxdan  «0»  satxga  o’tishi  uchun  kirishga  bir  vaktda  yukori  «1»  satxli 

kuchlanish  ta’sir  etishi  va  u  tranzistorlarni  tuyinish  holatiga  o’tishi  uchun  etarli 

bulishi  kerak.  Ularning  kamligi  (BBTM)  tranzistorlarda  toklarning  teng 

taksimlanmasligidir.                             

 

     

Mikrojarayonorlarni  kuyidagi  belgilari  orkali 

turkumlash mumkin. 

Yaratish  texnologiyasi  bo’yicha  mikrojarayonorning    kuyidagi  ikkita  katta 

guruxi farklanadi: 

1.  Unipolyar tranzistorlar asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

2.  Bipolyar tarnzistorlar asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

Unipolyar  tranzistorlar  asosida  texnologiya  ishlatilganda  elementlarning 

kristalda  joylashtirishining  katta  zichligiga  erishilsada,  tezkorligi  nisbatan  katta 

bulmagan mikrojarayonor  olinadi. Barcha bir kristalli mikrojarayonorlar va mikro 

EXM lar ushbu texnologiya asosida yaratilgan. Bu texnologiya asosida yaratilgan 

mikrojarayonorlarni uz  navbatida kuyidagicha turkumlash mumkin: 

a) r-MDP texnologiya asosida yaratilgan mikrojarayonorlar oladi; 

b) p-MDP texnologiya asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

Bularga KR 580, KR 581, K 1801, K 1809, KM 1810, KN 1811, KM 1813, 

KR 1816 seriali mikrojarayonorlar misol bula oladi; 

v) KMDP texnologiya asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

Bularga KR 587, K 588 seriali mikrojarayonorlar misol bula oladi; 

Bipolyar  tranzistorlar  asosida  texnologiya  ishlatilganda  esa  tezkor 

mikrojarayonorlar  olinsada,  elementlarning  kristallda  joylanishi  zichligi  katta 

bulmaydi. 

SHuning 

uchun 

xam 

bu 

texnologiya 

bo’yicha  yaratilgan 

mikrojarayonorlarning kuyidagi kator xillarini ajratish mumkin: 

a) TTL  texnologiya asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

Bularga K 589, KR 1802 seriyali mikrojarayonorlar misol bula oladi; 

b) I L texnologiya asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

Bularga  

K 583,  K 584, KA 1802 seriyali mikroprotsnssorlar misol bula oladi; 

v) ESL texnologiya asosida yaratilgan mikrojarayonorlar. 

Bularga  

K 1800 seriyali mikrojarayonorlar misol bula oladi; 

Kirish  signali  quvvatini  kuchaytirish  uchun  mo`ljallangan  qurilmaga