Barcha huquqlar himoyalangan

4. Xulosalar
Mualliflar Innovative Materials Proc essing Technologies (IMPT)
Ltd kompaniyasiga moliyaviy ko'mak uchun minnatdorchilik bildirmoqchi.
Natijalar shuni ko'rsatadiki, oddiy va vakuumsiz ESAVD usuli
optik bilan ITO plyonkalarini ishlab chiqarishi mumkin
Ma'lumotnomalar
250 dan 600 nm gacha bo'lgan nozik taneli shaffof va bir
xil o'tkazuvchan ITO plyonkalari oddiy va tejamkor ESAVD
usuli yordamida ishlab chiqarilgan. Qoplama xususiyatlari
qalay doping kontsentratsiyasiga va cho'kma haroratiga
bog'liq.
o'tkazuvchanlik va xona haroratining qarshiligi xususiyatlari
yanada murakkab va vakuumli cho'kish usullaridan
foydalangan holda yotqizilgan plyonkalar bilan solishtiriladi.
Elektr qarshiligi cho'kma haroratiga, Sn kontsentratsiyasiga
va havo kislorodining tavlanishiga bog'liq. ITO plyonkalarining
elektr qarshiligi 8 = 10 dan 2 = 10 V sm gacha o'zgarib turadi
va plyonkalar 76% dan ortiq o'tkazuvchanlik qiymatiga ega,
bu boshqa bug 'cho'ktirish texnikasi (masalan, CVD va
püskürtme) bilan olingan qiymat bilan solishtirish mumkin. .
Ochiq atmosfera phericESAVD usuli endi katta maydonlarni
cho'ktirish uchun kengaytirilmoqda.
Minnatdorchilik
Machine Translated by Google

---

w14x B. Su, KL Choy, Thin Solid Films 359 (2000) 160. w15x
TJ Vink, W. Walrave, JLC Daams, PC Baarslag, JEAMvan den
Meerakkar, Thin Solid Films 266 (1995) 145. Ka16.
Shigesato, S. Takaki, Yupqa qattiq filmlar 9 (1995)
64
1270.
38.
w9x A. K. Kulkarni, K. X. Shuls, T. S. Lim, M. Xan, Yupqa qattiq filmlar
345 (1999) 273–277. w10x
CVR Vasantakumar, A. Mansing, J. Appl. fizika. 65 (1989)
w17x H. Xaytjema, JJPh. Elich, Yupqa qattiq filmlar, (1991) 93.
w18x CHL Weijtens, J. Electrochem. soc. 138 (11) noyabr 1991 yil.
w11x KL Choy, W. Bai, Britaniya patenti, PCTyGBy03105 (1996).
w12x KL Choy, Surf. Eng. 16 (2000) 465.
w13x KL Choy, W. Bai, S. Charojrochkul, BCH Steele, J. Power Source
71 (1998) 361.
R. Chandrasekhar, KL Choy / Yupqa qattiq filmlar 398–399 (2001) 59–64
Machine Translated by Google