Электродинамика k. A. Bobojonov, D. Sh. Saidov

To‘g‘ri yo‘nalishda potensiallar farqi qo‘yilgan p – n o‘tish

п –sohani musbat zaryadlanishi barcha energetic sathlarni pasayishiga olib keladi, p – sohani manfiy zaryadlanishi esa barcha energetic sathlarni ko’tarilishiga olib keladi.

Elektronlarni o’ngdan – chapga va teshiklarni chapdan – o’ngga oqib o’tishi shu sohalardagi Fermi sathlarini bir xil balandlikda o’rnatilishigacha davom etadi.

р- vа n- sohalardagi Fermi sathlari tenglashishi bilan φо potensial to’siqqa mos bo’lgan muvozanat o’rnatiladi .

To‘g‘ri yo‘nalishdagi tashqi kuchlanish asosiy tok tashuvchilar potensial to‘sig‘ini φ-qu qiymatga pasaytiradi. Bu esa n – sohadan elektronlar oqimi va

p – sohadan kovaklar oqimini , marta ortishiga olib keladi, natijada, bu elektron va kovaklar hosil qilgan toklar zichligi quyidagicha ifodalanadi:

,

Teskari yo‘nalishda potensiallar farqi qo‘yilgan p – n o‘tish

Agarda p - n o‘tishga teskari yo‘nalishda tashqi kuchlanish qo‘ysak, p - n o‘tishidagi potensial to‘siq balandligi

qiymatgacha ortadi va asosiy tok tashuvchilar

hosil qilgan tok zichliklarini

marta kamaytiradi:

,

Bu p - n o‘tishdan o‘tayotgan to‘la tok zichligi teskari tok

deb ataladi:

Bu p - n o‘tishning volt – amper xarakteristikasi quyidagicha ifodalanadi:

Yarim o’tkazgichlarning xususiyatlari quyidagi asboblarda qo’llaniladi:

• O’zgaruvchan tokni to’g’rilovchi yarim o’tkazgichli doidlar;
• O’ta yuqori chastotali elektromagnit to’lqinlarni generatsiyalovchi tunell diodlar;
• Yorug’likni nurlatuvchi diodlar, fotodiodlar, fotoelementlar, quysoh batareyalari;
• Termistorlar;
• Varikaplar (o’zgaruvchan sig’imli kondensatorlar;
• Bipolyar va maydonli tranzistorlar;
• Kompyuterlarning xotiraga olish qurilmalari.