B. X. Shaymatov, M. Q. Jo‘raev elektrotexnik materiallar

T a r k i b i y q u t b l a n i sh.
Tarkibiy qutblanishga, qutblanish jarayonining qo‘shimcha turi sifatida qaraladi. U qattiq jismlarning har xil mikroskopik zarrachalardan tashkil topgan materiallarda kuzatiladi. Bu qutblanish past chastotalarda ro‘y berib, u katta miqdordagi elektr energiya sarfi bilan bog‘liqdir. Bunga sababini o‘tkazgich va yarim o‘tkazgich aralashma moddalarning dielektrik material qatlamlarida turlicha o‘tkazuvchanlik darajasi bilan ishtirok etishi bilan izohlash mumkin (3.11-rasm). Tarkibi har xil moddalardan tashkil topgan materiallar elektr maydoniga kiritilganda o‘tkazuvchan va yarim o‘tkazuvchan erkin elektronlar hamda ionlar o‘z harakat doirasida burilib katta qutblangan hududlarni hosil qiladi.

3.11-rasm. Turlicha tarkibdan iborat bo‘lgan materialning namunasi

S p o n t a n yoki e r k i n q u t b l a n i sh.

Qutblanishning bu turi segnetoelektrik materiallarda kuzatiladi. Birinchi bor segnet tuzi kristallarida qutblanish jarayonining ro‘y berishi kashf etilganligi uchun shunday xossalarga ega bo‘lgan materiallar guruhi segnetoelektrik materiallar deb nomlangan.
Segnetoelektrik materiallarda elektr maydoni ta’sir etgunga qadar domenlar deb nomlanuvchi elektr momentiga ega bo‘lgan mikroskopik erkin qutblangan hududlar mavjud bo‘ladi. Ammo domenlardagi elektr momentlarning yo‘nalishi har bir domenda turli xil yo‘nalishda bo‘ladi.Barcha turdagi domenlardagi elektrik momentning vektor yo‘nalishi turlicha bo‘lishiga qaramasdan ular doimo o‘zaro kompensatsiyalangan bo‘ladi.Domenlar joylashuvining oddiy modeli 3.12-rasmda tasvirlangan. Tashqi elektr maydoni ta’sir etganda domenlarning elektr momentlari maydon oqimi bo‘yicha yo‘nalgan bo‘ladi (oriyentatsiya).
Shu sababli segnetoelektriklar eng kuchsiz elektr maydoni ta’sir etganda ham kuchli qutblanish xususiyatlariga ega bo‘ladi. Boshqa tur qutblanishdan farqli o‘laroq segnetoelektrik materiallarda elektr maydoni kuchlanganligini oshira borib, to‘yinishni ortishiga erishish mumkin. Bu shunday holatki, maydon kuchlanganligi har qancha oshirilsa ham qutblanish jarayoni o‘zgarmaydi.

3.12-rasm. Segnetoelektrik materiallarda domen hududlarning joylashisha.
Yuqorida qayd etilgan holatni 3.13-rasmdagi D = f (E) bog‘liqlikdan kuzatish mumkin.

3.13-rasm. Segnetoelektriklardagi to‘yinish ( D ) bilan elektr
maydon kuchlanganlik ( Ye ) orasidagi bog‘liqlik.
Segnetoelektrik namunasiga qo‘yilgan kuchlanish miqdorini o‘zgartirib, gisterezis tugunini hosil qilish mumkin. Gisterezis tugunining shakli qiyshiq burchak yoki to‘g‘ri to‘rtburchak bo‘lishi mumkin (3.14-a va b rasm), bu holat material tarkibining har xilligidan dalolat beradi.

3.14-rasm. Har xil tarkibli segnetoelektrik materiallardagi gisterezis tugunini hosil bo‘lishi: a-qiyshiq burchak; b-to‘g‘ri to‘rtburchak.