Elektroradio ashyolar va tibbiyot texnikasini

10.30-rasm. So‘nuvchi yuqori chastotali tebranishlarning
paydo bo‘lishi.
U
T
1
T
2
T

---

242
kechiktirish uchun xizmat qiladi. U chiqish kuchlanishining
qutbi o‘zgarmaguncha yopiq bo‘lgan tranzistorning ochilishini
ushlab turishga imkon beradi. Shuning uchun faqat bir yelka
tranzistori yopilgandan keyingina, ikkinchi yelka tranzistori
bazasiga ochuvchi kuchlanish keladi. Tranzistor uzilganda baza
zanjiridagi diod yopiladi va W
2
qo‘shimcha chulg‘amlardan
olinadigan yopuvchi kuchlanish bazaga kelmaydi. Bunday
invertor sxemasida kollektor toki impulslarida keskin ortish
bo‘lmaydi, chiqish kuchlanishi esa nolli uzilishlarsiz bo‘ladi.
Kommutatsion jarayonlar ularda deyarli bo‘lmaydi.
10.31-rasmda keltirilgan invertor kuch zanjiri T1 transfor-
matordan VT1 va VT2 tranzistorlardan, VD1 va VD2 diodlar-
dan iborat. Invertorni ng yuklamasi transformatorni ng
ikkilamchi chulg‘amidagi L1 induktiv element va R
Y
rezistor
hisoblanadi. Tranzistorlar nolli pauzalarsiz to‘g‘ri burchakli
10.31-rasm. Qaytar toklardan tuzatish sxemasi bilan bog‘langan
invertorli o‘zgartirgichning sxemasi.
R1
VD1
VT1
U
kir
T1
U
qo‘z
T2
VT2
VD2
R2
VD3
L1
VD4
C1
U
2
U
1

---

243
impulslar orqali kommutatsiyalanadi. Bu impulslar qo‘zg‘at-
gichdan tranzistor bazalariga R1 va R2 rezistorlar orqali
beriladi. Shuningdek, bu rezistorlar to‘yingan tranzistorlar baza
toklarini cheklaydi. Avval aytib o‘tilganidek, bunday qo‘zg‘atish
kuch zanjirida qisqa vaqtli qisqa tutashuvlarni vujudga keltiradi.
Bu vaqtlarda har ikkala tranzistorlar ochiq bo‘ladi va ularda
transformatorning birlamchi chulg‘amlarida kommutatsion
toklar keskin ortadi. VT1 va VT2 tranzistorlar kommutatsion
toklari transformatorning birlamchi chulg‘amlari o‘rta nuqtasidan
U
kir
ta’minot manbayining minus qutbiga oqib o‘tadi, ya’ni
transformatorning ikkilamchi chulg‘amiga transformatsiya-
lanmaydi va shuning uchun bu toklar qaytar toklar deyiladi.
Kommutatsiya jarayonini yaxshilash maqsadida invertor
sxemasiga qo‘shimcha ravishda qaytar toklardan qutulish sxe-
masi (QTQS) kiritiladi (10.32-rasm). U ikkita kirishga (11 va 21)
10.32-rasm. Kommutatsion xususiyatlari yaxshilangan invertorli
o‘zgartirgich sxemasi.
R1
12
11
QTQC
21
22
R2
VT2
VD2
U
kir
VD1
T2
VT1
L1
R
y
C1
U
2

---

244
va ikkita chiqishga (12 va 22) ega. VT1 tranzistorning yopiq
holatiga mos keladigan invers chiqish kuchlanishining qutbiga
sxemaning 12 ochiq va VT1 tranzistorning emitter-baza o‘tishini
shuntlaydi va qo‘zg‘atish zanjirini VT1 tranzistorni ochishiga
VT2 tranzistor yopilmaguncha va chiqish kuchlanishining qutbi
o‘zgarmaguncha, ya’ni sxemaning 21 kirishida musbat potensial
bo‘lmaguncha yo‘l qo‘yilmaydi.
10.33-rasmda tasvirlangan o‘zgartirgich invertorining qaytar
toklardan qutulish sxemasida uchta DD1, DD2 va DD3 manti-
qiy elementlardan foydalanilgan. DD1 mikrosxema trigger
bo‘lib, chiqishda (1 va 2 chiqishlar) o‘zaro faza bo‘yicha 180° ga
surilgan musbat impulslar ketma-ketligini shakllantiradi. Bu
impulslar ketma-ketligi VT1 va VT2 tranzistorlarning ochilishi
10.33-rasm. Boshqarish sxemasida mantiqiy elementlardan
foydalanilgan kommutatsion xususiyatlari yaxshilangan
invertorli o‘zgartirgich sxemasi.
DD1
U
qo‘z
C
T
DD2
R3
R5
R7
VT3
VT1
1
R1
R2
DD3
VT2
U
kir
T2
U
2
R8
VT4
R4
R6
U
qo‘sh

---

245
uchun zarur bo‘ladigan impulslarni shakllantirish uchun xiz-
mat qiladi. Bunda DD2 va DD3 mikrosxemalar (moslashtirish
sxemasi) ham ishtirok etadi. Ularning birinchi kirishlariga beril-
gan impulslar, ikkinchi kirishlarida musbat potensial bo‘lma-
guncha, ularning chiqishlariga o‘tmaydi (musbat potensial avval
ochiq bo‘lgan tranzistor yopilgandan keyingina paydo bo‘ladi).
Shu tarzda R7 va R8 rezistorlar orqali qarama-qarshi yelkaning
kuch tranzistori kollektori bilan ikkinchi kirishlarning aloqasi
ta’minlanadi.