Elektronika va sxemotexnika

3.6. Kanali qurilgan MDYa – tranzistor 
33 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va 
uning shartli belgisi (b) keltirilgan. 
Agar U
ZI
= 0 bo‗lganda U
SI
kuchlanish o‗rnatilsa, u holda kanal orqali 
elektronlar hisobiga tok oqib o‗tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish 
berilsa, kanalda ko‗ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta‘sirida 
kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‗allashib 
boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy 
kulchlanish qancha katta bo‗lsa, bu tok shuncha kichik bo‗ladi. Tranzistorning 
bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi. 

---

56 
56 
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta‘sir ettirilsa, hosil bo‗lgan elektr 
maydoni ta‘sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela 
boshlaydilar, kanalning o‗tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. 
Bu rejim boyish rejimi deb ataladi. 
Ko‗rib o‗tilgan jarayonlar 34 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor 
xarakteristikada: U
SI
=const bo‗lgandagi I
S
= f (U
ZI
) bilan ifoda-langan. 
ЗИ
U

0 bo‗lganda tranzistor boyish rejimida, 
ЗИ
U

0 bo‗lganda esa 
kambag‗allashish rejimida ishlaydi. 
a) b) 
33 – rasm. 
Boyish rejimida stok xarakteristikalari U
ZI
= 0 da olingan boshlang‗ich 
xarakteristikadan - yuqorida, kambag‗allashish rejimida esa – pastda joylashadi 
(34 b- rasm). 
a) b) 
34 – rasm. 
S, Ri va

statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‗tish bilan 
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) ifodalardan 
mos ravishda aniqlanadi. 
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy 
tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‗ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo 
sig‗imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o‗tish bilan boshqariladigan 
maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‗rsatkichlarga ega. R
ZI
kirish 
qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‗lib 10
12
-10
15
Om ni tashkil etadi. 

---

57 
57 
Elektrodlararo sig‗imlar qiymati S
ZI
, S
SI 
lar uchun -10 pF dan, S
ZS 
uchun -2 pF dan 
ortmaydi. Bu ko‗rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.