High speed, low driving voltage vertical cavity germanium-silicon modulators for optical

Bibliography 
1. 
“An Introduction to the Intel® QuickPath Interconnect”. Available: 
http://www.intel.com/technology/quickpath/introduction.pdf
 
2. 
Yu-Hsuan Kuo PhD dissertation, September 2006. 
3. 
Semiconductor Industry Association, 2005 International Technology Roadmap for 
Semiconductor, 2005.
4. 
J. Davis and J. Meindl, Interconnect Technology and Design for Gigascale Integration. Norwell, 
MA: Kluwer Academic Publishers, 2003. 
5. 
M. Horowitz, R. Ho, and K. Mai, “The future of wires,” Semiconductor Research Corporation 
Workshop on Interconnects for Systems on a Chip, Stanford, CA, pp. 1-16, May, 1999. ( R.Ho, 
K.W.Mai and M.A.Horowitz, “The future of wires”, Proc. IEEE, vol.89, no. 4, pp. 490 – 504, 
Apr. 2001.) 
6. 
R. Ho, K. Mai, M. Horowitz, “Managing wire scaling: a circuit perspective”, Proc. of the IEEE 
2003 International Interconnect Technology Conference, pp.177-179, Jun. 2003. 
7. 
M. J. Goodwin and A. J. Moseley, “Application of optoelectronic technologies to high 
performance electronic processor interconnects,” Opt. and Quantum Electron., vol. 26, no. 5, pp. 
S455-S470, May 1994. 
8. 
R. A. Soref and J. P. Lorenzo, “All-silicon active and passive guided-wave components for λ = 
1.3 and 1.6 μm,” IEEE J. Quanum Electron., vol. QE-22, pp. 873–879, Jun. 1986. 
9. 
B. Schuppert, J. Schmidtchen, A. Splett, U. Fischer, T. Zinke, R. Moosburger, and K. Petermann, 
“Integrated optics in silicon and SiGe-heterostructures,” J. Lightwave Technol., vol. 14, no. 10, 
pp. 2311-2323, Oct. 1996. 
10. 
R. A. Soref, “Silicon-based optoelectronics,” Proc. IEEE, vol. 81, no. 12, pp. 1687–1706, Dec. 
1993. 
11. 
C. Fan, B. Mansoorian, D. A. Van Blerkom, M. W. Hansen, V. H. Ozguz, S. C. Esener, and G. C. 
Marsden, “Digital free-space optical interconnections: a comparison of transmitter technologies,” 
Appl. Opt., vol. 34, no. 17, pp. 3103-3115, Jun. 1995. 
12. 
C. K. Tang and G. T. Reed, “Highly efficient optical phase modulator in SOI waveguides,” 
Electron. Lett., vol. 31, no. 6, pp. 451–452, Mar. 1995. 
13. 
M. W. Geis, S. J. Spector, R. C. Williamson, and T. M. Lyszczarz, “Submicrosecond 
submilliwatt silicon-on-insulator thermooptic switch,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 16, no. 
11, pp. 2514-2516, Nov. 2004. 

---

 
 
 
93 
14. 
Y. A. Vlasov, M. O’Brien, H. F. Hamann, and S. J. McNab, “Active control of slow light on a 
chip with photonic crystal waveguides,” Nature, vol. 438, pp. 65-69, Nov. 2005. 
15. 
E. L. Wooten, K. M. Kissa, A. Yi-Yan, E. J. Murphy, D. A. Lafaw, P.F. Hallemeier, D. Maack, 
D. V. Attanasio, D. J. Fritz, G. J. McBrien, and D. E. Bossi, “A review of lithium niobate 
modulators for fiber-optic communications systems,” IEEE J. Select. Topics. Quantum Electron., 
vo.6, no.1, pp. 69-82, Jan/Feb 2000. 
16. 
R. A. Soref and B. Bennett, “Electrooptical effects in silicon,” IEEE J. Quantum Electron., vol. 
23, no. 1, pp. 123–129, Jan. 1987. 
17. 
A. Liu, R. Jones, L. Liao, D. Samara-Rubio, D. Rublin, O. Cohen, R. Nicolaescu, and M. 
Paniccia, “A high-speed silicon optical modulator based on a metal-oxide-semiconductor 
capacitor,” Nature, vol. 427, pp. 615–618, Feb. 2004. 
18. 
Juthika Basak, Ling Liao, Ansheng Liu, Doron Rubin, Yoel Chetrit, Hat Nguyen,Dean 
Samara-Rubio, Rami Cohen, Nahum Izhaky, and Mario Paniccia, “Developments in Gigascale 
Silicon Optical Modulators Using Free Carrier Dispersion Mechanisms” Advances in Optical 
Technologies 
19. 
Q. Xu, B. Schmidt, S. Pradhan, and M. Lipson, “Micrometre-scale silicon electro-optic 
modulator,” Nature, vol. 435, pp. 325–327, May 2005. 
20. 
W. Franz, “Einfluß eines elektrischen Feldes auf die optische Absorptionskante,” Z. Naturforsch., 
vol. 13a, pp. 484-489, 1958. 
21. 
L. V. Keldysh, “The effect of a strong electric field on the optical properties of insulating 
crystals,” Soviet Phys.-JETP, vol. 34, pp. 788-790, 1958. 
22. 
D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. 
A. Burrus, “Band-edge electroabsorption in quantum well structures: the quantum-confined Stark 
effect,” Phys. Rev. Lett., vol. 53, no. 22, pp. 2173–2177, Nov. 1984. 
23. 
D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. 
A. Burrus, “Electric field dependence of optical absorption near the bandgap of quantum well 
structures,” Phys. Rev. B, vol. 32, no. 2, pp. 1043–1060, Jul. 1985. 
24. 
R. Lewen, S. Irmscher, U. Westergren, L. Thylen, and U. Eriksson, “Segmented 
transmission-line electroabsorption modulators,” J. Lightwave Technol., vol. 22, no. 1, pp. 
172–179, Jan. 2004. 
25. 
U. Arad, E. Redmard, M. Shamay, A. Averboukh, S. Levit, and U. Efron, “Development of a 
large high-performance 2-D array of GaAs-AlGaAs multiple quantum-well modulators,” IEEE