Глава I исследование электрофизических свойств и Анализ методов получения пленок (ZnSe) Х (SnSe ) 1-х §

Магнетронное напыление является наиболее часто используемым методом напыления. Он обычно использует сильные электрические и магнитные поля для того чтобы поглотить электроны близко к поверхности магнетрона, который как цель. Электроны следуют спиральными путями вокруг линий магнитного поля, подвергаясь большему количеству ионизирующих столкновений с газообразными нейтралями вблизи поверхности мишени, чем в противном случае.
Дополнительные ионы аргона, созданные в результате этих столкновений, приводят к более высокой скорости осаждения. Оно также значит что плазму можно вытерпеть на более низком давлении. Напыленные атомы нейтральным и поэтому не влияют магнитные ловушки.

Преимущества напыления:

* Элементы, сплавы и смеси можно Металлизировать и депозировать.
* Распыляя цель, обеспечивает стабилизированный, продолжительный источник испарения.
• В некоторых конфигурациях источником распыления может быть определенная форма, например линия или поверхность стержня или цилиндра.
* В некоторых конфигурациях реактивное осаждение может быть легко выполнено с использованием активных в плазме газообразных частиц.
* В процессе осаждения очень мало лучистого тепла.
* Источник и субстрат можно размечать близко совместно.
* Камера напыления может иметь небольшой объем.
Недостатки напыления:
* Тарифы Sputtering низки сравненные к тем которых можно достигнуть в термальном испарении.
* Во многих конфигурациях распределение потока осаждения неоднородно, что требует подвижной фиксации для получения пленок одинаковой толщины.
* Мишени для распыления часто стоят дорого, а использование материалов может быть плохим.
* Большая часть энергии, падающей на цель, превращается в тепло, которое необходимо удалить.
• В некоторых случаях, газообразные загрязняющие елементы "активированы" в плазме, делая загрязнением пленки больше из проблемы чем в испарении вакуума.
Термическое испарение. (Thermal evaporation)
Это процесс, в котором твердый материал, помещенный в лодке нагревается до точки, где он начинает испаряться, а затем конденсируется на более холодную подложку с образованием пленки. Скорость испарения зависит от поверхности кристалла, из которой происходит испарение. Давление вакуума составляет менее 10-3 Па для хорошего покрытия [7]. На рисунке 2.2 показана установка для термического испарения. Тонкие пленки A²B⁶ были отложены, помещенные внутри лодки при давлении вакуума ~ 10^-6 мбар. Patel et al. [9] и Patel et al. [10] с использованием этого метода выращивали тонкие пленки CdS и ZnTe.

Рисунок 2.2: Схематическая изображения метода термического испарения [3].