Portal guldu uz-ярим ўтказгичли Қ


 ПИРОЛИЗ УСУЛИ БИЛАН АКСЛАНИШНИ КАМАЙТИРУВЧИ


Download 0.72 Mb.
Pdf ko'rish
bet42/52
Sana08.02.2023
Hajmi0.72 Mb.
#1168671
1   ...   38   39   40   41   42   43   44   45   ...   52
5.3. ПИРОЛИЗ УСУЛИ БИЛАН АКСЛАНИШНИ КАМАЙТИРУВЧИ
қАТЛАМЛАР ОЛИШ
Пиролиз усули билан аксланишни камайтирувчи қатламлар олиш
усулини SnO
2
мисолида кўриб ўтамиз. SnO
2
асосидаги аксланишни
камайтирувчи қатламнинг яхши томонларидан бири унинг легирлаш
имконияти мавжудлигидадир. Натижада унинг электр токига қаршилигини
минглаб маротаба ўзгартириш мумкин. Бу бирикма химиявий таъсирга ўта
чидамлидир. Бу
қопламани олиш технологияси
Sncl
2
ва
Sncl
4
бирикмаларидан 450-600
о
С да пиролиз қилишга асосланган. Бу оксид
таркибига n-тип материал олиш учун фтор (F) ва р-тип материал олиш


77
учун сурма (Sb) киритилади. Натижада келтирилган сирт қаршилигини 10
Ом/□ гача тушириш мумкин. Шишага олинган қалай оксиди таҳлили шуни
кўрсатадики қалинлиги 750-1100
о
А бўлганда ҳам шаффофлик
коэффициентини 95 % етказиш мумкин. қаршиликни камайтириш
ҳисобига эса қЭ га олинадиган контактни бевосита аксланишни
камайтирувчи қоплама устига олиш имконияти туғилади.
5.4. АКСЛАНИШНИ КАМАЙТИРУВЧИ қАТЛАМЛАРНИ ТЕРМИК
ЙУЛ БИЛАН ОЛИШ УСУЛИ
қатламларни термик ишлов бериш усули билан олиш энг кўп
ишлатиладиган усул бўлиб, бу усул микроэлектроникада тузилмалар
сиртини пассивация қилишда кўп ишлатилади. Термик усулни асосан SiO
2
олишда ишлатилади. Бу усулнинг асоси технологик жараён давомида
кремнийли тузилманинг сиртини кислород таъсирида окисланишидадир.
Ҳароратнинг катталигига қараб ва жараён шароитига қараб кремний
оксиди хусусиятлари ўзгариши мумкин. Усул шартли равишда иккига
бўлинади, а) «қуруқ» усул ва б)»ҳўл» усулга. Бу усуллар орасидаги фарқ
жараён ҳароратининг қиймати ва жараённи ўтказилиш шароитидадир.
«қуруқ» усулни ўтказиш жараёни 1100
о
С ва ундан ортиқ ҳароратда олиб
борилади, «ҳўл» усулда ҳарорат 200
о
С гача пастроқ ҳароратда қўшимча
кислород атмосферасида олиб борилади. Айрим ҳолларда кислородга
қўшимча сув буғи ҳам берилади. Бу усул билан олинган қатламлар
микроэлектроникада қуйидаги вазифаларни бажариши мумкин.
1) Фотолитографик жараёнда «ниқоб» (маска) сифатида ишлатилиб,
контакт олишда қўлланилади.
2) қЭ ларида аксланишни камайтирувчи қатлам сифатида ишлатилади.
3) Айрим кремний тузилмаларида юзани пассивация ва ҳимоя қилувчи
қатлам сифатида ишлатилиши мумкин.
қопламаларнинг
қалинлиги
кўп
жиҳатдан
технологик жараён
шароитига ва ҳароратга боғлик бўлиб, уларни назорат қилиш муҳим
аҳамият касб этади.

Download 0.72 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   38   39   40   41   42   43   44   45   ...   52




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling