- Транзисторнинг умумий эмиттер схемасида уланиши
2.Биполяр транзисторларнинг схемага уланиши - Транзисторнинг умумий база схемасида уланиши.
2.Биполяр транзисторларнинг схемага уланиши
Параметр
|
УЭ схемаси
|
УБ схемаси
|
УК схемаси
|
ki
|
Ўнлаган - юзлаган
|
<1
|
Ўнлаган - юзлаган
|
KU
|
Ўнлаган - юзлаган
|
Ўнлаган - юзлаган
|
<1
|
KP
|
Юз – ўн минглаган
|
Ўнлаган - юзлаган
|
Ўнлаган - юзлаган
|
Rкир
|
Юзлаган Ом – бир неча кОМ
|
Бир неча –ўнлаган Ом
|
Юзлаган Ом – бир неча кОМ
|
Rчиқ
|
Бир неча – ўнлаган кОМ
|
Юзлаган кОм – бир неча МегаОМ
|
Юзлаган Ом – бир неча кОМ
|
Uкир ва Uчиқ орасидаги фаза силжиши
|
1800
|
00
|
00
| - Инжекция коэффициенти
- Эмиттер токидаги Iэn қисмини инжекция коэффициенти аниқлайди.
- γ = Iэn / Iэ (1)
- Бу катталик эмиттернинг самарадорлигини характерлайди(0,99-0,995)
- Инжекцияланган электронлар коллектор ўтиш томон база узунлиги бўйлаб электронлар зичлигининг камайиши ҳисобига базага диффундланадилар ва коллектор ўтишга етгач, коллекторга экстракцияланадилар (коллектор ўтиш электр майдони ҳисобига тортиб олинадилар) ва IКn коллектор токи ҳосил бўлади.
- Зичликнинг камайиши концентрация градиенти деб аталади. Градиент қанча катта бўлса, ток ҳам шунча катта бўлади.
3.Биполяр транзистор параметрлари - Базадаги рекомбинация ҳисобига эмиттер электрон токининг йўқотилиши электронларнинг узатиш коэффициенти билан белгиланади:
- α=Iэn / Iэ (2)
- Реал транзисторларда α=0,980-0,995.
- Актив режимда транзисторнинг коллектор ўтиши тескари йўналиишда уланади (Uкб кучланиш манбаи ҳисобига амалга оширилади) ва коллектор занжирида, асосий бўлмаган заряд ташувчилардан ташкил топган дрейф токларидан иборат бўлган коллекторнинг хусусий токи Iк0 оқиб ўтади.
- Шундай қилиб, коллектор токи иккита ташкил этувчидан иборат бўлади
- IK = IKn+ IK0 (3)
3.Биполяр транзистор параметрлари - Агар IКn ни эмиттернинг тўлиқ токи билан алоқасини ҳисобга олсак, у ҳолда
- IK= αIЭ + IK0, (4)
бу ерда α - эмиттер токининг узатиш коэффициенти. α коэффициент УБ уланиш схемасидаги транзисторнинг кучайтириш хоссаларини белгилайди. 3.Биполяр транзистор параметрлари - Кирхгофнинг биринчи қонунига мос равишда база токи транзисторнинг бошқа токлари билан қуйидаги нисбатда боғлиқ
IЭ = IБ + IК (5) - Бу ифодани (4)га қўйиб, база токининг эмиттернинг тўлиқ токи орқали ифодасини олишимиз мумкин:
IБ = (1-α)IЭ + IК0 (6) Коэффициент α 1 лигини ҳисобга олган ҳолда, шундай ҳулоса қилиш мумкин: УБ уланиш схемаси ток бўйича кучайиш бермайди (IЭ ≈IК). - (5) ва (6) ифодалардан келиб чиққан ҳолда УЭ схемадаги транзисторнинг коллектор токи қуйидаги кўринишга эга бўлади:
IК = α(IК + IБ) + IК0. 3.Биполяр транзистор параметрлари - Бундан
IК = (α/1- α) IБ + (1/1- α) IК0 (7)
- Агар β= (α/1- α) белгиласак, (7) ифода қуйидагича ёзилади:
IК = β IБ + (β+1) IК0 (8) - Коэффициент β - база токининг узатиш коэффициенти деб аталади.
- β нинг қиймати ўндан юзгача, баъзи транзистор турларида эса бир неча мингларгача бўлиши мумкин.
- Демак, УЭ схемасида уланган транзистор ток бўйича яхши кучайтириш хоссасига эга бўлади.
3.Биполяр транзистор параметрлари - БТ асосий чегаравий параметрларига қуйидагилар киради:
- UКЭ мах - коллектор- эмиттер рухсат этилган максимал кучланиши;
- IК мах - коллектор максимал доимий токи;
- PК мах - каллектордаги максимал қувват сочилиши;
- UЭБ мах - эмиттер- база ўтиши рухсат этилган максимал тескари кучланиши.
Do'stlaringiz bilan baham: |
