Bipoyar tranzistorning struktur sxemasi

Bipoyar tranzistorning struktur sxemasi

Tranzistorlarning tuzilishi:

Kuchlanish tashqi manbalarga ulangandagi tranzistor p—r uti-shining potensial diagrammasi punktir chiziqlar bilan 5.14- rasm, v da kursatilgan. Baza ga tushgan kovaklar k.isman undagi erkin elek-tronlar bilan rekombinatsiyalashadi. Emitterdan baza ga utayotgan tok kuprok bulishi uchun, tranzistorlar tayyorlanayotgan vaqtda bazada erkin elektronlarni tashuvchi zaryadlar konsentratsiyasi qisman hosil qilinadi. Fatsat yupqa baza elektronlari bilan oz miqdordagi kovaklargina rekombinatsiyalashadi. Bunda yukrlgan elektronlar urniga ularning kamayishini tuldirib turuvchi, U tokni hosil kiladigan yangi elektronlar tashqi zanjirdan kirib turadi. Kovak-larning kup qismi esa shu kovaklar qarakatini tezlatuvchi kollektor elektr maydoni tomonidan ushlab krlinadi va kollektor zanjiri toki I_k ni hosil kiladi. YUqoridagilardan I_k = I_e — I_b ekanligi rav-shandir.

SHunday qilib, baza sohasi yordamida kollektor tokini boshqarish imkonini olamiz. Kichik quvvatli tranzistorning konstruksiyam 5.15- rasmda tasvirlangan.


Tranzistorlarning ulanish sxemasi, volt-amper xarakteristikasi va parametrlari
Ish sxemasida tranzistorlarning qaysi elektrodi (emitter, kollektor yoki bazalar) kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo’lishiga qarab tranzistorning uchta ulanish sxemasiga bo’linadi:

• 
  umumiy emitter (UE);
  
• 
  umumiy kollektor (UK);
  
• 
  umumiy baza (UB) ulanishlari bor .
  

13- rasm. Tranzistorlarning ulanish sxemalari: a - umumiy emitter bilan, b - umumiy kollektor bilan, v - umumiy baza bilan.

Umumiy baza sxemasi bo’yicha ulangan tranzistorning VAX: