Elektronika va sxemotexnika

Maydoniy 
tranzistorlarda 
yasalgan 
kuchaytirgichlar. 
Maydoniy 
tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan 
maydoniy tranzistorlar keng qo‗llaniladi. 39 –rasmda n – kanalli p–n o‗tish bilan 
boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. 
p–n o‗tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga 
berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‗lishi kerak. Shu 
sababli o‗zgarmas tok bo‗yicha rejim hosil qilish uchun R
I
rezistor kiritiladi va u 
ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga 
R
SIL
rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini 
ta‘minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi. 
Berilgan I
S0
sokinlik toki uchun R
I
kattaligi maydoniy tranzistor stok – 
zatvor VAXsidan aniqlanadi. VAXdan U
ZI0 
ni aniqlab R
I
ni quyidagi ifodadan 
qiynalmas aniqlash mumkin: 
И
С
ЗИ
R
I
U
0
0



---

62 
62 
39 – rasm. 
Kirishga o‗zgaruvchan signalning musbat yarim davri U
KIR
berilganda 
chiqishda teskari fazadagi signal U
ChIQ
hosil bo‗ladi, ya‘ni UI sxemadagi 
kuchaytirgich bosqichi kirish signalini inverslaydi. Kuchlanish bo‗yicha 
kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng 
C
C
C
n
C
C
C
C
ЗИ
СИ
КИР
ЧИК
U
R
r
R
R
r
R
Sr
U
U
U
U
K















―Manfiy‖ ishora UIli sxema signalni inverslashini bildiradi. Amaliyotda 
C
C
R
r

, shu sababli kuchaytirish koeffisientini quyidagi ko‗rinishda ifodalash 
mumkin 
C
U
R
S
K



UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida Ku=3

’50, R
KIR
 

 R
SIL
, R
ChIQ
 

R
S
.