Физик материалшунослик

Физик материалшуносликда янги техно логиялар

• Физик материалшуносликда янги материал олишда кўлланиладиган технологиялар юксак вакуум, ўта паст (криоген - Т<120 К) харорат шароитида ишлайди. Шунийгдек, кулланилаётган хомашёнинг гомоген софлигини ва олйнаётган янги материалнинг турли хил нуксонларсиз булишини талаб килади. Бир суз билан айтганда, янги «физик материал» олиш технологияси нозиклиги ва мураккаблиги олдида оддий заргарлик усули (хар холда соф олтин билан ишласа хам) жуда-жуда купол ва яроксиздир.
• Физик материалшуносликдаги энг мухим йуналишлйрДан бири - микроэлектроника (МЭ) да кулланиладиган сирт тех­нологияси хисобланади. МЭ физиканинг шундай сохасики; у макроскопик ярим ўтказгршли курилмалар ясашдан тортиб, 1 см2 дан кичик юзадаги ярим ўтказгичли битта кристалда ўн минглаб актив элементларни: каршиликларни, диодларии, транзисторларни, бошкарилувчи сигимларни ва х.з. жойлаштирувчи улкан интеграл схемаларни (ИС) яратиш ва уларнинг кенг кўламда кўлланилишини ўз ичига олади

Замонавий МЭ асосан интеграл хисобланади. Унинг тез ривожланишидаги асосий факторлардан бири - унинг элементларининг арзонлиги. Иккинчидан, интеграл схемалар геометрик ўлчамларининг кичиклиги ва жуда оз микдорда электр энергиясидан фойдаланишлигидир. Масалан, микрометр ўлчамидаги ва 10 - 20 им. диэлектрик копламадаги интеграл схема, одатда, 1 В кучланишда 106 Вт кувват билан ишлайди (Космик кема ва йўлдошларда бу жуда кулай).

• Замонавий МЭ асосан интеграл хисобланади. Унинг тез ривожланишидаги асосий факторлардан бири - унинг элементларининг арзонлиги. Иккинчидан, интеграл схемалар геометрик ўлчамларининг кичиклиги ва жуда оз микдорда электр энергиясидан фойдаланишлигидир. Масалан, микрометр ўлчамидаги ва 10 - 20 им. диэлектрик копламадаги интеграл схема, одатда, 1 В кучланишда 106 Вт кувват билан ишлайди (Космик кема ва йўлдошларда бу жуда кулай).
• Мазкур соханинг улкан ютукларй билан бир каторда тех­нологии физик, материалшунослик аспектларида анчагина муаммолари мавжуд. Масалан, диэлектрик коплама қалинлиги, унинг бир жинслилиги хамда ярим ўтказгич диэлектрик ўтиш чегарасидаги ташки таъсирга берилиш ва йукотишлар ва х.з. Шунингдек, И С элементларйнинг бир-биридан электрик изо ляциясини таъминлаш ва яхшилаш хам мухим муаммолардан биридир. Бу муаммони хал этишнинг бирдан-бир йўли ярим ўт­казгич пластинкаси сирти остида диэлектрик катлам хосил килишдир. Бу осон иш эмас, албатта. Шундай катлам хосил қилиш технологияси хам нозик (М: Si - А1203 Si 021 = 800 -900°С,с1=0,5мкм.).