Elektronika va sxemotexnika

3.7. Keng polosali kuchaytirgichlar 
Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida 
yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda 
UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli 
kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‗zida tok yoki kuchlanish, 
hamda tok va kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar. 
Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi. Umumiy emitter 
sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng 
tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik R
G
bilan 
ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai Ye
G
ko‗rinishida (35 a-rasm), yoki 
qarshilik R
G
bilan parallel ulangan ideal tok manbai I
G 
ko‗rinishida (35 b-rasm) 
ifodalanishi mumkin. 
a) 
 
 
 
 
 
b) 
35 – rasm. 
Agar R
G
va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – 
biriga yaqin bo‗lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta‘sir ko‗rsatmaydi. 
Agar R
G
kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo‗lsa, 6.1 b-
rasmda keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 35 a-rasmda keltirigan signal 
manbaidan foydalanish tavsiya etiladi. 
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan 
kuchaytirgich bosqichi sxemasi 36 – rasmda keltirilgan. 
Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan 
boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (37-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi 
hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay. 

---

58 
58 
36 – rasm. 37 – rasm.
Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki I
K
ning baza – emitter kuchlanishi 
U
BE
ga bog‗liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi 
)
exp(
T
БЭ
KS
K
U
I
I


. (3.16) 
bu yerda
q
kT
Т


- termik potensial, I
KS
– proporsionallik koeffisienti bo‗lib 
uning tahminiy qiymati mikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K 
bo‗lganda 10
-9
mA tartibga ega bo‗ladi. 
Kirish signali mavjud bo‗lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida 
bo‗ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil 
etuvchisi 
K
K
П
КЭ
R
I
E
U


. 
Kirishga o‗zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza 
toki ortadi va u kollektor toki o‗zgarishiga olib keladi. Bu holat uzatish 
xarakteristikasi (37-rasm) dan ko‗rinib turibdi. Kollektor toki I
K
ning U
BE
kuchlanishiga bog‗liq ravishda o‗zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi: 
БЭ
K
dU
dI
S

U
KE
= const bo‗lganda 
Bu kattalikni (6.1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin: 
T
K
dI
S


(3.17) . 
Shunday qilib, tiklik kollektor tokiga proporsional bo‗lib, har bir 
tranzistorning individual xossalariga bog‗liq bo‗lmaydi. Shuning uchun bu 
kattalikni aniqlashda o‗lchashlar talab qilinmaydi. 
Kirish signali ta‘siri natijasida R
K
dagi kuchlanish ortadi, U
KE
 kuchlanish esa 
kamayadi, ya‘ni manfiy yarim davrli chiqish signali shakllanadi. Demak, bunday 
kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 
0
ga faza 
siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik 
КИР
БЭ
K
U
S
U
S
I





. 
kattalikka ortadi. 
Chiqish kuchlanishi U
ChIQ
esa 

---

59 
59 
K
КИР
K
K
R
U
S
R
I
U






2
. 
kattalikka kamayadi. 
Demak kuchlanish bo‗yicha kuchaytirish koeffisienti (yuklama mavjud 
bo‗lmaganda (I
Yu
=0)), quyidagiga teng 
K
КИР
ЧИК
U
SR
U
U
K





(3.18) 
Masalan, agar R
K
=5 kOm; 
Т

=25 mV; I
K
k=1 mA; S= 40 mA/V, u holda 
K
U
=-200. 
Kollektor toki faqat U
BE
kuchlanishiga emas, balki U
KE
kuchlanishiga ham 
bog‗liq bo‗ladi. Bu bog‗liqlik differensial chiqish qarshiligi bilan xarakterlanadi 
K
E
K
КЭ
КЭ
I
U
dI
dU
r


U
BE
= const bo‗lganda, 
Bu yerda proporsionallik koeffisienti U
E