Gers dipoli -uchlarida metall sharlari boʻlgan va sharlar oraligʻiga Rumkorf gʻaltagi ulangan mis sterjen koʻrinishidagi oddiy antenna; G

2.1-rasm. Termodinamik muvozanat holatidagi p-n o‘tish.
musbat va manfiy ishoralar bilan belgilangan doirachalar mos ravishda
donor va akseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. Hosil bo'lgan qo'sh
elektr qatlami p-n o'tish deb ataladi. Ushbu qatlamda harakatchan
zaryad tashuvchilar bo'lmaydi. Shuning uchun uning solishtirma
qarshiligi p — va n — sohalarnikiga nisbatan juda yuqori bo'ladi.
Adabiyotlarda bu qatlam kambag1"allashgan yoki i — soha deb ataladi.
p — va ≪ — sohalar chegarasidan ikki tomonda joylashgan hajmiy
zaryad musbat va manfiy ishoraga ega bo'lgani sababli p-n o'tish
sohasida kuchlanganligi ￡ bo'lgan ichki elektr maydon hosil qiladi.
Ushbu maydon qo'sh elektr zaryad sohasiga kirgan asosiy zaryad
tashuvchilar uchun tormozlovchi ta ’sir qilib, ularning p-n o'tish orqali
qo'shni sohaga o'tishiga qarshilik ko'rsatadi. Potensialning p-n o'tish
yuzasiga perpendikular bo'lgan X yo'nalishda o'zgarishi 2.1, b-rasmda
ko'rsatilgan. Bu yerda p — va n — sohalar chegarasidagi potensial nol
potensialga teng deb qabul qilingan.
p-n o'tishning zonalar energetik diagrammasi Fermi-Dirak funksiyasi
hamda zaryad tashuvchilarning zonalar bo'yicha taqsimlanishi bilan
birgalikda 2.1, d-rasmda ko'rsatilgan.
p-n o'tishda voltlarda ifodalangan kontakt potensiallar fa rq i
UK=(pn-cp ga teng bo'lgan potensial to'siq yoki kontakt potensiallar
farqi hosil bo'lishi 2.1, b-rasmdan ko'rinib turibdi. UK qiymati
y a r im o 'tk a z g ic h ta q iq la n g a n z o n a kengligi va k i r i tm a la r
konsentratsiyasiga bog'liq bo'lib, quyidagi ifoda bilan hisoblanadi: Odatda germaniyli p-n o'tishlar uchun kontakt potensiallar farqi
￡/A~0,35V ni, kremniylilar uchun esa — 0,7V ni tashkil etadi.
p-n o'tishni hosil qiluvchi Nd va Na kiritmalar konsentratsiyasi
texnologik chegarada zinasimon o'zgarsa keskin p-n o'tish yuzaga
keladi. Uning kengligi l() nafaqat kiritmalar konsentratsiyasiga, balki
o'tishdagi konsentratsiyaning o'zgarish qonuniyatiga bog'liq bo'lib,
quyidagi ifoda bo'yicha topiladi
(2.2)
va mikrometrning o'nlarcha ulushidan bir necha mikrometrgacha
bo‘lgan qiymatlarni tashkil etadi. Demak, tor p-n o'tish hosil qilish
uchun yarimo'tkazgichga yuqori konsentratsiyali kiritmalar kiritish,
keng p-n o'tish hosil qilish uchun esa kiritmalar konsentratsiyasi kichik
bo'lishi kerak.
Bu yerda: q — elektron zaryadi, s0 — elektr doimiysi, s —
yarimo'tkazgichning nisbiy elektr doimiysi.