Elektronika asbobsozlik

 

 

---

3 

 

 

Kirish. 

Ilm fan va texnikaning jadal suratlar bilan rivojlanishi, oxirgi o’n yilliklarada 

shunday  savolni  qo’yadiki  nazariya  va  texnikada  kuchsiz  signallarning  turli  xil 

parametrlarni  o’lchashda  aniqlik  darajasini  oshirishni  va  xar  xil  olchash 

qurilmalarida tez ta’sir etuvchi va xalaqit beruvchiga chidamlilikni talab qilmoqda.  

Hozirgi  vaqtda  o’lchash  texnikasida,  avtomatika  va  telemexanikada,  texnik 

aloqa va radiotexnikada sinxron detektorlash usuli keng ko’lamda qo’llanilmoqda. 

O’lchashlar  texnikasida  sinxron  detektorlash  o’zgaruvchan  tok  vektorini 

o’lchashda,  magnitli  o’lchashda  –  xalaqit  beruvchi  fonidagi  signalni  o’lchash  va 

ajratishda, ayirim hollarda foydali signallarning qisman ortirishda, avtomatikada – 

signal  hatoligidan  xosil  bo’luvchi  o’zaro  ta’sir  muntazamligini  ta’minlashda, 

foydalanilayotgan  elementlarning  fazaviy  yoki  belgili  sezgirligini  yaratish  uchun; 

telemexanika  va  aloqa  texnikasida,  radiotexnikada  –  kanallarni  vaqt  bo’yicha 

chastotaviy ajratishda, xalaqit beruvchi signallar bilan kurashish uchun va h.k. 

Fan  va  texnikaning  yangi  yo’nalishlarining  bir  butun  holda  rivojlanishida 

o’lchash  texnikasi  sohasi  oz  o’rniga  egadir.  Bunday  istiqbolli  sohalardan  kvant 

elektronikasi,  mikroelektronika,  integral  va  tolali  optika,  so’ngi  yillarda  tez 

rivojlanayotgan  nanoelektronikani  ketirish  mumkin  va  bu  sohalardan,  toza 

materiallarni  olish  texnologiyasi  va  ular  asosida  moddaning  berilgan  xossasini  va 

hodisaning fundamental tabiatini chuqur va aniq organishda, materiallarning optik 

va  boshqa  xarakteristikalarini  aniqlashda  foydalanish  mimkin.  Muhim  toza 

materiallarni  olish  texnologiyasida  moddaning  parametrlarini  o’lchash  usulining 

ajrata  olish  sezgirligi  asosiy  o’ringa  ega  bo’ladi,  shuning  uchun  bunday 

tadqiqotlarda sinxron detektorlash usulini qo’llash dolzarb ahamiyatga egadir. 

So’ngi  yillarda  foton  kristalida  foton  taqiqlangan  soha konsepsiyasi haqida 

turli  ishlarda  turlicha  ma’lumotlar  keltirilgan.  Foton  taqiqlangan  soha  spektral 

sohasida  yorug’lik  to’lqini  foton  kristali  bo’ylab  tarqalaolmaydi,  to’liq  qaytadi. 

Materiallarning  foton  taqiqlangan  sohasi  spektrning  mikroto’lqinli  sohasi(13-15 

ГГц)da  eksperimental  ravishda  aniqlashga  bag’ishlangan  ilmiy  maqola  1991  yil 

---

4 

 

e’lon  qilingan.  Foton  taqiqlangan  sohasi  spektrning  infraqizil  sohasi(1.35  -1,95 

мкм)da joylashgan foton kristali 1999 yilda olingan. Hozirgi kunda foton kristali 

asosidagi  optoelektronikaning  passiv  elementlari  va  yangi  nurlanish  manbalarini 

yaratish  yo’lida  intensive  izlanishlar  olib  borilmoqda.  Hozirgi  vaqtda  mavjud 

bo’lgan yarimo’tkazgichli yorug’lik diodlarining ichki kvant effektivligi 99,7% ni 

tashqi  effektivligi  juda  past  2-4%  ni  tashkil  etadi.  Foton  kristalidan  foydalanish 

qurilmaning bu ko’rsatkichlarni oshirishga xizmat qilishi mumkin.  

Sinxron  detektorlash  va  uning  har  xil  sohalarda  qo’llanilishi  ko’plab 

kitoblarda 

maqolalarda 

keltirilgan, 

lekin 

sinxron 

detektorlashning 

spektroskopiyada  qo’llanilishi  ilmiy  adaboiyotlarda  amaliy  jihatdan  deyarli 

keltirilmagan. 

Ushbu  bitiruv  malakaviy  ishning  mazmuni  ishda  foton  kristali  xususiyatiga 

ega  bo’lgan  nano’lchamli  SiO

2

  sharlaridan  tashkil  topgan  sun’iy  opallarning 

yorug’likni  qaytarish  va  o’tkazish  spektrlarini  signalni  sinxron  detektorlash  usuli 

yordamida  o’lchashni,  sinxron  detektorlash  usulining  fizik  asoslari  va  sinxron 

detektorning  har  xil  ish  rejimlarini  o’rganishga  bag’ishlangan.  Xulosada  olingan 

natijalar va butun qilingan eksperimental o’lchashlar keltiriladi.