Электроника ва радиотехника кафедраси мавзу Дарлингтон жуфтлиги. Уилсон ток кўзгуси схемаси

ЭЛЕКТРОНИКА ВА РАДИОТЕХНИКА КАФЕДРАСИ

• Мавзу 6 . Дарлингтон жуфтлиги.
• Уилсон ток кўзгуси схемаси.

Режа

• Таркибий транзисторлар.
• Дарлингтон жуфтлиги.
• Ток кўзгуси схемаси.
• Уилсон ток кўзгуси схемаси.
• Актив ток трансформатори схемаси.

Таркибий транзистор

• Таркибий транзистор (Дарлингтон транзистори ёки жуфтлиги)- ток бўйича кучайтириш коэффицентини ошириш мақсадида иккита ва ундан ортиқ БТ ларнинг уламасидир (бирлашмаси). Ушбу схемаларга Дарлингтон, Шиклаи жуфтлиги, транзисторларнинг каскадли уланиш схемалари, ток кўзгуси схемалари киради.
• Схема иккита (камдан-кам уч ва ундан ортиқ) биполяр транзисторларнинг касакадли уланиши бўлиб, унда олдинги каскад эмиттери занжирининг юкламаси кейинги транзистор каскадининг база-эмиттер ўтиши ҳисобланади, яъни олдинги транзистор эмиттери кейинги транзисторнинг базаси билан уланади ва бунда транзисторларнинг коллекторлари ўзаро уланган. Схемада олдинги транзисторнинг эмиттер токи кейинги транзисторнинг базавий токи ҳисобланади.

Дарлингтон жуфтлиги (n-p-n турдаги)

Таркибий транзистор

• Таркибий транзистор ҳам оддий, яъни битта транзистор сингари 3 та электродга эга. Ток бўйича кучайтириш коэффиценти қувватли таркибий транзисторларда тахминан 1000 га, кам қувватлиларда тахминан 50000 ни ташкил этади. Бу шуни англатадики, таркибий транзистор очилиши учун кичик база токи кифоядир.

Таркибий транзистор

• Таркибий транзисторларда юклама сифатида резистор ҳам уланиши мумкин. Бундай уланиш битта транзистор сифатида кўрилади, транзисторлар актив режимда ишлаганда ток бўйича кучайтирирш коэффиценти биринчи ва иккинчи транзисторлар кучайтириш коэффицентларининг кўпайтмасига тенг.

Таркибий транзистор

• R1 юклама резисторининг қўлланиши таркибий транзисторнинг айрим характеристикаларини яхшилаш мақсадида ишлатилади. Резисторнинг қиймати шундай танланадики, VT1 транзисторининг ёпиқ ҳолатида коллектор-эмиттер токи резисторда VT2 транзисторининг очилиши учун етарли бўлмаган кучланиш (кучланишлар тушиши) ҳосил қилсин. Шундай қилиб VT1 транзисторининг оғиш (утечка) токи VT2 транзистори томонидан кучайтирилмайди, натижада таркибий транзисторнинг ёпиқ ҳолатидаги коллектор-эмиттер умумий токи камаяди. Бундан ташқари R1 резисторининг қўлланиши VT2 транзисторининг ёпилиши ҳисобига таркибий транзистрнинг тезкорлигини оширишга имкон яратади.
• БТ лардан фарқли МТ ларда таркибий уланиш мавжуд эмас, бунга зарурият йўқ, чунки улар шундай ҳам жуда кичик кириш токларига эгадир.