Характеристики и применение трансформаторов

Министерство по развитию информационных технологий и коммуникаций Республики Узбекистан Каршинский филиал ташкентского университета информационных технологий имени Аль Хорезми телекоммуникация факультет Подготовил НАБИЕВ АБДУЛАЗИЗ Группы тт-12-21

Характеристики и применение трансформаторов

Переходные процессы в электрических цепях

Аналоговые, дискретные и цифровые фильтры

Концентрация свободных носителей зарядов в состоянии равновесия

Стабилитроны

Переходные процессы в электрических цепях

Аналоговые, дискретные и цифровые фильтры

Настоящее учебное пособие содержит описание двух лабораторных работ по курсу «Радиотехнические цепи и сигналы» (РТЦиС). Оно может быть использовано также для изучения других дисциплин, таких как «Теория электрической связи», «Основы радиотехники», «Основы радиотехники и электроники», «Теоретические основы радиотехники», «Основы теории цепей и сигналов» и других, включающих в свою программу теорию сигналов, теорию радиоцепей, методы исследования воздействия сигналов на линейные аналоговые, дискретные и цифровые цепи.
Лабораторные работы поставлены так, что позволяют преподавателю индивидуализировать как сами работы, так и задания, выдаваемые кажд-ому студенту или каждой бригаде.
При разработке заданий авторы исходили из необходимости проведения студентами предварительных расчетов, а затем практической проверки результатов на стенде, сопоставительного анализа экспериментальных данных с расчетными.
В конце каждой работы приведены контрольные вопросы. В приложениях представлены основы теории фильтрации и синтеза фильтров.
Аналоговые величины могу иметь бесконечное множество значений в определенных пределах. Они непрерывны и их значения не могут изменяться скачками.
Пример аналогового сигнала: термопара передает в аналоговом виде значение температуры в программируемый логический контроллер, который управляет с помощью твердотельного реле температурой в электрической печи.

Любой аналоговый сигнал может быть представлен в виде соответствующего ему цифрового эквивалента, при этом точность представления зависит от количества разрядов эквивалентного числа.

Для обработки аналоговых сигналов применяются логические элементы. Для взаимодействия электронных устройств, обрабатывающих аналоговые сигналы с устройствами, оперирующими двоичными (цифровыми) сигналами, применяют цифро-аналоговые (ЦАП) и аналого-цифровые (АЦП) преобразователи.

Концентрация свободных носителей зарядов в состоянии равновесия

Все твердые тела в соответствии с их электрофизическими свойствами можно разделить на металлы, полупроводники и диэлектрики. Удельное сопротивление (р) различных твердых тел изменяется в весьма широких пределах: для металлов р < 10-4 Ом • см, для полупроводников р - 10~4—Ю10Ом*см, для диэлектриков р > 10ю Ом • см. Эти различия в значениях р обусловлены особенностями энергетической структуры для различных типов кристаллических твердых тел. Структуры энергетических состояний полупроводников и диэлектриков принципиально не отличаются друг от друга, все отличия обусловлены только разницей в ширине запрещенной зоны (АЕэ): в полупроводниках обычно АЕ3 ^ 3 эВ, а в диэлектриках АЕ3 > 3 эВ.
Наибольшее применение в электронных приборах нашли полупроводниковые материалы, которые подразделяют на собственные (чистые, беспримесные) и примесные. Как в собственных, так и в примесных полупроводниках (энергетические
диаграммы последних приведены на существуют два типа свободных носителей заряда — электроны и дырки. Свободными носителями заряда называются такие носители, кинетическая энергия которых больше их потенциальной энергии связи с атомами. Концентрация свободных носителей определяется двумя противоположными процессами — их генерацией и рекомбинацией. Генерация носителей заряда, т. е. образование свободных электронов и дырок, осуществляется при воздействии на полупроводник тепловой энергией, светом, ионизирующим облучением, пучками заряженных частиц и другими энергетическими факторами. В условиях термодинамического равновесия (при температурах Т > О К) всегда присутствует тепловая генерация носителей, интенсивность которой увеличивается с ростом температуры. В собственном полупроводнике в процессе генерации образуются электронно-дырочные пары.
Напомнит некоторые сведения из курса физики. Полупроводниками, как прави­ло, являются твердые тела с регулярной кристаллической структурой. В твердом те­ле концентрация (объемная плотность) атомов велика, поэтому внешние электрон­ные оболочки соседних атомов сильно взаимодействуют, и вместо системы дискрет­ных энергетических уровней, характерной для одного изолированного атома, появля­ется система зон энергетических уровней. Эти зоны уровней называют разрешенными, а области между ними – запрещенными зонами. Верхняя разрешен­ная зона называется зоной проводимости, а первая под ней – валентной зоной.