104. Икки киришли ЭБМ элементнинг шартли гарфик белгиланиши ва унга изоҳ беринг.
 Элемент мусбат мантиқ учун бир вақтнинг ўзида иккита функцияни амалга оширади: У1 чиқиш бўйича 2ЁКИ-ЭМАС (Пирс элементи) ва У2 чиқиш бўйича 2ЁКИ (дизъюнкция).
105. n – МДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемасига изоҳ беринг.
Бу схемаларда юклама сифатида ишлатилаётган VT0 транзисторлар доим очиқ ҳолатда бўлади, чунки уларнинг затворлари кучланиш манбаининг мусбат қутбига туташган. Улар ток чеклагичлар (динамик қаршиликлар) вазифасини бажаради.
106. n – МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари 
107. n–МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС МЭ схемасида агар транзисторлар бирининг кириши потенциали U0 дан кичик (UКИР < U0, мантиқий 0) бўлгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.
u tranzistor yopiladi, yuklamadagi VT0 tranzistor stok toki ham 0 teng bo‘ladi, chiqish manba kuchlanishi YeM qiymatiga yaqin bo‘lgan, ya’ni mantiqiy 1 ga mos kuchlanish o‘rnatiladi
108. n–МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС МЭ схемасининг иккала киришга мантиқий 1 сатҳга мос (U-1КИР >U0) мусбат потенциал берилгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.
110. n–МДЯ транзисторларида бажарилган 2ЁКИ-ЭМАС МЭ схемасининг иккала киришга мантиқий 0 сатҳи берилгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.
VT1 va VT2 yopiladi, chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi – mantiqiy 1 o‘rnatiladi
111. КМДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемаси ва унинг вазифаси.
КМДЯ-транзисторларда ҲАМ-ЭМАС ва ЁКИ-ЭМАС мантиқий амаллар осон ташкил этилади. ҲАМ-ЭМАС мантиқий амали кириш транзисторларини кетма – кет улаш йўли билан, ЁКИ-ЭМАС мантиқий амали эса – уларни параллел улаш йўли билан амалга оширилади. ҲАМ-ЭМАС схемада юклама вазифасини бажарувчи транзисторлар бир-бирига параллел уланади, ЁКИ-ЭМАС схемада эса – кетма – кет. Бу вақтда ҳар бир кириш учун калит-инверторни ҳосил қилувчи иккита транзистор талаб қилинади.
 
112. КМДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари схемалари ва уларга изоҳ беринг.
Статик ҳолатда КМДЯ-транзисторларда бажарилган элементлар қувват истеъмол қилмайдилар, чунки транзисторларнинг бир гуруҳи берк бўлиб, деярли ток истеъмол қилмайди. Бу вақтда улардан берк транзисторларнинг жуда кичик токи оқиб ўтади. КМДЯТМ элементларнинг тезкорлиги МДЯТМ элементлар тезкорлигига нисбатан сезирларли даража юқори. Бу ҳолат, КМДЯТМ элементларида канал кенглигига чекланишлар қўйилмаганлигидан келиб чиқади.
113. КМДЯ транзисторлар асосидаги 2ҲАМ-ЭМАС МЭлари схемаси киришларига U0КИР < UnБЎС кучланиш берилганда транзисторлар ҳолатини аниқланг.
Barcha qayta ulanuvchi (n–kanalli tranzsitorlar) ochiladi, chiqish kuchlanishi U0ga teng bo‘ladi, kirish signallarining boshqa kombinatsiyalarida ketma-ket ulangan qayta ulanuvchi tranzistorlardan biri yopiladi, bu vaqtda chiqish kuchlanishi U1 = YeM ga teng bo‘ladi.
114. КМДЯ транзисторлар асосидаги 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари схемаси киришларига U0КИР < UnБЎС кучланиш берилгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.
Qayta ulanuvchi n – kanalli tranzistorlar yopiladi, r – kanalli tranzistorlarda manfiy potensial (U0KIR–YeM ≈–YeM ) bo‘ladi, bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymatidan katta bo‘ladi, lekin kanallardan berk tranzistorlarning juda kichik toklari oqib o‘tadi, kanallardagi kuchlanish pasayishi deyarli 0 teng bo‘ladi va chiqish kuchlanishi U1 = YeM, mantiqiy 1 ga mos keladi.
115. Фото ва нурланувчи диодларга изоҳ беринг, уларнинг схемада шартли белгиланиши.
Фотодиод схемага ташқи электр манба билан (фотодиод режими) ва ташқи электр манбасиз (фотовольтаик режим) уланиши мумкин. Ташқи электр манба шундай уланадики, бунда р-n ўтиш тескари йўналишда силжиган бўлсин. Фотодиодга ёруғлик тушмаганда диоддан берилган кучланишга боғлиқ бўлмаган I0 экстракция токи деб аталувчи, жуда кичик қийматга эга “қоронғулик” токи оқиб ўтади. Нурланувчи диодлар – битта р-n ўтишга эга бўлган, электр энергияни нокогерент ёруғлик нурига ўзгартувчи яримўтказгич нурланувчи электрон асбобдир. Нурланувчи диодларда электрон – ковак жуфтликларининг рекомбинациялашуви натижасида ёруғлик нури пайдо бўлади. Агар р-n ўтиш тўғри йўналишда силжитилган бўлса рекомбинация содир бўлади. Нурланувчи рекомбинация тўғри зонали деб аталувчи яримўтказгичларда ҳосил бўлади.
116. Оптронлар (оптожуфтликлар), уларнинг турлари ва схемада шартли белгиланиши.
Оптоэлектрон жуфтлик, ёки оптожуфтлик (оптопара) констуркцияси жиҳатдан оптик муҳит орқали ўзаро боғланган нурлатгич ва фото қабул қилгичдан ташкил топган бўлади. Кирувчи электр сигнал таъсирида нурланувчи диод ёруғлик тўлқинларини генерациялайди, фотоқабулқилгич эса (фотодиод, фоторезистор, фототранзистор ва бошқалар) ёруғлик таъсирида фототок генерациялайди. Оптожуфтликлар рақамли ва импульс қурилмаларда, аналог сигналларни узатувчи қурилмаларда, автоматика тизимларида юқори вольтли таъминловчи манбаларни контактсиз бошқариш ва бошқалар учун қўлланилади.
117. Оптоэлектроникага изоҳ беринг.
Оптоэлектроника – электрониканинг бўлими бўлиб, ахборотларни қабул қилиш, узатиш ва қайта ишлашда ёруғлик сигналлар электр сигналларга ва аксинча ўзгартирилишини таъминловчи электрон қурилмаларни ишлаб чиқиш, яратиш ва амалий қўллаш билан шуғулланади. Фотодиод ва нурланувчи диод оптоэлектрониканинг асосий яримўтказгич асбобларидир.
Do'stlaringiz bilan baham: |
