High speed, low driving voltage vertical cavity germanium-silicon modulators for optical

Cryst. Growth, vol. 27, pp. 118-125, Dec. 1974. 
63. 
R. People and J. C. Bean, “Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for 
GeSi/Si strained-layer heterostructures,” Appl. Phys. Lett., vol. 47, no. 3, pp. 322-324 Aug. 1985. 
(Erratum, vol. 49, no. 4, pp. 229, Jul. 1986.) 
64. 
B. W. Donson and J. Y. Tsao, “Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic 
flow,” Appl. Phys. Lett., vol. 51, no. 17, pp. 1325-1327, Oct. 1987. (Erratum, vol. 52, no. 10, pp. 
852, Mar. 1988.) 
65. 
K. Brunner, “Si/Ge nanostructures,” Rep. Prog. Phys., vol. 65, pp.27-72, Dec. 2001. 
66. 
J. C. Bean, L. C. Feldman, A. T. Fiory, S. Nakahara, and I. K. Robinson, “Ge
1-x
Si
x
/Si 
strained-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy,” J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 2, no. 
2, pp. 436-440, Apr.-Jun. 1984.
67. 
F. Schaffler, D. Tobben, H.-J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Hollander, “High-electron-mobility 
Si/SiGe heterostructure: influence of the relaxed SiGe buffer layer,” Semic. Sci. T., vol. 7, no. 2, 
pp. 260-266, Feb. 1992. 

---

 
 
 
97 
68. 
D. J. Godbey and M. G. Ancona, “Ge profile from the growth of SiGe buried layers by molecular 
beam epitaxy,” Appl. Phys. Rev., vol. 61, no. 18, pp. 2217-2219, Nov. 1992. 
69. 
D. A. Griitzmacher,a) T. 0. Sedgwick, A. Powell, M. Tejwani, S. S. lyer, J. Cotte, and F. Cardone 
“Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependenceon deposition technique and 
growth atmosphere” Appl. Phys. Lett. 63 (18), pp 2531-2533, Nov 1993
70. 
S. M. Gates and S. K. Kulkarni, “Kinetics of surface reactions in very low-pressure chemical 
vapor deposition of Si from SiH4,” Appl. Phys. Lett., vol. 58, no. 25, pp. 2963-2965, Jun. 1991. 
71. 
Xiaolong Yang, Meng Tao "A Kinetic Model for Si
1−x
Ge
x
Growth from SiH
4
and GeH
4
by CVD" 
Journal of The Electrochemical Society, 154 (1) H53-H59, 2007 
72. 
D. J. Tweet, T. Tasumi, H. Hirayama, K. Miyanaga, and K. Terashima, “Factors determining the 
composition of strained GeSi layers grown with disilane and germane,” Appl. Phys. Lett., vol. 65, 
no. 20, pp. 3162-3164, Dec. 1991. 
73. 
M. E. Groenert, C. W. Leitz, A. J. Pitera, V. Yang, H. Lee, R. J. Ram, and E. A. Fitzgerald, 
“Monolithic integration of room-temperature cw GaAs/AlGaAs lasers on Si substrates via 
relaxed graded GeSi buffer layers,” J. Appl. Phys. , vol. 93, no. 1, pp. 362-367, Jan. 2003. 
74. 
S. Fama, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, “High performance 
germanium-on-silicon detectors for optical communications,” Appl. Phys. Lett., vol. 81, no. 4, pp. 
586-588, Jul. 2002. 
75. 
J. Oh, S. K. Banerjee, J. C. Campbell, “Metal-germanium-metal on heteroepitaxial Ge-on-Si with 
amorphous Ge Schottky barrier enhanced layers,” IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 16, no. 2, 
pp. 581-583, Feb. 2004. 
76. 
M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, “Controlling 
threading dislocation densities in Ge on Si using graded SiGe layers and chemical-mechanical 
polishing," Appl. Phys. Lett., vol. 72, no. 14, pp. 1718–1720, Apr. 1998. 
77. 
J. L. Liu, S. Tong, Y. H. Luo, J. Wan, and K. L. Wang, "High-quality Ge films on Si substrates 
using Sb surfactant-mediated graded SiGe buffers," Appl. Phys. Lett., vol. 79, no. 21, pp. 
3432–3434, Nov. 2001. 
78. 
D. P. Malta, J. B. Posthill, R. J. Markunas, and T. P. Humphreys, “Low-defect-density 
germanium on silcon obtained by a novel growth phenomenon,” Appl. Phys. Lett., vol. 60, no. 7, 
pp. 844-846, Feb. 1992. 
79. 
H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, 
"High-quality Ge epilayers on Si with low threading-dislocation densities," Appl. Phys. Lett., vol. 
75, no. 19, pp. 2909–2911, Nov. 1999. 

---