Электроника ва


Бир турдаги МДЯ - транзисторларда бажарилган калит схемалар


Download 3.21 Mb.
bet37/50
Sana16.06.2023
Hajmi3.21 Mb.
#1503497
1   ...   33   34   35   36   37   38   39   40   ...   50
Bog'liq
elektronika va sxemotexnika

Бир турдаги МДЯ - транзисторларда бажарилган калит схемалар. 9.3 - расмда n - канали индукцияланувчи МДЯ - транзисторларда
бажарилган калит схемаси келтирилган.


9.3 - расм.
VT0 транзистор ночизиқли юклама вазифасини бажаради. Кетма - кет уланган транзисторлар асоси қобиқда қисқа туташув бажарилади, затвор ва юкламадаги транзистор стоки манба билан туташтирилган. ЕМ = 3иБўС танланади, бу ерда иБўС - транзистор очиладиган кучланиш. Демак, юқоридаги транзистор доим очиқ ҳолатда бўлиб тўйиниш режимида бўлади ва инвертор токини чеклаш учун хизмат қилади (динамик юклама). VT0 сток токи катталиги қуйидаги формула билан аниқланади
Ic о BB o(Uси о Uбўс о) (9.7) .
Агар калит кириши Х га U0КИР< иБўС кучланиш берилса (мантиқий ноль), VT1 транзистор берк бўлади, калит орқали 10-9-10-10 А ток оқиб ўтади, чиқишдаги кучланиш эса y x бўлиб кучланиш манбаи қийматига яқин бўлади: иЧиқ^ЕМ (мантиқий бир).
Агар калит кириши Х га UКИР> иБўС кучланиш берилса, у ҳолда VT1 транзистор очилади ва тўйиниш режимига ўтади, бу вақтда сток токи IC1 (9.7) ифода орқали аниқланади, фақат иСИ0М деб олинади.
12
Ici _ 2 Bi(Ем Uбўсi) (^.^) ^
VT1 транзисторнинг тўйиниш режимидаги канал қаршилиги



1
B1(UЗИ UБЎС1)

1
B1 (UКИР UБЎС1


IC1 токни канал қаршилиги R га кўпайтириб, чиқиш кучланишини
оламиз









U ЧИК

В0

(ЕМ

U )2
БЎС0 )

В0 (ЕМ

UБЎС 0 )

2В1 UКир - UБЎС1 2В1 ЕМ - UБЎС1

(9.9)


Амалиётда U1 КИР^ЕМ (9.9) дан кўриниб турибдики, кичик чиқиш кучланиши қийматини иЧИқ таъминлаш учун ВВ1 нисбат бажарилиши керак. В катталиги канал кенглигини унинг узунлигига нисбати билан аниқланади (Z/L).
Бу калит кичик тезкорликка эга, чунки чиқиш импульсининг фронти транзистор параметрлари билан эмас, балки чиқиш сиғими зарядини ночизиқли юклама транзисторидан чиқиши билан аниқланади, бу қаршилик қиймати эса юзлаб кОмларга етади.
МДЯ - транзисторларда бажарилган калит схемалар. Бир турдаги МДЯ - транзисторларда бажарилган калит схемаларнинг камчилиги бўлиб шу ҳисобланадики, бошқарувчи транзисторнинг уланган ҳолатида калит орқали ток оқиб ўтади. Бу ток жуда зарур ҳисобланмайди, чунки майдоний транзисторнинг ўрнатилган токи амалда нольга тенг бўлади. Комплементар МДЯ (канал ўтказувчанлиги қарама - қарши бўлган транзисторларда) бажарилган калит схемалар бу камчиликлардан ҳоли (9.4-расм). Бу калитда иккала транзистор затворлари ўзаро боғланиб ягона кириш ҳосил қиладилар. Стоклар бирлашиб ягона чиқиш ҳосил қиладилар, истоклар эса асос билан биргаликда мос равишда кучланиш манбаи ва умумий шинага уланадилар.
Иккала транзистор ягона кириш сигнали билан бошқарилади. Лекин, бу транзисторларнинг бўсағавий кучланиш иБЎС қийматлари бир - бирига тескари ишорага эга бўлганлиги сабабли, кириш даражаларининг ихтиёрий қийматида бу транзисторлар турли ҳолатда бўладилар. Бир транзистор очиқ бўлганда, иккинчиси берк бўлади. Ҳақиқатдан ҳам, агар киришга Х= UКИР сигнал берилса, VT0 затвори асосга нисбатан манфий потенциалга эга бўлади Uкирм=м.

9.4 - расм.

Демак, VT0 очиқ ҳолатда бўлади. Бу вақтнинг ўзида VT1 транзистор затворидаги потенциал асосга нисбатан бўсағавий кучланишдан кичик қийматга эга бўлади ва бу транзистор беркилади. Агар киришга х= U КИР сигнал берилса, VT1 очилади, VT0 транзистор эса беркилади, чунки энди унинг затворидаги кучланиш асосга нисбатан қуйидагига тенг бўлади
= U UJ = U1 Е & 0
U З U А U КИР ЕМ ~ 0 .
Шундай қилиб, ихтиёрий стационар ҳолатда схема транзисторларидан бири берк ҳолатда бўлади, шу сабабли схема манбадан деярли қувват истеъмол қилмайди. Аммо схема қайта уланиш жараёнида, бирор жуда кичик вақт мобайнида иккала транзистор очиқ ҳолатда бўлади, чунки иккинчиси беркилиб улгурмаган бўлади. Комплементар МДЯ - транзисторларда ясалган калит схемалар бир турдаги МДЯ - транзисторларда ясалган калит схемаларга нисбатан ўн марта кам қувват истеъмол қилади. Лекин, схемаларнинг тезкорлиги бир хил бўлиб калит чиқиш сиғимининг қайта зарядланиш вақти билан белгиланади.

    1. Мантиқий интеграл схемалар негиз элементлари

Мантиқий ИМС негиз элементлари тузилишига кўра қуйидаги гуруҳларга бўлинади: диодли - транзисторли мантиқий элементлар (ДТМ); транзистор - транзисторли мантиқ элементлари (ТТМ); ток қайта улагичлари асосидаги эмиттерлари боғланган мантиқ элементлари (ЭБМ); МДЯ - транзисторларда ясалган элементлар; инжекцион манбали элементлар (И2М). Электрон калит тури мантиқ тури билан аниқланади.
Агар калит схемаси таркибида транзистордан ташқари бошқа электр радиоэлементлар (резистор, диод) мавжуд бўлса, бу ҳолат интеграция даражасини пасайтиради ва шу сабабли бу мантиқ тури ўрта ва катта интеграцияли рақамли интеграл микросхемалар негиз элементлари сифатида қўлланилмайди. Қуйида замонавий рақамли интеграл қурилмаларда қўлланиладиган негиз элементлар кўриб чиқилади.

Download 3.21 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   33   34   35   36   37   38   39   40   ...   50




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling